单晶体直径控制方法及装置、单晶硅拉晶炉

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114990688 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202210751316.9 (22)申请日 2022.06.28 (71)申请人 西安奕斯伟材料科技有限公司 地址 710000 陕西省西安市高新区西沣南 路1888号1-3-029室 (72)发明人 毛勤虎　 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 专利代理师 张博 (51)Int.Cl. C30B 15/20 (2006.01) C30B 15/26 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 单晶体直径控制方法及装置、单晶硅拉晶炉 (57)摘要 本发明提供了一种单晶体直径控制方法及 装置、单晶硅拉晶炉，属于半导体技术领域。单晶 体直径控制装置包括：直径检测模块，用于对所 述多晶熔液和晶体的交界处进行图像采样，获得 原始图像，对所述原始图像进行二值化处理，得 到黑白图像，计算所述黑白图像中白色区域与黑 色区域的面积比例，根据所述面积比例得到所述 晶体的直径数据值；控制模块，用于将所述直径 数据值与预设直径数据值进行比较，并根据比较 结果控制所述籽晶提拉结构的晶体提拉速度和/ 或所述加热器的功率。本发明能够监控晶体生成 过程中晶体的直径，保证晶体品质的稳定可控 A 性。 8 8 6 0 9 9 4 1 1 N C CN 114990688 A