半导体封装及其制造方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112897449 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202010666748.0 B81C 1/00 (2006.01) B81C 3/00 (2006.01) (22)申请日 2020.07.13 (30)优先权数据 16/687,713 2019.11.19 US (71)申请人 力成科技股份有限公司 地址 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大 同路26号 (72)发明人 林南君　徐宏欣　张简上煜　 张文雄　 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理 有限公司 11205 代理人 朱颖　刘芳 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图27页 (54)发明名称 半导体封装及其制造方法 (57)摘要 本发明提供一种半导体封装，包括多个第一 芯片、多个硅穿孔、至少一绝缘体、第一电路结构 以及第一密封体。第一芯片电性连接至多个硅穿 孔且包括具有传感区的第一有源面、第一背面以 及从第一背面朝向第一有源面延伸的多个通孔。 绝缘体配置于第一芯片的第一有源面上。第一电 路结构配置于第一芯片的第一背面上且