发明

一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法

2023-06-30 07:00:54 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202210668707.4
  • 公开(公告)日:2023-06-23
  • 公开(公告)号:CN115012037A
  • 申请人:广德特旺光电材料有限公司
摘要:本发明公开了一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法,将菱镁矿粉先经过高温煅烧得到轻烧矿粉,然后用质量浓度为15‑20%的氯化铵溶液加热处理,得到含镁钙离子的浸出液,将其与表面活性剂混合均匀后用氨水沉淀,得到的滤渣再用质量浓度为5‑8%的氯化铵溶液处理除去钙离子,经过高温煅烧后,得到的粉体与适量水混合均匀,然后加入氢氟酸反应得到高纯度氟化镁晶体材料。本发明的制备工艺简单,制得的氟化镁晶体材料具有高纯度,能够符合光学镀膜用材料的性能要求。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115012037 A (43)申请公布日 2022.09.06 (21)申请号 202210668707.4 (22)申请日 2022.06.14 (71)申请人 广德特旺光电材料有限公司 地址 242200 安徽省宣城市广德市新杭经 济开发区广德特旺光电材料有限公司 (72)发明人 侯闽渤  (74)专利代理机构 合肥市长远专利代理事务所 (普通合伙) 34119 专利代理师 余婧 (51)Int.Cl. C30B 29/12 (2006.01) C30B 7/14 (2006.01) C30B 28/04 (2006.01) C01F 5/28 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 (54)发明名称 一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高纯度氟化镁晶体材料 的制备方法,将菱镁矿粉先经过高温煅烧得到轻 烧矿粉,然后用质量浓度为15‑20%的氯化铵溶 液加热处理,得到含镁钙离子的浸出液,将其与 表面活性剂混合均匀后用氨水沉淀,得到的滤渣 再用质量浓度为5‑8%的氯化铵溶液处理除去钙 离子,经过高温煅烧后,得到的粉体与适量水混 合均匀,然后加入氢氟酸反应得到高纯度氟化镁 晶体材料。本发明的制备工艺简单,制得的氟化 镁晶体材料具有高纯度,能够符合光学镀膜用材 料的性能要求。 A 7 3 0 2 1 0 5 1 1 N C

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