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• 聚合物电池铜集流体及其制备方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN117684127A 申请号：CN202311778686.2
  发明 聚合物电池铜集流体及其制备方法

  • 申请号：CN202311778686.2
  • 公开号：CN117684127A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：博研嘉信（北京）科技有限公司

  本发明提供一种聚合物电池铜集流体的制备方法，属于铜箔集流体的表面改性技术领域，该制备方法，将硝酸锌、硝酸铝、丙烯酰胺和N‑N’亚甲基双丙烯酰胺配置成溶液，加入引发剂后反应得到凝胶，将凝胶干燥得到AZO前驱体；再将AZO前驱体煅烧后得到AZO粉体；将AZO粉体与无水乙醇混合后进行球磨，然后蒸发乙醇并制成靶材胚体，再经烧结获得AZO靶材；最后使用AZO靶材对铜箔表面进行溅射镀膜，得到聚合物电池铜集流体。制备得到高纯度、高密度的AZO靶材，用其对铜箔进行表面修饰改性，形成的AZO修饰层厚度小，能够在不影响界面阻抗的情况下促进锂离子在箔材表面的均匀分布。

  发布时间：2024-03-18 07:27:23

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• 一种晶圆镀液的快速降温设备 公开日期：2024-11-19 公开号：CN116641045A 申请号：CN202310628126.2
  发明 一种晶圆镀液的快速降温设备

  • 申请号：CN202310628126.2
  • 公开号：CN116641045A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：苏州尊恒半导体科技有限公司

  本发明公开了一种晶圆镀液的快速降温设备，涉及晶圆镀液降温技术领域，包括固定槽，所述固定槽的两侧内壁均开设有转动孔，两个所述转动孔内分别转动连接有转动管和从动管。本发明通过循环冷却单元的设置，水泵将水箱中的水抽出并通过固定管导入冷却箱内，冷却箱将水冷却后通过出水管和从动管导入连接管内，然后通过转动管和进水管流回水箱内，进而能够对晶圆镀液进行循环水冷，通过风冷单元的设置，旋叶转动能够将晶圆镀液推送固定筒的顶部，然后晶圆镀液从固定筒的出料口排出进入出料通道上，实现了对晶圆镀液进行翻料，使得晶圆镀液的出料过程能够充分与空气接触，配合转动扇叶104对晶圆镀液的吹风散热，从而提高了对晶圆镀液进行冷却效果。

  发布时间：2023-08-31 07:25:34

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• 真空泵 公开日期：2024-11-19 公开号：CN113445016A 申请号：CN202010231130.1
  发明 真空泵

  • 申请号：CN202010231130.1
  • 公开号：CN113445016A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：信强(宁波)半导体设备制造有限公司

  本发明公开一种真空泵包括二个转子、汽缸以及旋转驱动结构。该汽缸包括一汽缸壁。该两转子设于该汽缸，该两转子皆包括爪部与凹陷部，凹陷部设于爪部并与汽缸壁形成一闪避空间。旋转驱动结构包括一槽体、多个磁性柱、二个磁性旋转柱和多个电磁线圈。二个磁性旋转柱位于槽体内并分别与两转子枢接。各磁性柱皆包括一第一连接端、一第二连接端、一第一侧边以及一第二侧边，其中各磁性柱分散设置并与槽体以第一连接端连接，且第二连接端环绕两磁性旋转柱。各电磁线圈是分散设各第一侧边及各第二侧边并紧靠槽体。

  发布时间：2023-06-23 08:25:25

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• 一种模块化旋转式空间原子层沉积系统 公开日期：2024-11-19 公开号：CN113174589A 申请号：CN202110550084.6
  发明 一种模块化旋转式空间原子层沉积系统

  • 申请号：CN202110550084.6
  • 公开号：CN113174589A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：北京态锐仪器科技有限公司

  本发明涉及空间原子层沉积技术领域，提供了一种模块化旋转式空间原子层沉积系统，包括：第一壳体，第一壳体是由多个相同的可拆卸相连的单元腔室组合而成的环形结构，每个单元腔室内均间隔设有多个隔断以将单元腔室分割成多个功能区域腔；多段传动导轨，多段传动导轨上设有多个用于放置晶圆的托盘，多个托盘一一对应地与多个单元腔室相对应，每一段传动导轨设置在第一壳体内的每一个单元腔室中，当单元腔室组合成第一壳体时，多段传动导轨形成闭环，以使多个托盘在多个单元腔室内循环移动；通过将第一壳体设置成环形结构，具有空间紧凑，本系统可以将系统配件放置在环形中央，利于产线布局。

  发布时间：2023-06-16 07:14:42

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• 一种补热系统装置 公开日期：2024-11-19 公开号：CN112538616A 申请号：CN202011391177.0
  发明 一种补热系统装置

  • 申请号：CN202011391177.0
  • 公开号：CN112538616A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：福建康碳复合材料科技有限公司|||内蒙古康碳复合材料科技有限公司

  本发明公开一种补热系统装置，包括顶部进气盖、导气圆饼、导气支撑圆饼和出气底盒匹配形成的圆柱形走气石墨盒；出气底盒底部沿圆周均匀设有若干出气孔，导气支撑圆饼匹配置于出气底盒上，且中间位置设有通孔，导气圆饼置于导气支撑圆饼上，天然气从顶部进气盖进入后，进行S型走气，从出气底盒底部出气孔出气，本发明在温度梯度下，使炉内温区上下均衡，流场稳定，使天然气加快裂解，产品快速增密，最终达到一个提高产品合格率的效果。

  发布时间：2023-06-02 13:22:28

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• 区域选择性原子层沉积方法及工具 公开日期：2024-11-19 公开号：CN114729445A 申请号：CN202080078814.0
  PCT发明 区域选择性原子层沉积方法及工具

  • 申请号：CN202080078814.0
  • 公开号：CN114729445A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：荷兰应用自然科学研究组织TNO

  本发明涉及一种原子层沉积装置，用于将目标材料层区域选择性地沉积在衬底表面的沉积区域上，该衬底表面还包括非沉积区域。在使用中，衬底沿着多个沉积空间和隔离剂空间传送，所述多个沉积空间和隔离剂空间包括至少两个气体隔离剂空间，所述气体隔离剂空间至少提供有隔离剂气体入口和隔离剂排放部，用于在使用中使衬底暴露于隔离剂气流。其中所述气体隔离剂空间中的至少一个形成组合的隔离剂‑抑制剂气流，所述组合的隔离剂‑抑制剂气流包括隔离剂气体和抑制剂成分。所述抑制剂成分选择性地粘附到所述非沉积区域以形成抑制层，减少前体成分的吸附。在优选的实施方式中，该装置包括回蚀刻空间，以增加沉积工艺的选择性。

  发布时间：2023-05-15 11:17:23

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• 一种高温热阻涂层及其制备方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN116083850A 申请号：CN202310023726.6
  发明 一种高温热阻涂层及其制备方法

  • 申请号：CN202310023726.6
  • 公开号：CN116083850A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：北京航空航天大学

  本发明公开了一种气相‑液相共沉积的多界面超高温高反射率阻热辐射涂层的制备方法及涂层，选择Yb掺杂Gd2Zr2O7的锆酸钆粉末和高反射率LSF粉末；GYbZ粉末粒径小于LSF粉末粒径；利用PS‑PVD设备，采用双送粉口同时输送GYbZ粉末和LSF粉末，GYbZ粉末的送粉速率大于LSF粉末的送粉速率，在工件表面制备气相‑液相共沉积的多界面阻热辐射陶瓷涂层；制备过程中为GYbZ的气相柱状晶沉积和所述LSF的液相扁平液滴共同沉积；涂层结构包括均匀弥散分布在柱状晶结构的多层水平横向微界面，本发明涂层的多层界面可以提高涂层对红外热辐射的反射能力，同时具备均匀的热物理性质，提供了优秀的涂层结合力。

  发布时间：2023-05-12 11:12:07

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• 半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质 公开日期：2024-11-19 公开号：CN114318298A 申请号：CN202111082924.7
  发明 半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质

  • 申请号：CN202111082924.7
  • 公开号：CN114318298A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：株式会社国际电气

  本发明是半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质。通过抑制由在处理容器内形成的膜引起的颗粒产生，延长清洁周期，提高成膜处理的生产率。本发明具有：(a)向处理容器内搬入基板的工序，(b)在处理容器内进行以下处理的工序，即，通过将对基板由第一供给部供给原料气体的工序和对基板由第二供给部供给反应气体的工序交替或同时进行预定次数，在基板上形成膜的处理，(c)从处理容器内搬出处理后的基板的工序和(d)在从处理容器内搬出处理后的基板后的状态下，使(b)中在处理容器内形成的膜的至少一部分氧化而变成氧化膜的工序，在(d)中，向处理容器内供给含氧气体和含氢气体，同时向第一供给部供给含氢气体。

  发布时间：2023-05-06 09:52:52

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• 铝合金料纹去除剂及其制备方法和应用 公开日期：2024-11-19 公开号：CN114016032A 申请号：CN202111305161.8
  发明 铝合金料纹去除剂及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202111305161.8
  • 公开号：CN114016032A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：广州波耳化工科技有限公司

  本发明属于铝合金技术领域，具体涉及一种铝合金料纹去除剂及其制备方法和应用。本发明的铝合金料纹去除剂，由以下质量百分比的原料组成：磷酸40％‑70％、硫酸16％‑33％、硫酸铜3％‑11％、硫酸铁0.1％‑2％、硫酸镍0.1％‑2％、硫酸铝0.5％‑6％、水5％‑10％、硝酸0.1％‑1％、甘油1％‑4％。本发明的铝合金料纹去除剂可以减少机械打磨强度，减少打磨费用。而且去料纹处理时间短，单位时间可同时处理大量的产品，可以提高生产效率。本发明适合处理平面、非平面的产品，尤其是异型型材的缺陷料纹，能够大幅降低料纹引起的不良率，经本发明处理的铝制品的不良率低于5％。

  发布时间：2023-04-25 09:30:10

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• 自激非零位振荡高功率脉冲技术制备3D网络互穿二硫化钼薄膜的方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN115786848A 申请号：CN202211558856.1
  发明 自激非零位振荡高功率脉冲技术制备3D网络互穿二硫化钼薄膜的方法

  • 申请号：CN202211558856.1
  • 公开号：CN115786848A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：中国科学院兰州化学物理研究所

  本发明公开了一种利用自激非零位振荡高功率微脉冲磁控溅射技术制备3D网络互穿二硫化钼薄膜的方法，属于真空镀膜技术领域和摩擦学领域。本发明采用真空自激非零位振荡高功率微脉冲磁控溅射技术，在基材表面沉积依次沉积TiN过渡层和3D网络互穿二硫化钼薄膜。TiN过渡层使得3D网络互穿二硫化钼薄膜与基底具有良好的结合力，获得的3D网络互穿二硫化钼薄膜具有高致密度和低缺陷，有效提高了3D网络互穿二硫化钼薄膜的承载能力和抗磨损性，提升了薄膜的摩擦寿命，具有优良的摩擦学性能。

  发布时间：2023-06-07 23:06:11

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