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• 一种光致变色的铜掺杂KTN单晶、制备方法及应用 公开日期：2024-11-26 公开号：CN117265661A 申请号：CN202311243440.5
  发明 一种光致变色的铜掺杂KTN单晶、制备方法及应用

  • 申请号：CN202311243440.5
  • 公开号：CN117265661A
  • 公开日期：2024-11-26
  • 申请人：山东省科学院新材料研究所

  本发明属于体块单晶加工技术领域，具体涉及一种光致变色的铜掺杂KTN单晶、制备方法及其应用。本发明通过直拉单晶制造法制备出Cu‑KTN晶体，首次发现Cu‑KTN晶体呈现出不同的颜色，并且该过程能可逆控制，此外Cu掺杂KTN增大了外加电压下的光电流，使得405nm光辐照时的光束偏转角增大。本发明探索Cu掺杂KTN单晶，一方面对对新型光致变色材料，另一方面对光激发载流子改善光电流的大小，增大光束偏转角，促进电光功能材料的应用具有重大价值。

  发布时间：2023-12-25 07:53:54

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• 承载件和半导体工艺设备 公开日期：2024-11-26 公开号：CN114855272A 申请号：CN202210460939.0
  发明 承载件和半导体工艺设备

  • 申请号：CN202210460939.0
  • 公开号：CN114855272A
  • 公开日期：2024-11-26
  • 申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

  本发明公开一种承载件和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该承载件承载件具有导流面、第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽设置于导流面，第二凹槽设置于第一凹槽的槽底，第一凹槽和第二凹槽的形状均为圆形，第二凹槽的直径小于第一凹槽的直径，且第一凹槽的槽底形成环绕第二凹槽的承载面，承载面用于承载晶圆。导流面和承载面中至少一者具有多个凸起部和凹陷部，多个凸起部沿第一凹槽的圆周方向排布，凹陷部位于两个相邻的凸起部之间。该方案能解决晶圆的边沿生长速率不一致的问题。

  发布时间：2023-05-18 13:03:47

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• 使用硼酸为掺杂物的单晶硅锭的制造方法及使用固相掺杂物的拉锭器设备 公开日期：2024-11-26 公开号：CN114207193A 申请号：CN202080053269.X
  PCT发明 使用硼酸为掺杂物的单晶硅锭的制造方法及使用固相掺杂物的拉锭器设备

  • 申请号：CN202080053269.X
  • 公开号：CN114207193A
  • 公开日期：2024-11-26
  • 申请人：环球晶圆股份有限公司

  本发明公开用于制造单晶硅锭的方法。所述锭使用固相硼酸作为硼源用硼进行掺杂。硼酸可在锭生长期间用于反向掺杂所述锭。还公开使用固相掺杂物的拉锭器设备。所述固相掺杂物可经安置在经移动而更靠近熔融物的表面的容器中，或蒸发单元可用于从所述固相掺杂物制造掺杂物气体。

  发布时间：2023-04-28 09:57:41

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• 一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置 公开日期：2024-11-26 公开号：CN116121847A 申请号：CN202310206227.0
  发明 一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置

  • 申请号：CN202310206227.0
  • 公开号：CN116121847A
  • 公开日期：2024-11-26
  • 申请人：中南大学

  一种区熔制备超高纯碲的方法和生产装置，区熔过程的气氛为氢气气氛或氢气和惰性气体混合气氛；沿碲锭长度方向依次设置三个加热器，位于两侧的加热器的加热温度为630℃‑660℃，位于中间的加热器的加热温度为680℃‑710℃；采用根据区熔次数改变熔区移动速率。本发明还包括所述实施区熔制备超高纯碲的方法的生产装置，本发明采用变熔区移动速率的操作方式，提高了碲区熔过程中杂质的脱除效率，同时缩短了提纯周期。产品纯度达到7N碲标准；在该区熔过程中采用三加热器协同控温，使熔区界面平整。提高了区熔过程中杂质的迁移效率，从而杂质脱除率得到有效提高。

  发布时间：2023-05-18 12:23:43

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• 装载机构及半导体工艺设备 公开日期：2024-11-26 公开号：CN113897673A 申请号：CN202111112917.7
  发明 装载机构及半导体工艺设备

  • 申请号：CN202111112917.7
  • 公开号：CN113897673A
  • 公开日期：2024-11-26
  • 申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

  本发明提供一种装载机构及半导体工艺设备，其中，装载机构包括：可移动的主体框架，用于可拆卸地与半导体工艺设备的装载腔室限位连接；承载结构，可升降且可平移地设置在主体框架上，承载结构设有用于将热场限位至与其同心的第一限位结构；热场支撑件限位结构，用于对热场支撑件进行限位；多组对位结构，每组均包括第一对位结构和第二对位结构，每组的第一对位结构和第二对位结构分别相对地设置在承载结构和热场支撑件限位结构上，多组对位结构被配置为当承载结构的位置被调整使每组对位结构的第一对位结构和第二对位结构均对准配合时，热场支撑件、热场及加热腔室同心设置。上述对心操作更加方便，对心更为准确，从而保证热场的受热均匀性。

  发布时间：2023-04-22 08:57:17

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• 半导体设备 公开日期：2024-11-26 公开号：CN113718332A 申请号：CN202111004313.0
  发明 半导体设备

  • 申请号：CN202111004313.0
  • 公开号：CN113718332A
  • 公开日期：2024-11-26
  • 申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

  本发明提供一种半导体设备，包括工艺腔室和反应基座，工艺腔室的侧壁上设置有进气块，用于向工艺腔室中输入气体；工艺腔室中还设置有绕反应基座设置的导流组件，用于将进气块输入的气体导流分配至工艺腔室中，导流组件的底部具有第一锥形部，第一锥形部的外径由上至下逐渐减小，工艺腔室具有与第一锥形部配合设置且内径由上至下逐渐减小的第一锥形定位面，第一锥形部对应设置在第一锥形定位面上。在本发明中，导流组件的底部具有第一锥形部，工艺腔室具有形状对应的第一锥形定位面，从而通过锥面托举关系保证导流组件与工艺腔室同心，提高了导流组件重复装配的一致性以及半导体工艺的均匀性。

  发布时间：2023-07-03 10:35:49

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• 一种用于衬底外延的反应器 公开日期：2024-11-26 公开号：CN114686974A 申请号：CN202210358569.X
  发明 一种用于衬底外延的反应器

  • 申请号：CN202210358569.X
  • 公开号：CN114686974A
  • 公开日期：2024-11-26
  • 申请人：上海埃延半导体有限公司

  本发明总的来说涉及半导体制造技术领域，提出一种用于衬底外延的反应器，包括：反应腔室；加热器，其被配置为对所述反应腔室进行加热；风冷流道，其位于所述加热器以及所述反应腔室之间；以及换热器，其布置于所述风冷流道上，其中所述换热器被配置为生成冷却气体并且驱动所述冷却气体沿所述风冷流道流动以便冷却所述反应腔室以及所述加热器。

  发布时间：2023-05-14 12:32:15

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• 一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用 公开日期：2024-11-22 公开号：CN114875482A 申请号：CN202210281153.2
  发明 一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用

  • 申请号：CN202210281153.2
  • 公开号：CN114875482A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：北京大学

  本发明涉及III族氮化物半导体制备技术领域，具体涉及一种电子浓度高、电阻率低，且具有原子级平整的表面形貌的n型AlGaN的制备方法。所述n型AlGaN的制备方法包括两个关键步骤，一是增大蓝宝石衬底的斜切角，二是降低n‑AlGaN层的外延温度。本发明通过使用较大斜切角的蓝宝石衬底，使得衬底表面台阶宽度变窄，如此可使得n型AlGaN生长时满足二维生长模式所需要的吸附原子扩散长度变短，为较低生长温度情况下仍然维持二维生长、并能保持较高的生长速度打开控制窗口；在此基础上再进一步降低外延n‑AlGaN层的温度，有效抑制了金属空位的形成，缓解了金属空位对电子的补偿作用，从而可在保证表面形貌原子级平整的前提下，显著提高n型AlGaN中的电子浓度，并降低电阻率。

  发布时间：2023-05-19 11:04:05

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• 一种基于坩埚下降法生长晶体的自动控制装置及控制方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN113818073A 申请号：CN202111054199.2
  发明 一种基于坩埚下降法生长晶体的自动控制装置及控制方法

  • 申请号：CN202111054199.2
  • 公开号：CN113818073A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：河南微米光学科技有限公司

  本发明涉及晶体材料生长领域，具体的涉及一种基于坩埚下降法生长晶体的自动控制装置及控制方法，包括以下步骤：步骤一：将晶体生长的原料放入坩埚中，控制垂直升降机构运行到原始位置；步骤二：通过信息输入器输入晶体生长工艺参数；步骤三：开启自动运行控制器与伺服控制器进行通讯，将相应参数输送到伺服控制器，通过伺服控制器对伺服电机进行控制；步骤四：温度感应器和位移感应器的实时数据被信息采集器实时采集；步骤五：程序运行结束后，待炉体内温度降至室温，通过垂直升降机构调节坩埚在炉体内的位置，将晶体取出。通过自动控制装置及控制方法，晶体生长操作控制更加简单方便、自动化程度高。

  发布时间：2023-07-06 10:57:32

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• 一种基于Fz法的楔形滑落晶棒夹持装置 公开日期：2024-11-19 公开号：CN112359410A 申请号：CN202011439765.7
  发明 一种基于Fz法的楔形滑落晶棒夹持装置

  • 申请号：CN202011439765.7
  • 公开号：CN112359410A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：中环领先半导体材料有限公司

  本发明公开了一种基于Fz法的楔形滑落晶棒夹持装置，包括熔炉口，所述熔炉口外圈套接固定圈，所述固定圈外侧壁三等分处螺栓连接夹持结构底端，所述夹持结构包括定位柄,所述定定位柄底端内侧螺栓连接固定圈，所述定位柄顶端固接斜块，所述斜块顶部开有槽腔，所述槽腔顶部螺栓连接限位梁，所述槽腔外侧腔口边缘螺栓连接调距结构。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明利用楔形滑落的原理，对晶棒进行物理制动，根据受力分析，使得晶棒滑出所受摩擦力与晶棒自身重力对夹持器所产生的正压力达到平衡状态，保证晶棒不会倾斜掉落；克服了人工干预制晶形状的缺点，制晶过程的稳定性，提高了效率，提高了产能。

  发布时间：2023-05-28 13:40:52

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