一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法
- 申请专利号:CN202210668707.4
- 公开(公告)日:2023-06-23
- 公开(公告)号:CN115012037A
- 申请人:广德特旺光电材料有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115012037 A (43)申请公布日 2022.09.06 (21)申请号 202210668707.4 (22)申请日 2022.06.14 (71)申请人 广德特旺光电材料有限公司 地址 242200 安徽省宣城市广德市新杭经 济开发区广德特旺光电材料有限公司 (72)发明人 侯闽渤 (74)专利代理机构 合肥市长远专利代理事务所 (普通合伙) 34119 专利代理师 余婧 (51)Int.Cl. C30B 29/12 (2006.01) C30B 7/14 (2006.01) C30B 28/04 (2006.01) C01F 5/28 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 (54)发明名称 一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高纯度氟化镁晶体材料 的制备方法,将菱镁矿粉先经过高温煅烧得到轻 烧矿粉,然后用质量浓度为15‑20%的氯化铵溶 液加热处理,得到含镁钙离子的浸出液,将其与 表面活性剂混合均匀后用氨水沉淀,得到的滤渣 再用质量浓度为5‑8%的氯化铵溶液处理除去钙 离子,经过高温煅烧后,得到的粉体与适量水混 合均匀,然后加入氢氟酸反应得到高纯度氟化镁 晶体材料。本发明的制备工艺简单,制得的氟化 镁晶体材料具有高纯度,能够符合光学镀膜用材 料的性能要求。 A 7 3 0 2 1 0 5 1 1 N C
最新专利
- 一种加热装置及单晶炉公开日期:2025-05-30公开号:CN117305973A申请号:CN202311315505.2一种加热装置及单晶炉
- 发布时间:2024-01-06 07:15:560
- 申请号:CN202311315505.2
- 公开号:CN117305973A
- 一种键合晶体及其制备方法公开日期:2025-05-30公开号:CN115747970A申请号:CN202211577622.1一种键合晶体及其制备方法
- 发布时间:2023-06-07 22:17:160
- 申请号:CN202211577622.1
- 公开号:CN115747970A
- 化合物氯硫镓铯和氯硫镓铯红外非线性光学晶体及制备方法和应用公开日期:2025-05-27公开号:CN116903027A申请号:CN202310856946.7化合物氯硫镓铯和氯硫镓铯红外非线性光学晶体及制备方法和应用
- 发布时间:2023-10-22 07:30:280
- 申请号:CN202310856946.7
- 公开号:CN116903027A
- 单炉多层流化熔融炉公开日期:2025-05-23公开号:CN112813504A申请号:CN202110143505.3单炉多层流化熔融炉
- 发布时间:2023-06-07 12:43:100
- 申请号:CN202110143505.3
- 公开号:CN112813504A
- 自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法公开日期:2025-05-23公开号:CN116145230A申请号:CN202310185380.X自支撑大面积六方氮化硼单晶及其制备方法
- 发布时间:2023-05-28 11:49:130
- 申请号:CN202310185380.X
- 公开号:CN116145230A
- 一种低温溶液法生长SiC晶体的方法公开日期:2025-05-23公开号:CN116145258A申请号:CN202211106371.9一种低温溶液法生长SiC晶体的方法
- 发布时间:2023-05-28 11:41:390
- 申请号:CN202211106371.9
- 公开号:CN116145258A