晶体硅的制备方法、装置、电子设备及存储介质

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115029772 A (43)申请公布日 2022.09.09 (21)申请号 202110235676.9 (22)申请日 2021.03.03 (71)申请人 晶科能源股份有限公司 地址 334100 江西省上饶市经济开发区晶 科大道1号 申请人 浙江晶科能源有限公司 (72)发明人 万雪健　杨俊　白枭龙　 (74)专利代理机构 上海晨皓知识产权代理事务 所(普通合伙) 31260 专利代理师 成丽杰 (51)Int.Cl. C30B 15/28 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图3页 (54)发明名称 晶体硅的制备方法、装置、电子设备及存储 介质 (57)摘要 本发明实施例提供一种晶体硅的制备方法， 包括：获取关系模型，其中，所述关系模型的变量 因子包括晶体的重量、晶体的长度、垂直于晶体 提拉方向的截面的直径；获取晶体生长过程中的 收尾工序中多个时刻下的晶体的重量和晶体的 长度；其中，对于所述多个时刻中的每一时刻，基 于晶体的当前重量、晶体的当前长度以及所述关 系模型，计算晶体的当前直径；检测所述晶体的 当前直径是否达到预设阈值；若检测到所述晶体 的当前直径达到预设阈值，结束所述收尾工序。 本发明实施例有利于对收尾过程中晶体的状态 A 进行准确的估计，从而稳定、准确且高效地完成 2 收尾工序。 7 7 9 2 0 5