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• 一种基于硅棒转移保护装置的单晶硅生长炉 公开日期：2024-12-20 公开号：CN118087021A 申请号：CN202410236723.5
  发明 一种基于硅棒转移保护装置的单晶硅生长炉

  • 申请号：CN202410236723.5
  • 公开号：CN118087021A
  • 公开日期：2024-12-20
  • 申请人：江苏晶品新能源股份有限公司

  本申请公开了一种基于硅棒转移保护装置的单晶硅生长炉，包括底部基座、下炉体、上炉体、炉盖、连接腔室以及转移炉体，转移炉体顶部安装有提升单元，转移炉体内具有夹具单元，底部基座处安装有第一旋转驱动单元，第一旋转驱动单元处安装有第一液压升降单元，第一液压升降单元的顶端固定连接有竖杆单元，竖杆单元通过第一连接架与转移炉体固定连接；转移炉体处安装有转移保护装置。本申请的单晶硅生长炉，通过使用夹具、提升单元、液压升降单元、转移保护装置的配合，可以实现硅棒的逐步提升、转移和下降过程，通过激光测距单元的测距和托板的支撑，能够确保硅棒在转移过程中得到良好的支撑和保护，减少硅棒损伤的可能性。

  发布时间：2024-06-01 08:00:55

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• 附带籽晶温度自检功能的mpcvd金刚石生长设备 公开日期：2024-12-17 公开号：CN117604625A 申请号：CN202311563102.X
  发明 附带籽晶温度自检功能的mpcvd金刚石生长设备

  • 申请号：CN202311563102.X
  • 公开号：CN117604625A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：上海征世科技股份有限公司

  本发明提供附带籽晶温度自检功能的mpcvd金刚石生长设备，涉及气相沉积技术领域。该附带籽晶温度自检功能的mpcvd金刚石生长设备包括金刚石生长炉体和安装于金刚石生长炉体一侧并与金刚石生长炉体相连通的进气管，所述金刚石生长炉体内部顶面固定连接有中间管道。该附带籽晶温度自检功能的mpcvd金刚石生长设备通过升降组件的交替升降，使得充分混合的反应气体能够经过环形等距分布的匀气孔进一步匀气后，气体最后经过位于第二排气头凹陷部位的气孔和设置于第一排气头外表面的气孔中朝着相互对应的方向排出，不仅达到对反应气体的进一步混合，同时也能够使气体能够均匀的层层铺设，使反应气体能够与石墨均匀充分的反应。

  发布时间：2024-03-02 07:55:46

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• 一种附带原料气浓度分层控制功能的单晶金刚石生长设备 公开日期：2024-12-17 公开号：CN117604630A 申请号：CN202311528483.8
  发明 一种附带原料气浓度分层控制功能的单晶金刚石生长设备

  • 申请号：CN202311528483.8
  • 公开号：CN117604630A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：上海征世科技股份有限公司

  本发明提供一种附带原料气浓度分层控制功能的单晶金刚石生长设备，涉及金刚石生长领域。本发明包括电离室、微波系统、电离筒、控制器、换热器、供气管道和供料气泵，所述电离筒设置于电离室内部，所述供料气泵出气口与换热器底部进气口之间设置有供气结构。本发明中安装的供气结构不但起到控制原料气在电离筒、换热器、供料气泵之间循环流动作用，还保证原料气供给排出平衡，对原料气进行冷却降温；旋转的散气管和多个流量控制阀配合控制电离筒内部原料气浓度均匀的分布，而且上部驱动组件控制往复推动组件工作使电离筒进行振动，避免电离筒内部粘黏金刚石导致的金刚石生成质量下降，保证金刚石生成的质量。

  发布时间：2024-03-02 07:55:16

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• 用于制备单晶三元材料的方法、单晶三元材料及锂离子电池 公开日期：2024-12-17 公开号：CN116497450A 申请号：CN202310506362.7
  发明 用于制备单晶三元材料的方法、单晶三元材料及锂离子电池

  • 申请号：CN202310506362.7
  • 公开号：CN116497450A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：合肥国轩高科动力能源有限公司

  本发明提供了一种用于制备单晶三元材料的方法、单晶三元材料及锂离子电池。该制备方法包括以下步骤：将三元前驱体依次进行预烧和破碎处理，得到类球形氧化物前驱体，类球形氧化物前驱体的粒径为：Dmin≥0.7μm，D10≥1.0μm，D50＝2.0～5.0μm，D90≤13.0μm，Dmax≤20μm；在干燥空气或氧气气氛下，使类球形氧化物前驱体、氧化锂和掺杂剂进行第一烧结过程，获得单晶三元材料中间体；在保护气氛下，将单晶三元材料中间体、氧化亚镍、氧化铝和氧化硼进行第二烧结过程，获得单晶三元材料。

  发布时间：2023-07-30 07:18:14

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• 一种用于InP晶体生长的坩埚及InP晶体的生长方法 公开日期：2024-12-17 公开号：CN112760713A 申请号：CN202011577740.3
  发明 一种用于InP晶体生长的坩埚及InP晶体的生长方法

  • 申请号：CN202011577740.3
  • 公开号：CN112760713A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：中锗科技有限公司

  本发明公开了一种用于InP晶体生长的坩埚及InP晶体的生长方法，用于InP晶体生长的坩埚，包括第一坩埚、坩埚帽和第二坩埚；第一坩埚为从上往下依次由第一体部、第一肩部和第一籽晶腔组成的开口向上的中空石英管；第二坩埚为从上往下依次由第二体部、第二肩部、缩颈腔和第二籽晶腔组成的上下两端均开口的中空PBN陶瓷坩埚；第二坩埚位于第一坩埚内侧，且第二体部位于第一体部内侧，第二肩部位于第一肩部内侧，缩颈腔和第二籽晶腔位于第一籽晶腔内侧；坩埚帽为半球形石英帽，坩埚帽外径不小于第二坩埚外径；坩埚帽开口向下地位于第一坩埚内，且位于第二坩埚的上方，坩埚帽与第二坩埚之间留有间隔。本发明大幅降低了InP晶体中的位错密度，提高了成晶率。

  发布时间：2023-06-07 12:08:53

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• 一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法 公开日期：2024-12-17 公开号：CN112301422A 申请号：CN201910706403.0
  发明 一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法

  • 申请号：CN201910706403.0
  • 公开号：CN112301422A
  • 公开日期：2024-12-17
  • 申请人：北京飓芯科技有限公司

  本发明涉及一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法。该方法包括：1)使用MOCVD技术在三维叠层掩模衬底上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物材料薄膜；2)使用HVPE技术在所述连续薄膜上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物材料厚膜；3)通过冷却在三维叠层掩模衬底和III族氮化物材料厚膜之间产生应力，从而实现自分离。采用本发明方法，由于与衬底的弱连接性，可以在冷却过程中与衬底自分离，避免了使用激光剥离等昂贵技术，节省了工艺步骤和时间，显著提高了生产良率，提高了产品质量；采用的特制三维叠层掩模衬底能够配合MOCVD生长出高质量的薄膜，进而能够通过HVPE外延出高晶体质量的厚膜。

  发布时间：2023-05-28 12:38:23

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• 单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法 公开日期：2024-12-13 公开号：CN114875480A 申请号：CN202210457950.1
  发明 单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法

  • 申请号：CN202210457950.1
  • 公开号：CN114875480A
  • 公开日期：2024-12-13
  • 申请人：中材人工晶体研究院有限公司|||北京中材人工晶体研究院有限公司

  本申请实施例提供一种单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法，包括发热件、感应线圈和保温组件，发热件用于加热原料；发热件被配置为与感应线圈电磁耦合，以产生热量；保温组件包括间隔设置的第一保温套筒、第二保温套筒以及保温颗粒，保温颗粒填充于发热件与第一保温套筒之间，以及第一保温套筒和第二保温套筒之间，并与发热件、第一保温套筒和第二保温套筒接触。保温组件能够降低单晶炉的加热保温系统在收颈和放肩阶段的热延时，提高温场的稳定性，从而提高生长晶体的质量。

  发布时间：2023-05-19 11:07:19

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• 废弃硅料再利用方法 公开日期：2024-12-13 公开号：CN114457412A 申请号：CN202210071762.5
  发明 废弃硅料再利用方法

  • 申请号：CN202210071762.5
  • 公开号：CN114457412A
  • 公开日期：2024-12-13
  • 申请人：包头晶澳太阳能科技有限公司

  本发明属于单晶硅制备技术领域，具体公开了一种废弃硅料再利用方法，包括：S10，对所述废弃硅料进行预处理；S20，通过直拉法将预处理后的所述废弃硅料拉制成棒状预备料；S30，将所述棒状预备料进行破碎处理，筛选出粒径符合预设目标的硅料；S40，将筛选出的所述硅料与常规硅料混合，制备单晶硅棒。本方案实现了废弃硅料的再利用，不仅能够保证拉制单晶硅棒的品质，而且可以节约硅料成本，在目前硅料价格远远大于废弃硅粉料的处理成本的情况下，通过本方案可以节省单晶硅棒的制造成本，提高企业利润，具有很好的实用性。

  发布时间：2023-05-09 11:43:32

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• 一种硅熔液液面位置的检测装置及单晶炉 公开日期：2024-12-13 公开号：CN114075694A 申请号：CN202010818550.X
  发明 一种硅熔液液面位置的检测装置及单晶炉

  • 申请号：CN202010818550.X
  • 公开号：CN114075694A
  • 公开日期：2024-12-13
  • 申请人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司|||西安奕斯伟硅片技术有限公司

  本发明提供一种硅熔液液面位置的检测装置及单晶炉，所述检测装置包括：双头吊钩，所述双头吊钩位于所述组合套筒的内侧，所述双头吊钩的上端与所述组合套筒的侧壁固定连接，所述双头吊钩的下端向下伸出于所述组合套筒的底部，用于在硅熔液液面形成倒影；检测单元，所述检测单元用于捕捉所述双头吊钩的下端在所述硅熔液液面上形成的倒影成像。根据本发明实施例的检测装置，通过利用双头吊钩在硅熔液液面形成稳定且清晰的倒影，使检测单元能够通过准确捕捉倒影继而测得硅熔液液面的准确位置，从而确保了拉晶过程中各项参数的调节的准确性，提高了制得的晶棒的品质。

  发布时间：2023-04-26 09:47:39

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• 一种改善晶体生长质量的方法 公开日期：2024-12-10 公开号：CN118064959A 申请号：CN202410004430.4
  发明 一种改善晶体生长质量的方法

  • 申请号：CN202410004430.4
  • 公开号：CN118064959A
  • 公开日期：2024-12-10
  • 申请人：乾晶半导体（衢州）有限公司

  本发明提供了一种改善晶体生长质量的方法，本发明在整个生长过程中，在碳化硅原料中按一定比例掺入硼(B)，并控制生长气氛中氮(N)的浓度呈梯度变化，从而实现氮和硼元素的共掺，如此可以形成最底层形核区的高掺杂浓度区到扩径区再过渡到快速生长部分，而快速生长部分的混合元素浓度满足导电型碳化硅衬底所需要的性能要求。

  发布时间：2024-06-01 07:20:55

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