化学/冶金
- C01 无机化学;
- C02 水、废水、污水或污泥的处理;
- C03 玻璃;矿棉或渣棉;
- C04 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
- C05 肥料;肥料制造〔4〕;
- C06 炸药;火柴;
- C07 有机化学〔2〕;
- C08 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物;
- C09 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用;
- C10 石油、煤气及炼焦工业;含一氧化碳的工业气体;燃料;润滑剂;泥煤;
- C11 动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡;由此制取的脂肪酸;洗涤剂;蜡烛;
- C12 生物化学;啤酒;烈性酒;果汁酒;醋;微生物学;酶学;突变或遗传工程;
- C13 糖工业〔4〕;
- C14 使用化学药剂、酶类或微生物处理小原皮、大原皮或皮革的工艺,如鞣制、浸渍或整饰;其所用的设备;鞣制组合物(皮革或毛皮的漂白入D06L;皮革或毛皮的染色入D06P);
- C21 铁的冶金;
- C22 冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理;
- C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
- C25 电解或电泳工艺;其所用设备〔4〕;
- C30 晶体生长〔3〕;
- C40 组合技术〔8〕;
- C99 本部其他类目不包括的技术主题〔8〕;
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最新专利
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晶体生长装置 公开日期:2023-12-19 公开号:CN114990695A 申请号:CN202210704600.0晶体生长装置
- 申请号:CN202210704600.0
- 公开号:CN114990695A
- 公开日期:2023-12-19
- 申请人:成都东骏激光股份有限公司
本申请提供一种晶体生长装置,涉及功能材料领域,包括炉体、籽晶杆、坩埚单元和加热单元,坩埚单元与加热单元均设于炉体内,加热单元用于调节炉体内温度;坩埚单元包括保温罩、金属坩埚、内层耐高温坩埚、外层耐高温坩埚和垫块,金属坩埚嵌设于内层耐高温坩埚内,内层耐高温坩埚嵌设于外层耐高温坩埚内,垫块支撑于内层耐高温坩埚和外层耐高温坩埚之间;保温罩同时罩设于金属坩埚、内层耐高温坩埚、外层耐高温坩埚的开口侧;保温罩设有提拉孔,籽晶杆穿设于提拉孔内且与提拉孔活动配合。运行时,该结构能够减小晶体生长过程中坩埚的形变量,坩埚不易被损坏,使用寿命长,成本低。- 发布时间:2023-12-21 07:00:06
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单晶体直径控制方法及装置、单晶硅拉晶炉 公开日期:2024-01-26 公开号:CN114990688A 申请号:CN202210751316.9单晶体直径控制方法及装置、单晶硅拉晶炉
- 申请号:CN202210751316.9
- 公开号:CN114990688A
- 公开日期:2024-01-26
- 申请人:西安奕斯伟材料科技股份有限公司
本发明提供了一种单晶体直径控制方法及装置、单晶硅拉晶炉,属于半导体技术领域。单晶体直径控制装置包括:直径检测模块,用于对所述多晶熔液和晶体的交界处进行图像采样,获得原始图像,对所述原始图像进行二值化处理,得到黑白图像,计算所述黑白图像中白色区域与黑色区域的面积比例,根据所述面积比例得到所述晶体的直径数据值;控制模块,用于将所述直径数据值与预设直径数据值进行比较,并根据比较结果控制所述籽晶提拉结构的晶体提拉速度和/或所述加热器的功率。本发明能够监控晶体生成过程中晶体的直径,保证晶体品质的稳定可控性。- 发布时间:2024-01-28 07:00:04
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一种用于气相升华法制备碳化硅单晶的坩埚装置 公开日期:2024-02-27 公开号:CN114990690A 申请号:CN202210765802.6一种用于气相升华法制备碳化硅单晶的坩埚装置
- 申请号:CN202210765802.6
- 公开号:CN114990690A
- 公开日期:2024-02-27
- 申请人:武汉大学
本发明提供一种用于气相升华法制备碳化硅单晶的坩埚装置,包括坩埚主体和坩埚顶盖,所述坩埚主体内含空腔,所述空腔内底部收纳有碳化硅粉源,所述坩埚顶盖位于坩埚主体上方封口处,所述坩埚顶盖朝向坩埚主体的一面包括籽晶,所述坩埚主体内侧壁设置有具有导热作用的附加粉源收纳块,所述附加粉源收纳块为具有多孔材料性质的固体石墨容器且其至少有一个面朝向空腔,所述附加粉源收纳块内收纳有单质硅粉源或单质碳粉源。本发明结构简单,可调节坩埚内的气相组分的含量,维持气相中各物质组分的平衡,减少晶体结晶过程中因气相组分分布不均匀而造成的结晶缺陷,实现碳化硅单晶快速而高质量生长。- 发布时间:2024-02-29 07:00:05
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一种外延反应加热控制方法、系统、电子设备及存储介质 公开日期:2023-07-04 公开号:CN114990691A 申请号:CN202210794117.6一种外延反应加热控制方法、系统、电子设备及存储介质
- 申请号:CN202210794117.6
- 公开号:CN114990691A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:季华实验室
本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种外延反应加热控制方法、系统、电子设备及存储介质,外延反应加热控制方法用于外延反应设备,包括以下步骤:输出最大加热功率信息以使外延反应设备的外延腔迅速升温至预设的第一温度信息;根据第一温度信息、预设的第二温度信息以及第二温度信息对应的起始加热功率信息生成加热功率曲线;根据加热功率曲线调节并输出加热功率信息以使外延腔逐渐升温,直至加热功率信息下降至起始加热功率信息;对外延腔进行PID控制加热使外延腔升温至预设的外延反应温度信息所对应的温度,本申请通过上述方法使外延腔在加热过程中不会因为加热功率突变而导致温度产生波动,从而提高加热效率及加热稳定性。- 发布时间:2023-07-06 07:00:05
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一种细晶须小粒径镍钴锰氢氧化物及其制备方法 公开日期:2023-10-03 公开号:CN115012036A 申请号:CN202210606501.9一种细晶须小粒径镍钴锰氢氧化物及其制备方法
- 申请号:CN202210606501.9
- 公开号:CN115012036A
- 公开日期:2023-10-03
- 申请人:宁波容百新能源科技股份有限公司
本发明提供了一种细晶须小粒径镍钴锰氢氧化物,所述细晶须小粒径镍钴锰氢氧化物的D50为3.45~3.55μm;晶须细长针状,平均长径比为10~12,振实密度为1.7~2.2g/cm3。本发明中的镍钴锰氢氧化物晶须为细长针状,且长径比为10~12,分散性能好,且粒度更加均匀。本发明还提供了一种细晶须小粒径镍钴锰氢氧化物的制备方法,本发明的主要思路是在前驱体生长过程中通过控制釜内氨浓度以及反应釜进料量、转速以制得细长晶须小粒径镍钴锰氢氧化物。实验结果表明,本发明制备得到的高镍小粒径镍钴锰氢氧化物晶须细长、孔道结构丰富、粒度分布均匀,分散性好无团聚。- 发布时间:2023-10-05 07:00:08
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一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法 公开日期:2023-06-23 公开号:CN115012037A 申请号:CN202210668707.4一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法
- 申请号:CN202210668707.4
- 公开号:CN115012037A
- 公开日期:2023-06-23
- 申请人:广德特旺光电材料有限公司
本发明公开了一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法,将菱镁矿粉先经过高温煅烧得到轻烧矿粉,然后用质量浓度为15‑20%的氯化铵溶液加热处理,得到含镁钙离子的浸出液,将其与表面活性剂混合均匀后用氨水沉淀,得到的滤渣再用质量浓度为5‑8%的氯化铵溶液处理除去钙离子,经过高温煅烧后,得到的粉体与适量水混合均匀,然后加入氢氟酸反应得到高纯度氟化镁晶体材料。本发明的制备工艺简单,制得的氟化镁晶体材料具有高纯度,能够符合光学镀膜用材料的性能要求。- 发布时间:2023-06-30 07:00:54
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外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质 公开日期:2023-07-25 公开号:CN115012031A 申请号:CN202210686166.8外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质
- 申请号:CN202210686166.8
- 公开号:CN115012031A
- 公开日期:2023-07-25
- 申请人:季华实验室
本发明涉及半导体生产技术领域,具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括以下步骤:获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息;根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息;该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息,其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率,从而实现了沉积厚度信息的实时计算,便于用户控制反应生成预期厚度的外延片,以提高外延片的生产精度。- 发布时间:2023-07-27 07:00:10
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晶体硅的制备方法、装置、电子设备及存储介质 公开日期:2023-06-16 公开号:CN115029772A 申请号:CN202110235676.9晶体硅的制备方法、装置、电子设备及存储介质
- 申请号:CN202110235676.9
- 公开号:CN115029772A
- 公开日期:2023-06-16
- 申请人:晶科能源股份有限公司|||浙江晶科能源有限公司
本发明实施例提供一种晶体硅的制备方法,包括:获取关系模型,其中,所述关系模型的变量因子包括晶体的重量、晶体的长度、垂直于晶体提拉方向的截面的直径;获取晶体生长过程中的收尾工序中多个时刻下的晶体的重量和晶体的长度;其中,对于所述多个时刻中的每一时刻,基于晶体的当前重量、晶体的当前长度以及所述关系模型,计算晶体的当前直径;检测所述晶体的当前直径是否达到预设阈值;若检测到所述晶体的当前直径达到预设阈值,结束所述收尾工序。本发明实施例有利于对收尾过程中晶体的状态进行准确的估计,从而稳定、准确且高效地完成收尾工序。- 发布时间:2023-06-30 07:01:10
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基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法 公开日期:2023-10-03 公开号:CN115029783A 申请号:CN202210496774.2基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法
- 申请号:CN202210496774.2
- 公开号:CN115029783A
- 公开日期:2023-10-03
- 申请人:云南鑫耀半导体材料有限公司|||云南中科鑫圆晶体材料有限公司|||云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法,涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长装置,由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系统和坩埚下降装置组成,所述生长方法,包括装料、装炉、化料、接籽晶、放肩、等径生长、冷却退火步骤。所述的装料容器分为上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶,利用锥形料、圆饼料和梯型料合理的搭配设计,不但能使装料结构稳定、还有助于高温时很好的化料,可以有效提高成晶率31%,通过砷化铟多晶的合成、装料、单晶生长获得籽晶胚、籽晶胚加工获得籽晶,再进行单晶生长,最终生长远低于LEC生长的低位错的砷化铟单晶。- 发布时间:2023-10-05 07:00:09
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一种纳米孪晶铜膜转变为单晶铜膜的制备方法 公开日期:2023-11-21 公开号:CN115029769A 申请号:CN202210739103.4一种纳米孪晶铜膜转变为单晶铜膜的制备方法
- 申请号:CN202210739103.4
- 公开号:CN115029769A
- 公开日期:2023-11-21
- 申请人:江苏科技大学
本发明公开了一种纳米孪晶铜膜转变为单晶铜膜的制备方法,包括以下步骤:(1)采用酸溶液对纳米孪晶铜膜进行预处理;(2)将预处理后的纳米孪晶铜膜沿厚度方向夹持于冷夹板和热夹板中进行热处理,冷夹板的温度为‑20℃至30℃,热夹板的温度为200‑300℃;(3)保持步骤(2),待热处理结束后,即得单晶铜膜,所述纳米孪晶铜膜为沿厚度方向具有(111)择优晶体取向,所述单晶铜膜为沿厚度取向为(100)晶面取向。本发明所采用的制备方法可在低温下实现由纳米孪晶铜膜到单晶铜膜的转变,可避免热损失,简单易实现,成本低,适合大规模生产。- 发布时间:2023-11-23 07:00:10
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