一种圆片级薄膜封装方法及封装器件2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111792621 A (43)申请公布日 2020.10.20 (21)申请号 202010640709.3 (22)申请日 2020.07.06 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 钟朋　裴彬彬　孙珂　杨恒　 李昕欣　 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 代理人 郝传鑫　贾允 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书14页 附图19页 (54)发明名称 一种圆片级薄膜封装方法及封装器件 (57)摘要 本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别 涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包 括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述 衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发 或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属 层，所述第一金属层具有纳米尺度的通孔；在所 述第一金属层上沉积第二金属层；通过所述牺牲 层释放孔释放所述牺牲层，得到待封装器件；加 热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属 层的熔点与所述第一金属层的熔点之间，使得所 述第二金属层熔融铺展，从而密封所述牺牲层释 放孔。通过在封装结构上设置横向钻蚀孔，横向 A 钻蚀孔用以在金属层上形成自对准通孔，通过在 1 通孔处沉积少