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• 一种可逆热致变色的二维卤化铅钙钛矿单晶及其制备方法 公开日期：2025-03-04 公开号：CN114892269A 申请号：CN202210322945.X
  发明 一种可逆热致变色的二维卤化铅钙钛矿单晶及其制备方法

  • 申请号：CN202210322945.X
  • 公开号：CN114892269A
  • 公开日期：2025-03-04
  • 申请人：上海电力大学

  本发明公开了一种可逆热致变色的二维卤化铅钙钛矿单晶，具有这样的特征，包括：有机间隔阳离子A、金属元素Pb以及卤素元素B，二维卤化铅钙钛矿单晶在温度诱导下发生晶格膨胀或晶格收缩，从而引起变色现象。本发明的二维卤化铅钙钛矿单晶经过热循环以后，其X射线衍射峰恢复到初始的高度，仅产生较少的偏移；在冷却过程中基于晶格收缩恢复颜色，因此颜色的恢复速率显著大于现有技术中的二维卤化铅钙钛矿单晶；次热循环以后能够保持原本的颜色，具有较高的热循环稳定性。本发明还公开了该二维卤化铅钙钛矿单晶的制备方法。

  发布时间：2023-05-19 11:19:38

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• 一种二氯二氧化钼二阶非线性光学晶体及其制备与应用 公开日期：2025-02-28 公开号：CN117127259A 申请号：CN202311005443.5
  发明 一种二氯二氧化钼二阶非线性光学晶体及其制备与应用

  • 申请号：CN202311005443.5
  • 公开号：CN117127259A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：同济大学

  本发明涉及一种二氯二氧化钼二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为MoO2Cl2，分子量为198.84，属于正交晶系，其空间群为Fmm2，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为与现有技术相比，本发明的二氯二氧化钼晶体材料具有优良的二阶非线性光学性能，在2100nm激光辐照下，粉末倍频强度约为KTiOPO4(KTP)的2.1倍，且能实现相位匹配。

  发布时间：2023-12-02 07:16:26

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• 一种氟代铈基硫酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用 公开日期：2025-02-28 公开号：CN116516488A 申请号：CN202310405281.8
  发明 一种氟代铈基硫酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用

  • 申请号：CN202310405281.8
  • 公开号：CN116516488A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：同济大学

  本发明涉及一种氟代铈基硫酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Ce3F4(SO4)4，分子量为880.60，属于单斜晶系，其空间群为C2，晶胞参数为α＝90°，β＝96.67°～96.87°，γ＝90°，Z＝2，晶胞体积为本发明的晶体Ce3F4(SO4)4在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的1.0倍，且在1064nm激光照射下能实现相位匹配,表明其在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。

  发布时间：2023-08-03 07:14:17

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• 一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用 公开日期：2025-02-28 公开号：CN116200801A 申请号：CN202310100468.7
  发明 一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202310100468.7
  • 公开号：CN116200801A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：复旦大学

  本发明属于半导体光电子材料技术领域，具体为一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用。本发明方法包括：配制钙钛矿前驱体溶液并保温；将微量钙钛矿前驱体溶液滴到疏水基底上；在溶液‑空气界面处自组装，控制生长时间完成晶体生长；根据原料不同可制备全结构维度的钙钛矿单晶。本发明利用十八烷基三氯硅烷来提高液滴的表面张力，相对于平面液滴，曲面液滴促进低维结构乃至三维结构钙钛矿的各向异性生长。本发明克服了现有的低温生长单晶的横纵比低和无法用于平面光电器件的问题，制备工艺简单、效率高；获得的单晶具有高品质、高横纵比等特点，在室温下发射对称的荧光峰，具有优异光电性能；可广泛用于光电探测领域。

  发布时间：2023-06-04 11:14:12

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• 一种钼酸碲双折射晶体材料及其制备和应用 公开日期：2025-02-28 公开号：CN117448967A 申请号：CN202311436907.8
  发明 一种钼酸碲双折射晶体材料及其制备和应用

  • 申请号：CN202311436907.8
  • 公开号：CN117448967A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：同济大学

  本发明涉及一种钼酸碲双折射晶体材料及其制备和应用，该材料的化学式为Mo(H2O)Te2O7，属于四方晶系，其空间群为I‑4，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝8，晶胞体积为本发明的Mo(H2O)Te2O7晶体在546nm处双折射值达到了0.53，显著大于现有商用双折射晶体的双折射效率。在1064nm激光照射下，Mo(H2O)Te2O7晶体粉末倍频效应为KH2PO4(KDP)的5.4倍，并能实现相位匹配。Mo(H2O)Te2O7晶体在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。

  发布时间：2024-01-30 07:16:54

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• 用于外延沉积的反应器及其加热方法 公开日期：2025-02-28 公开号：CN113943974A 申请号：CN202111146174.5
  发明 用于外延沉积的反应器及其加热方法

  • 申请号：CN202111146174.5
  • 公开号：CN113943974A
  • 公开日期：2025-02-28
  • 申请人：洛佩诗公司

  本申请涉及一种用于外延沉积的反应器(1)及其加热方法。反应器(1)包括承受器(2)和感应器(4)；感应器(4)适于在其被通电时通过电磁感应加热承受器(2)；感应器(4)包括多个匝(41‑47)；在承受器(2)从第一温度加热到第二温度期间，感应器(4)的一匝或更多匝(43)相对于承受器(2)和感应器(4)的其他匝的位置改变。匝(43)借助于适当的致动系统(61，62，63)来致动。

  发布时间：2023-04-23 09:18:06

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• 化合物半导体基板 公开日期：2025-02-21 公开号：CN113227467A 申请号：CN201980086082.7
  PCT发明 化合物半导体基板

  • 申请号：CN201980086082.7
  • 公开号：CN113227467A
  • 公开日期：2025-02-21
  • 申请人：爱沃特株式会社

  提供能够降低含Al(铝)的氮化物半导体层内的穿透位错的化合物半导体基板。一种化合物半导体基板，具备：Si(硅)基板；第1的Al氮化物半导体层，其被形成于Si基板之上，是Al浓度沿着厚度方向随着从Si基板远离而减少的倾斜层；GaN(氮化镓)层，其被形成于第1的Al氮化物半导体层之上，具有比第1的Al氮化物半导体层的平均Al浓度低的平均Al浓度；第2的Al氮化物半导体层，其被形成于GaN层之上，具有比GaN层的平均Al浓度高的平均Al浓度。第2的Al氮化物半导体层内的厚度方向的任意位置处的穿透位错密度比第1的Al氮化物半导体层内的厚度方向的任意位置处的穿透位错密度低。

  发布时间：2023-06-16 07:28:41

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• 碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法 公开日期：2025-02-18 公开号：CN114174569A 申请号：CN202080046408.6
  PCT发明 碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法

  • 申请号：CN202080046408.6
  • 公开号：CN114174569A
  • 公开日期：2025-02-18
  • 申请人：信越半导体株式会社

  本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序；在进行所述第二RTA处理后，冷却所述单晶硅晶圆的工序；及在进行所述冷却后，进行第三RTA处理的工序，通过这些工序，将所述单晶硅晶圆改质成从表面侧起依次具有3C‑SiC单晶层、碳析出层、间隙碳与硅的扩散层、及空位与碳的扩散层。由此，提供可通过将单晶硅晶圆的表层的碳浓度设定为高浓度、并使表面的碳浓度分布均匀而提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。

  发布时间：2023-04-27 13:30:34

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• 一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法 公开日期：2025-02-18 公开号：CN114318495A 申请号：CN202111581919.0
  发明 一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法

  • 申请号：CN202111581919.0
  • 公开号：CN114318495A
  • 公开日期：2025-02-18
  • 申请人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司|||云南鑫耀半导体材料有限公司|||云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

  本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5，改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。

  发布时间：2023-05-06 10:00:59

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• 一种碲酸铌锂化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途 公开日期：2025-02-18 公开号：CN115717271A 申请号：CN202110982033.0
  发明 一种碲酸铌锂化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途

  • 申请号：CN202110982033.0
  • 公开号：CN115717271A
  • 公开日期：2025-02-18
  • 申请人：中国科学院福建物质结构研究所|||闽都创新实验室

  本发明涉及一种碲酸铌锂化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途，所述碲酸铌锂化合物的化学式为LiNbTeO5。具体的，所述碲酸铌锂化合物为多晶粉末，或者为非线性光学晶体，该碲酸铌锂非线性光学晶体具有宽的透过范围，强的倍频效应，高的激光损伤阈值，物化性能稳定，不易潮解，易于切割、抛光加工和保存。

  发布时间：2023-06-10 07:14:02

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