一种用于气相升华法制备碳化硅单晶的坩埚装置

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114990690 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202210765802.6 (22)申请日 2022.06.30 (71)申请人 武汉大学 地址 430072 湖北省武汉市武昌区八一路 299号 (72)发明人 宋伯韬　高冰　韩鹏飞　于越　 (74)专利代理机构 武汉科皓知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 42222 专利代理师 李婉君 (51)Int.Cl. C30B 23/00 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种用于气相升华法制备碳化硅单晶的坩 埚装置 (57)摘要 本发明提供一种用于气相升华法制备碳化 硅单晶的坩埚装置，包括坩埚主体和坩埚顶盖， 所述坩埚主体内含空腔，所述空腔内底部收纳有 碳化硅粉源，所述坩埚顶盖位于坩埚主体上方封 口处，所述坩埚顶盖朝向坩埚主体的一面包括籽 晶，所述坩埚主体内侧壁设置有具有导热作用的 附加粉源收纳块，所述附加粉源收纳块为具有多 孔材料性质的固体石墨容器且其至少有一个面 朝向空腔，所述附加粉源收纳块内收纳有单质硅 粉源或单质碳粉源。本发明结构简单，可调节坩 埚内的气相组分的含量，维持气相中各物质组分 A 的平衡，减少晶体结晶过程中因气相组分分布不 0 均匀而造成的结晶缺陷，实现碳化硅单晶快速而 9 6 0 高质量生长。 9 9 4 1 1