一种用于惯性MEMS器件的敏感结构加工方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117842930 A (43)申请公布日 2024.04.09 (21)申请号 202311648758.1 (22)申请日 2023.12.04 (71)申请人 北京自动化控制设备研究所 地址 100074 北京市丰台区云岗北里1号院 3号楼 (72)发明人 盛洁　尚克军　刘飞　张菁华　 王登顺　王妍妍　 (51)Int.Cl. B81C 3/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) G01C 21/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种用于惯性MEMS器件的敏感结构加工方 法 (57)摘要 本发明提供一种用于惯性MEMS器件的敏感 结构加工方法，该加工方法包括：步骤一、在衬底 正面加工N个第一槽，用于对应待增厚的敏感结 构释放；步骤二、在衬底正面除第一槽的位置加 工引线；步骤三、在敏感结构层背面刻蚀第二槽， 第二槽用于除待增厚的敏感结构之外的敏感结 构释放；敏感结构层背面未加工第二槽的位置作 为锚点；待增厚的敏感结构所在的位置需预留出 锚点；步骤四、将敏感结构层背面与衬底正面进 行键合，其中，任意第一槽与对应待增厚的敏感 结构所在的位置的锚点正对，不发生键合；步骤 A 五、对敏感结构层正面进行结构刻蚀，加工器件 0 的敏感结构。本发明可以在保证非增厚敏感结构 3 9 2 加工精度的条件下增大待增