基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115029783 A (43)申请公布日 2022.09.09 (21)申请号 202210496774.2 C30B 11/00 (2006.01) (22)申请日 2022.05.09 (71)申请人 云南鑫耀半导体材料有限公司 地址 650000 云南省昆明市高新区电子工 业标准厂房A栋1楼 申请人 云南中科鑫圆晶体材料有限公司　 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 (72)发明人 韩家贤　邱锋　许天　惠峰　韦华　 赵兴凯　王顺金　柳廷龙　刘汉保　 黄平　何永彬　叶晓达　 (74)专利代理机构 昆明祥和知识产权代理有限 公司 53114 专利代理师 和琳 (51)Int.Cl. C30B 29/40 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方 法 (57)摘要 基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方 法，涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长 装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长 装置，由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系 统和坩埚下降装置组成，所述生长方法，包括装 料、装炉、化料、接籽晶、放肩、等径生长、冷却退 火步骤。所述的装料容器分为上坩埚、下坩埚和 石英安瓿瓶，利用锥形料、圆饼料和梯型料合理