热电堆红外探测器制作过程释放薄膜的工艺

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112250034 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011052512.4 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 广州德芯半导体科技有限公司 地址 510000 广东省广州市番禺区石基镇 金山村华创动漫产业园B25栋第三层 之二 (72)发明人 汪民　许玉方　李朗　汪洋　 (74)专利代理机构 北京中普鸿儒知识产权代理 有限公司 11822 代理人 林桐苒 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) G01J 5/12 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 热电堆红外探测器制作过程释放薄膜的工 艺 (57)摘要 本发明公开了一种热电堆红外探测器制备 过程释放薄膜的工艺，在需要释放的区域预先制 作一层容易腐蚀的金属层，依次生成氮化硅层、 多晶硅层、电极及二氧化硅层，然后把易腐蚀的 金属层快速腐蚀掉，再用气体腐蚀方法把下面Si 层腐蚀一定深度形成悬浮窗空腔，如此可使热电 堆所在的薄膜层完全干净释放出来，做成一致性 非常好热电堆单元，成品率极大提高，而且工艺 简单、工作效率高。 A 4 3 0 0 5 2 2 1 1 N C CN 112250034 A 权　利　要　求　书