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• 一种单晶炉的组合套筒及单晶炉 公开日期：2024-08-16 公开号：CN114197034A 申请号：CN202010909017.4
  发明 一种单晶炉的组合套筒及单晶炉

  • 申请号：CN202010909017.4
  • 公开号：CN114197034A
  • 公开日期：2024-08-16
  • 申请人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司|||西安奕斯伟硅片技术有限公司

  本发明提供一种单晶炉的组合套筒及单晶炉，所述组合套筒包括：内筒、外筒、环形底盘和套管，所述内筒呈倒锥形，所述内筒的上端与所述外筒的上端连接，所述外筒的下端与所述环形底盘的外缘部密封连接，所述内筒的下端与所述环形底盘的上表面固定连接，所述套管穿设固定于所述环形底盘的环口内。根据本发明实施例的组合套筒，在保持硅熔液固、液气三相交界点稳定的前提下，保证惰性气体有序稳定地从硅熔液表面掠过，在带走一氧化硅气体的同时，可以使硅熔液部分热量向晶棒表面传输，减小了晶棒下端的边缘轴向温度差以及边缘轴向温度差与中心轴向温度差的差值，使其接近于理想值，使得晶棒快速度过缺陷形核长大的温度区间，最终制得高品质的晶棒。

  发布时间：2023-04-28 09:55:57

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• 一种双发热体结构的大尺寸晶体生长装置和方法 公开日期：2024-08-16 公开号：CN114318496A 申请号：CN202111645254.5
  发明 一种双发热体结构的大尺寸晶体生长装置和方法

  • 申请号：CN202111645254.5
  • 公开号：CN114318496A
  • 公开日期：2024-08-16
  • 申请人：南京光宝晶体科技有限公司

  本发明提供一种双发热体结构的大尺寸晶体生长装置，包括用于生长大尺寸晶体的晶体生长室、保温以形成温场的温场结构以及为大尺寸晶体生长提供真空生长环境的炉膛结构，温场结构由至少一保温层层叠结合且密闭形成，每个保温层由复数子保温层拼接而成，保温层的中心沿与其径向相对平行方向设置有发热体组件，发热体组件贯穿保温层；晶体生长室基于驱动机构沿温场结构轴向方向发生位移。本发明通过由内外两只发热体构建的双发热体结构，分别在发热体的外侧、顶部和底部分别安装有钨钼反射屏或保温层的方式，使得整个温场区域形成一个温区，构建出晶体生长的核心因素，可以得到结晶高度更高、品质更稳定的晶体。

  发布时间：2023-05-06 10:05:19

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• 一种籽晶铺设方法、单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭 公开日期：2024-08-16 公开号：CN113373503A 申请号：CN202010156644.5
  发明 一种籽晶铺设方法、单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭

  • 申请号：CN202010156644.5
  • 公开号：CN113373503A
  • 公开日期：2024-08-16
  • 申请人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司|||江西赛维LDK太阳能高科技有限公司

  本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法，用于单晶硅锭的铸造，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，所述籽晶层由三种籽晶错位拼接形成，每种所述籽晶分别至少包括一块；其中，所述三种籽晶的生长面晶向相同，所述三种籽晶的侧面晶向不同，所述生长面晶向为<001>、<011>或<111>；当所述三种籽晶的其中一种籽晶包括多块时，多块所述一种籽晶之间互不接触。由所述籽晶铺设方法铺设的籽晶层，能有利于减少晶体位错比例，提高硅锭的质量。本申请还提供了一种单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭。

  发布时间：2023-06-23 07:38:37

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• 碳化硅晶体生长方法和长晶装置 公开日期：2024-08-16 公开号：CN116815319A 申请号：CN202310770372.1
  发明 碳化硅晶体生长方法和长晶装置

  • 申请号：CN202310770372.1
  • 公开号：CN116815319A
  • 公开日期：2024-08-16
  • 申请人：通威微电子有限公司

  本发明的实施例提供了一种碳化硅晶体生长方法和长晶装置涉及半导体及时领域。碳化硅晶体生长方法包括以下步骤：(1)组装阶段；(2)除杂升温阶段；(3)形核阶段：根据第一温度传感器和第二温度传感器的温度得到坩埚顶部的边缘与中心的实际温差；依据实际温差和第一预设温差范围控制修饰加热器向着远离坩埚或靠近坩埚的方向移动，以使坩埚顶部的中心与边缘的实际温差在第一温差预设范围内，且使坩埚顶部中心的温度低于边缘的温度，让碳化硅原料气相传输至籽晶处形核；(4)生长阶段。其能够在形核阶段更好地调节籽晶区环形温场，以提高了晶体生长质量与生长速率。

  发布时间：2023-10-01 07:17:43

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• 一种具有室温多场耦合特性的单相磁电共晶的制备方法及其传感应用 公开日期：2024-08-16 公开号：CN117448937A 申请号：CN202311404631.5
  发明 一种具有室温多场耦合特性的单相磁电共晶的制备方法及其传感应用

  • 申请号：CN202311404631.5
  • 公开号：CN117448937A
  • 公开日期：2024-08-16
  • 申请人：浙江大学

  本发明公开了一种具有室温多场耦合特性的单相磁电共晶的制备方法及其传感应用。共晶材料主要由给体和受体分子混合制备形成；方法包括将有机给体分子和有机受体分子添加到特定溶剂中，形成有机给体‑受体混合溶液，混合溶液经搅拌、静置后初步析出晶核，然后将析出晶核的混合溶液滴加到衬底上，使得混合溶液在密封的培养皿中静置反应得到饱和溶液，饱和溶液在一定温度下析晶，以得到厘米级的大尺寸单相磁电共晶材料；共晶材料用于制备多功能传感器。本发明的有机共晶可以溶液法大面积制备，利于柔性器件集成，将促进磁电功能材料的发展，推动其在柔性传感器、人工智能等领域的发展和应用。

  发布时间：2024-01-30 07:15:58

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• 一种相比例可控TiAl单晶及其调控方法 公开日期：2024-08-13 公开号：CN116121876A 申请号：CN202310137034.4
  发明 一种相比例可控TiAl单晶及其调控方法

  • 申请号：CN202310137034.4
  • 公开号：CN116121876A
  • 公开日期：2024-08-13
  • 申请人：燕山大学

  本发明提供了一种相比例可控TiAl单晶及其调控方法，属于金属材料热处理技术领域。本发明在高真空度(<10‑4Pa)下，将TiAl单晶依次进行升温、保温和冷却；保温温度为900～1340℃，时间为3～100h。发现通过热处理温度与时间的有效结合，可以将原始样品中占比15％的α2相最多调控至40％，最少调控至5％，并且可以达到往复调控的效果。力学性能也可以进行有效调控，抗拉强度的调控范围为617～1174MPa，伸长率为2.6～15.7％。这是由于在热处理过程中TiAl单晶中的元素扩散以及两相转变导致。

  发布时间：2023-05-18 12:21:18

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• 键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法 公开日期：2024-08-13 公开号：CN115821397A 申请号：CN202211654472.X
  发明 键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法

  • 申请号：CN202211654472.X
  • 公开号：CN115821397A
  • 公开日期：2024-08-13
  • 申请人：燕山大学

  本发明公开了键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体铜单晶之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现：将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下，在小于20MPa的压力下在550～650℃下保温0.5～2h后可实现无再结晶的大块铜单晶样品有效焊合。通过TEM高分辨分析进一步证实了大块铜单晶之间首次实现了原子级的扩散键合。本发明操作方法简单、节能环保、可进行批量压焊处理，从而得到无明显焊缝原子级键合态铜单晶体。

  发布时间：2023-05-29 07:03:06

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• 一种GaN单晶衬底的制备方法 公开日期：2024-08-13 公开号：CN117552111A 申请号：CN202311533965.2
  发明 一种GaN单晶衬底的制备方法

  • 申请号：CN202311533965.2
  • 公开号：CN117552111A
  • 公开日期：2024-08-13
  • 申请人：东南大学苏州研究院

  本发明公开了一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：在基板上依次生长阻挡层、第一键合层，在衬底上依次生长GaN外延薄膜、第二键合层；将第一键合层与第二键合层键合，形成键合层，去除衬底，得到自下而上的基板、阻挡层、键合层、GaN外延薄膜；通过湿法腐蚀使得GaN外延薄膜远离键合层的一侧表面形成具有(10‑11)晶面的GaN岛；在GaN岛上，采用HVPE法在800～1000℃生长GaN，形成GaN厚膜；通过HF或BOE法腐蚀去掉键合层，将基板与GaN厚膜分离；对GaN厚膜做表面研磨、抛光处理。本发明基板与GaN厚膜的热膨胀系数一致，不存在失配，长厚时不容易碎裂，能够制备大尺寸GaN单晶。

  发布时间：2024-02-15 07:48:58

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• 一种高质量的错配层化合物的制备方法 公开日期：2024-08-13 公开号：CN115787078A 申请号：CN202211657123.3
  发明 一种高质量的错配层化合物的制备方法

  • 申请号：CN202211657123.3
  • 公开号：CN115787078A
  • 公开日期：2024-08-13
  • 申请人：电子科技大学

  本发明的目的在于提供一种高质量的错配层化合物(SnS)1.17NbS2的制备方法，属于二维材料制备技术领域。该方法以碘作为输运剂，并对材料生长环境进行特殊性设计，创新设计了“套娃”生长空间形式，能够增大整个生长环境的比热容并有效减小生长过程中的温度波动，从而使错配层化合物(SnS)1.17NbS2的生长更稳定，制备得到的材料质量更高。本发明生长出的错配层化合物(SnS)1.17NbS2单晶外观上呈现层状结构，层堆积结构清晰，组分均匀，性能优异，可作为高质量的超导材料应用于电力输运、光学探测、精密仪表制备等领域。

  发布时间：2023-06-07 23:08:47

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• 纳米线网络 公开日期：2024-08-13 公开号：CN114901874A 申请号：CN202080079654.1
  PCT发明 纳米线网络

  • 申请号：CN202080079654.1
  • 公开号：CN114901874A
  • 公开日期：2024-08-13
  • 申请人：IMDEA材料基金会

  本发明涉及一种制备纳米线网络的方法；涉及一种通过所述方法得到的纳米线网络；涉及一种包含所述纳米线网络的非织造材料，涉及一种包括所述纳米线网络的电极、一种包含所述纳米线网络的药物组合物；涉及所述纳米线网络的用途和所述非织造材料的用途。

  发布时间：2023-05-19 11:17:09

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