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• 一种降低晶体生长炉装配高度的组件及使用方法 公开日期：2025-02-14 公开号：CN113337897A 申请号：CN202110546770.6
  发明 一种降低晶体生长炉装配高度的组件及使用方法

  • 申请号：CN202110546770.6
  • 公开号：CN113337897A
  • 公开日期：2025-02-14
  • 申请人：深圳大学

  本发明涉及半导体晶体生长技术领域，公开了一种降低晶体生长炉装配高度的组件及使用方法，其中组件包括承重板，其顶部适用于固定晶体生长炉；活动支撑组件安装于承重板的底部，并可驱动承重板进行升降动作；一组固定支撑组件可在承重板和晶体生长炉到达设计高度时，固定支撑于承重板的底部且分设于活动支撑组件的两侧；活动支撑组件适于在晶体生长炉安装到预设位置时，从承重板底部拆除。可以在较低位置先进行承重板与晶体生长炉的安装固定，之后再利用活动支撑件将晶体生长炉和承重板提升到合适的高度，接着利用固定支撑组件进行支撑固定，安装更加方便，提高了装配效率，无需反复安装，可以避免造成晶体生长炉损坏。

  发布时间：2023-06-23 07:25:40

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• 区熔法晶体自动化生长装置 公开日期：2025-02-11 公开号：CN114197032A 申请号：CN202010979166.8
  发明 区熔法晶体自动化生长装置

  • 申请号：CN202010979166.8
  • 公开号：CN114197032A
  • 公开日期：2025-02-11
  • 申请人：中国科学院上海光学精密机械研究所

  一种区熔法晶体自动化生长装置，主要包括炉膛、力检测系统、光纤激光器加热系统、温度梯度调节系统、运动控制系统和计算机控制系统。晶体生长过程中，通过源棒受力信息的反馈可以实现对晶体生长直径的自动控制，并对晶体生长质量进行实时监测；使用光纤激光器加热可以得到均匀、稳定的熔区；结晶后的晶体随籽晶杆进入温度梯度调节系统，避免因骤冷产生的缺陷。

  发布时间：2023-04-28 09:56:40

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• 碳化硅晶体以及用于生产其的方法 公开日期：2025-02-11 公开号：CN113337892A 申请号：CN202110237647.6
  发明 碳化硅晶体以及用于生产其的方法

  • 申请号：CN202110237647.6
  • 公开号：CN113337892A
  • 公开日期：2025-02-11
  • 申请人：II-VI特拉华有限公司

  本公开内容一般地涉及可以用于光学应用中的碳化硅晶体，以及涉及用于生产其的方法。在一种形式中，组合物包含铝掺杂的碳化硅晶体，所述铝掺杂的碳化硅晶体具有残留的氮和硼杂质。碳化硅晶体中的铝的浓度大于碳化硅晶体中的氮和硼的组合浓度，并且碳化硅晶体在约400nm至约800nm的范围内的波长下的光吸收系数小于约0.4cm‑1。

  发布时间：2023-06-23 07:24:36

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• 气相生长装置 公开日期：2025-02-11 公开号：CN114457416A 申请号：CN202111317035.4
  发明 气相生长装置

  • 申请号：CN202111317035.4
  • 公开号：CN114457416A
  • 公开日期：2025-02-11
  • 申请人：纽富来科技股份有限公司

  本发明提供能够提高基板的温度的均匀性的气相生长装置。气相生长装置具备：反应室；支架，设置于反应室中，并载置基板；第一及第二加热器，分别设置于反应室中，位于支架的下方，支架包括：内侧区域；环状的外侧区域，包围内侧区域且在载置有基板的情况下包围基板；以及支承部，设置于内侧区域之上，能够支承基板的下表面，为环状且具有圆弧部分，圆弧部分的外周端与外侧区域的内周端之间的距离为6mm以下，支承部的宽度为3mm以上，在以基板的中心与支架的中心一致的方式将基板载置于支架的情况下，若基板的半径为R1，圆弧部分的外周端的半径为R4，基板的外周端与和圆弧部分对置的外侧区域的内周端之间的距离为D1，则满足下述式1。R1‑D1>R4(式1)。

  发布时间：2023-06-18 07:24:08

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• 一种提升钼铌单晶室温力学性能的方法 公开日期：2025-02-07 公开号：CN115787063A 申请号：CN202211496675.0
  发明 一种提升钼铌单晶室温力学性能的方法

  • 申请号：CN202211496675.0
  • 公开号：CN115787063A
  • 公开日期：2025-02-07
  • 申请人：西北有色金属研究院

  本发明公开了一种提升钼铌单晶室温力学性能的方法，包括以下步骤：步骤一、将钼原料和铌原料混合，然后通过电子束悬浮区域熔炼，得到退火前单晶钼铌合金；步骤二、将步骤一中得到的退火前单晶钼铌合金进行真空退火，得到力学性能提升的单晶钼铌合金。本发明通过在钼单晶中添加合金元素铌，有效提升纯钼单晶的强度和高温稳定性，并将通过电子束悬浮区域熔炼制备得到的钼铌单晶进行真空退火，有效降低钼铌单晶体系的内应力，改善钼铌合金单晶内部的微观缺，从而促进位错滑移，以此提升钼铌单晶的力学性能，尤其是塑性变形能力。

  发布时间：2023-06-07 23:03:27

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• 硅料自动上料机 公开日期：2025-02-07 公开号：CN112575387A 申请号：CN201910940515.2
  发明 硅料自动上料机

  • 申请号：CN201910940515.2
  • 公开号：CN112575387A
  • 公开日期：2025-02-07
  • 申请人：天津环博科技有限责任公司

  本发明涉及硅料自动上料机，包括实时称重装置，密封输送装置，分离落料装置，和小车定位装置，密封输送装置倾斜设置，传输方向从下向上，实时称重装置设置在密封传输装置上游，其出口设置在密封传输装置传输带起始位置，密封传输装置末端设有分离落料装置，小车定位装置设置在密封传输装置末端下方，复投桶小车与小车定位装置连接定位后，分离落料装置出口端与复投桶小车上的复投桶开口匹配。本发明的有益效果是：本方案提供一种能够实现自动称重、传输上料的机构，将称重过程，传输过程，复投桶填料过程实现全自动化进行；降低了人工需求，提高了工作效率，同时也提高了上料量的准确度。

  发布时间：2023-06-02 13:41:36

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• 一种大尺寸硅酸镍单晶及其制备方法 公开日期：2025-02-07 公开号：CN117431614A 申请号：CN202311401380.5
  发明 一种大尺寸硅酸镍单晶及其制备方法

  • 申请号：CN202311401380.5
  • 公开号：CN117431614A
  • 公开日期：2025-02-07
  • 申请人：信阳师范学院

  本发明属于单晶生长技术领域，具体涉及一种大尺寸硅酸镍单晶及其制备方法。所述制备方法为：将NiO与K2MoO4混合均匀，然后加入石英粉，接着将上述混合物置于石英管中真空密封后，采用助熔剂法制备得到单晶。本发明所得Ni2SiO4单晶为长条状板型，橄榄绿色，色泽优异，尺寸大，纯度高，制备温度低，使用石英管即可完成，工艺简单，成本低廉。

  发布时间：2024-01-26 08:51:31

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• 一种汞基硝酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用 公开日期：2025-01-24 公开号：CN116949575A 申请号：CN202310948893.1
  发明 一种汞基硝酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用

  • 申请号：CN202310948893.1
  • 公开号：CN116949575A
  • 公开日期：2025-01-24
  • 申请人：同济大学

  本发明涉及一种汞基硝酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用，该晶体材料的化学式为A2Hg(NO3)4，其中，A＝K或Rb，分子量分别为526.83和619.57，属于四方晶系，其空间群为I‑42m(No.121)，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。本发明所述的非线性光学晶体K2Hg(NO3)4和Rb2Hg(NO3)4在1064nm激光照射下的粉末倍频效应分别约为KH2PO4(KDP)晶体的9.2和8.8倍，且均能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有较宽的透光波段，物化性能稳定，机械硬度适中，易于生长等优点，在激光频率转换、光信息存储、电光调制等光电转化领域具有重要的应用价值。

  发布时间：2023-10-31 07:26:33

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• 分子束外延系统中固定GaSb衬底的方法及样品架 公开日期：2025-01-24 公开号：CN112593285A 申请号：CN202011589006.9
  发明 分子束外延系统中固定GaSb衬底的方法及样品架

  • 申请号：CN202011589006.9
  • 公开号：CN112593285A
  • 公开日期：2025-01-24
  • 申请人：苏州焜原光电有限公司

  本发明是针对现有技术中固定GaSb衬底的方法存在的易使衬底软化、衬底的温度均匀性不易保证的不足，提供分子束外延系统中GaSb衬底的安装固定方法及所用的样品架，样品架包括筒体、钽片和压紧固定装置，筒体和压紧固定装置均为在超高真空下不挥发，不放出气体的材质，在筒体内表面设置有支撑结构，钽片设置在支撑结构上，压紧固定装置位于钽片上方将钽片固定在筒体内，采用本发明方法固定GaSb衬底，先将Ga液涂在中间材料上，再通过中间材料将Ga液均匀涂在钽片上，巧妙地解决了Ga液浸润性较差、不易均匀的涂抹在钽片与GaSb衬底之间的难题，将GaSb衬底均匀、稳固的粘在了钽片上，最终解决了GaSb衬底温度均匀性问题，为实现高质量Sb化物材料的生长提供了基础。

  发布时间：2023-06-02 14:04:35

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• 一种以沙漠黄砂为原料低温合成的莫来石晶须及其制备方法 公开日期：2025-01-24 公开号：CN114808104A 申请号：CN202210510333.3
  发明 一种以沙漠黄砂为原料低温合成的莫来石晶须及其制备方法

  • 申请号：CN202210510333.3
  • 公开号：CN114808104A
  • 公开日期：2025-01-24
  • 申请人：江西陶瓷工艺美术职业技术学院

  本发明公开了一种以沙漠黄砂为原料低温合成的莫来石晶须及其制备方法，以沙漠黄砂引入硅源，硫酸铝引入铝源，基于莫来石理论化学式配比以及富铝与富硅的不同比例称取相应的原料，以无水硫酸钠作为熔盐介质，混合后置于行星球磨机中球磨30min，再将混合物置于坩埚内于800～1100℃煅烧1‑5 h，随炉冷却至室温，用水去除熔盐，过滤干燥后即可得到莫来石晶须。本发明优点在于：大幅度降低了沙漠黄砂合成莫来石晶须的能源消耗，较固相法合成莫来石晶须降低了300℃左右，且无需价格昂贵的晶须促进剂氟化铝和有毒物质烧结助剂五氧化二钒，制备过程简单，成本低，有力地推动了沙漠黄砂在低温合成莫来石晶须的资源化利用，具有较大的经济和社会价值。

  发布时间：2023-05-18 12:38:16

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