像素级封装结构及其制备方法2024
- 申请专利号:CN202410193732.0
- 公开(公告)日:2024-05-24
- 公开(公告)号:CN118062803A
- 申请人:安徽光智科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118062803 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410193732.0 (22)申请日 2024.02.21 (71)申请人 安徽光智科技有限公司 地址 239004 安徽省滁州市琅琊经济开发 区南京路100号 (72)发明人 黄添萍 (74)专利代理机构 北京五洲洋和知识产权代理 事务所(普通合伙) 11387 专利代理师 张向琨 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01J 5/02 (2022.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图8页 (54)发明名称 像素级封装结构及其制备方法 (57)摘要 提供一种像素级封装结构及其制备方法。像 素级封装结构包括像元结构以及封装结构,像元 结构包括读出电路衬底和焦平面像素单元阵列, 焦平面像素单元阵列位于读出电路衬底上,焦平 面像素单元阵列包括热敏层;封装结构包括封装 盖帽结构,封装盖帽结构设置在读出电路衬底上 并封盖焦平面像素单元阵列,封装盖帽结构设置 有上下贯通的排气孔,排气孔位于焦平面像素单 元阵列的上方;封装结构还包括密封增透层;密 封增透层覆盖在封装盖帽结构上并封堵排气孔, 且密封增透层在上下方向的投影涵盖焦平面像 素单元阵列的热敏层。在同一沉积过程中的密封 A 增透层不仅实现增透层