一种量子点像素化薄膜及其制备方法2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113651286 A (43)申请公布日 2021.11.16 (21)申请号 202010398349.0 (22)申请日 2020.05.12 (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 申请人 致晶科技（北京）有限公司 (72)发明人 高宇南　白鹏　王晶晶　 (74)专利代理机构 北京元周律知识产权代理有 限公司 11540 代理人 杨晓云 (51)Int.Cl. B81B 7/04(2006.01) B81C 1/00(2006.01) H01L 51/50(2006.01) B82Y 30/00(2011.01) B82Y 40/00(2011.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图1页 (54)发明名称 一种量子点像素化薄膜及其制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种量子点像素化薄膜及其 制备方法，所述量子点像素化薄膜包括量子点层 和基底层；所述量子点层包括量子点；所述基底 层包括基底；所述量子点自组装在所述基底的表 面。本发明通过对基底进行表面预处理，使得图 案化的片状/棒状量子点可在基底表面进行原位 组装，从而在基板上形成厚度在纳米级的均匀薄 膜，进一步提高了量子点的发光效率，当使用喷 墨打印技术进行像素化时可避免咖啡环的形