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• 一种气流监测芯片封装结构 公开日期：2024-05-28 公开号：CN221027686U 申请号：CN202322525092.2
  实用新型 一种气流监测芯片封装结构

  • 申请号：CN202322525092.2
  • 公开号：CN221027686U
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：广东矽格半导体科技有限公司

  本实用新型公开了一种气流监测芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，包括封装底座，封装底座的顶端设置有封装罩壳，封装底座的顶端且位于封装罩壳内设置有气流传感芯片，封装底座与封装罩壳之间设置有密封组件，密封组件包括设置在封装底座顶端的环形凹槽，且封装罩壳的底部延伸至环形凹槽内，环形凹槽与封装罩壳的底部之间设置有密封胶；封装罩壳的顶端设置有第一气孔，封装底座内设置有第二气孔，封装罩壳的一端设置有气孔开关调节机构，且气孔开关调节机构的一端延伸至气流传感芯片的侧边。本实用新型可以根据不同的使用场景和需求进行调节，在不使用时，避免了外界有害物质的侵入，延长了气流传感芯片的使用寿命。

  发布时间：2024-06-01 08:21:31

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• 用于制造MEMS器件的方法和系统 公开日期：2024-05-28 公开号：CN118103321A 申请号：CN202280067110.2
  PCT发明 用于制造MEMS器件的方法和系统

  • 申请号：CN202280067110.2
  • 公开号：CN118103321A
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：应美盛股份有限公司

  一种器件包括衬底和金属间电介质(IMD)层，IMD层被设置在衬底上方。该器件还包括第一多个多晶硅层，该第一多个多晶硅层被设置在IMD层上方并被设置在凸部挡块上方。该器件还包括第二多个多晶硅层，该第二多个多晶硅层被设置在IMD层内。该器件包括具有第一侧和第二侧的经图案化的致动器层，其中经图案化的致动器层的第一侧加衬有多晶硅层，并且其中经图案化的致动器层的第一侧面向凸部挡块。该器件进一步包括：支座，该支座在IMD层上方形成；过孔，该过孔穿过支座从而与致动器的多晶硅层、以及第二多个多晶硅层的部分电接触；以及接合材料，该接合材料被设置在经图案化的致动器层的第二侧上。

  发布时间：2024-06-01 07:53:01

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• 一种改良联结结构的MEMS芯片 公开日期：2024-05-28 公开号：CN221027690U 申请号：CN202322933087.5
  实用新型 一种改良联结结构的MEMS芯片

  • 申请号：CN202322933087.5
  • 公开号：CN221027690U
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：苏州感测通信息科技有限公司

  本实用新型揭示了一种改良联结结构的MEMS芯片，与MEMS芯片、衬底基板及ASIC芯片一体封装相关联，特别在该MEMS芯片的底部生成有一个以上凸点，并以凸点为联结点，与衬底基板相连成一体。应用本MEMS芯片的结构微调，并使固结点强度接近芯片材料本身特性，提高了联结可靠性，降低了胶水粘接及衬底基板热膨胀系数差异导致的残余应力对芯片变形及输出特性的影响。

  发布时间：2024-06-01 08:34:07

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• 宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL 公开日期：2024-05-28 公开号：CN221027689U 申请号：CN202322305782.7
  实用新型 宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL

  • 申请号：CN202322305782.7
  • 公开号：CN221027689U
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：吉光半导体科技有限公司

  本实用新型涉及激光器技术领域，具体提供一种宽调谐范围的可调谐MEMS‑VCSEL，在常规VCSEL结构上设计了分段式的MEMS结构，MEMS单元包括两个功能区，每个功能区内均包括一个空气层，并通过调整相应的厚度控制层，对两个空气层的厚度进行改变，通过对两个功能区进行电压驱动，使MEMS悬臂产生形变，改变谐振腔长，进而实现对输出波长的调谐，通过分别控制两个MEMS功能区，悬臂可实现向上和向下的弯曲，有效的扩大了在MEMS悬臂的最大位移范围，即提高了波长调谐范围。本实用新型扩大了MEMS悬臂部分可实现的最大位移范围，解决了在小气隙厚度下MEMS结构调谐范围受限的问题。

  发布时间：2024-06-01 08:18:07

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• 一种键合引线连接结构 公开日期：2024-05-28 公开号：CN221027687U 申请号：CN202322677155.6
  实用新型 一种键合引线连接结构

  • 申请号：CN202322677155.6
  • 公开号：CN221027687U
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：中冶赛迪技术研究中心有限公司

  本实用新型属于半导体封装技术领域，具体公开了一种键合引线连接结构，包括：支撑板，支撑板上设有多个焊盘，焊盘上均设有第一引脚；芯片，芯片固定连接在支撑板上，芯片上设有多个与第一引脚对应的第二引脚，第一引脚与第二引脚引线连接，引线与第一引脚和第二引脚的连接区域为连接区；复合层，复合层设置在连接区，复合层从下至上为连接层、耐温层和绝缘层，本实用新型通过设置的复合层能够实现引脚与引线的稳定连接，提升芯片的使用寿命，而设置的护壳便于复合层的设置，同时对芯片进行保护，能够进一步增加芯片的使用寿命。

  发布时间：2024-06-01 08:26:29

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• 一种基于半球形微结构的柔性压力传感器及其制造方法 公开日期：2024-05-28 公开号：CN110526198A 申请号：CN201810509553.8
  发明 一种基于半球形微结构的柔性压力传感器及其制造方法

  • 申请号：CN201810509553.8
  • 公开号：CN110526198A
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：深圳先进技术研究院

  本发明适用于柔性压力传感器技术领域，公开了一种基于半球形微结构的柔性压力传感器及其制造方法。柔性压力传感器包括PDMS柔性基底层、碳纳米管薄膜和PDMS柔性薄膜层，所述PDMS柔性基底层具有微结构，所述微结构呈球面凸起状，所述PDMS柔性基底层具有所述微结构的一面覆盖有所述碳纳米管薄膜，且所述碳纳米管薄膜位于所述PDMS柔性基底层和所述PDMS柔性薄膜层之间，所述碳纳米管薄膜连接有电极。制造方法用于制造上述柔性压力传感器。本发明所提供的一种基于半球形微结构的柔性压力传感器及其制造方法，其提高了柔性压力传感器的测量范围、灵敏度以及减少响应时间。

  发布时间：2024-06-01 08:11:18

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• 用于高频应用的MEMS换能器器件以及制造方法 公开日期：2024-05-28 公开号：CN118083901A 申请号：CN202311565301.4
  发明 用于高频应用的MEMS换能器器件以及制造方法

  • 申请号：CN202311565301.4
  • 公开号：CN118083901A
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：意法半导体股份有限公司

  本公开涉及用于高频应用的MEMS换能器器件以及制造方法。MEMS器件包括：信号处理组件；包括多个换能器器件的换能模块；增强结构，至少部分地围绕于每个换能器器件；针对每个换能器器件的一个或多个耦合支柱，一个或多个耦合支柱在增强结构上延伸并且被配置为将换能模块物理地耦合以及电耦合至信号处理组件，从而承载换能器器件的控制信号。每个导电耦合原件具有截面，所述截面的形状诸如最大化与相应的换能器器件周围的增强结构重叠的表面的形状。所述形状包括等于或大于3的尖点数的内摆线；三角形；四边形。

  发布时间：2024-06-01 07:54:27

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• 一种车规级MEMS压力传感器芯片的工艺方法 公开日期：2024-05-28 公开号：CN117326520A 申请号：CN202311297530.2
  发明 一种车规级MEMS压力传感器芯片的工艺方法

  • 申请号：CN202311297530.2
  • 公开号：CN117326520A
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：江苏致芯微电子技术有限公司

  本发明提供了一种车规级MEMS压力传感器芯片的工艺方法，包括：S1，在P型衬底上设置P型外延片，在所述P型外延片上形成钝化层；S2，使用光刻胶在所述钝化层上制作刻蚀掩蔽层，并在所述掩蔽层上刻出接触孔；S3，在等离子体刻蚀设备中溅射AL膜，磁控溅射淀积形成金属层；S4，在接触孔顶端设置PAD，腐蚀除PAD外的金属层；S5，在所述掩蔽层上腐蚀形成深槽，形成硅应变电阻的电阻体；S6，在所述深槽反应离子刻蚀形成硅应变结构gauge的敏感薄膜；S7，对所述金属层退火处理形成欧姆接触；S8，对背面进行腐蚀处理，形成gauge应变片。本发明提供一个完整工艺方法，提高片内和片间的压敏电阻的一致性和均匀性，保证MEMS传感器输出的稳定性。

  发布时间：2024-01-06 07:32:16

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• 微机电器件的制作方法、及微机电器件 公开日期：2024-05-28 公开号：CN118083904A 申请号：CN202410273713.9
  发明 微机电器件的制作方法、及微机电器件

  • 申请号：CN202410273713.9
  • 公开号：CN118083904A
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司

  本申请的实施例提供了一种微机电器件的制作方法、及微机电器件，所述方法包括：提供衬底基板，所述衬底基板的表面设置有至少一个凹陷区域；在所述衬底基板上贴附感光干膜材料，形成遮盖所述衬底基板的表面和各个所述凹陷区域的感光干膜层；对所述感光干膜层进行图形化工艺，以在所述感光干膜层中形成感光干膜材料图案；在所述衬底基板形成有感光干膜材料图案的表面沉积金属；在沉积金属后，剥离所述感光干膜层，形成所需的金属布线层。本申请的实施例提供的技术方案能降低在设置有复杂结构的微机电器件表面制作金属布线的复杂程度。

  发布时间：2024-06-01 08:02:17

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• MEMS硅腔的刻蚀装置及刻蚀方法 公开日期：2024-05-28 公开号：CN118083905A 申请号：CN202410273789.1
  发明 MEMS硅腔的刻蚀装置及刻蚀方法

  • 申请号：CN202410273789.1
  • 公开号：CN118083905A
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司

  本发明公开了一种MEMS硅腔的刻蚀装置及刻蚀方法，属于MEMS传感器技术制造领域。该刻蚀装置包括：刻蚀槽，槽内设有用于承载待刻蚀晶圆的承载台、以及用于在所述待刻蚀晶圆的硅基底上刻蚀出所需腔体的刻蚀液；补液组件，用于在所述刻蚀液液位低于补液液位时，向所述刻蚀槽内补水。采用该刻蚀装置可以在湿法刻蚀过程中为刻蚀液补充水分，使刻蚀液的浓度不会产生过大变化，从而维持刻蚀液浓度和蚀刻速率稳定，以实现对晶圆硅基板的稳定蚀刻，提高产品良率。

  发布时间：2024-06-01 08:02:17

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