MEMS器件及其形成方法2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113460956 A (43)申请公布日 2021.10.01 (21)申请号 202010239106.2 (22)申请日 2020.03.30 (71)申请人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公 司 地址 312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路 518号 (72)发明人 辛淼　许继辉　刘国安　张兆林　 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 代理人 曹廷廷 (51)Int.Cl. B81C 3/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图7页 (54)发明名称 MEMS器件及其形成方法 (57)摘要 本发明提供了一种MEMS器件及其形成方法。 通过在第一固定梳齿结构和第二固定梳齿结构 之间设置支撑部，从而在键合第二衬底时，不仅 可以提高第二衬底的键合表面，并且还可以利用 支撑部使得第二衬底能够承受更大的压力，有利 于缓解后续工艺中第二衬底容易发生隐裂甚至 断裂的问题。以及，在后续工艺中从第一衬底的 背面去除支撑部，以在第一固定梳齿结构和第二 固定梳齿结构之间形成空腔，进而保障所形成的 MEMS器件的性能。 A 6 5 9 0 6 4 3 1 1 N C CN 113460956 A 权