一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112919405 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110108281.2 (22)申请日 2021.01.27 (71)申请人 中北大学南通智能光机电研究院 地址 226000 江苏省南通市中央创新区紫 琅科技城W-9号楼 (72)发明人 王俊强　曹钎龙　李孟委　吴倩楠　 余建刚　 (74)专利代理机构 太原荣信德知识产权代理事 务所(特殊普通合伙) 14119 代理人 杨凯　连慧敏 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) H01H 49/00 (2006.01) H01H 59/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (54)发明名称 一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法 (57)摘要 本发明属于射频微电子机械系统封装技术 领域，具体涉及一种RF MEMS开关的原位薄膜封 装方法，包括下列步骤：提供一未释放牺牲层的 RF MEMS开关晶圆，在衬底上完成信号线和悬臂 梁的结构的制作；对晶圆进行第一次匀胶、光刻、 显影工艺；在晶圆上沉积一层薄膜；对晶圆进行 第二次匀胶、光刻工艺，并留出释放孔位置；对释 放孔位置进行刻蚀工艺；进行氧气等离子体工 艺；再次沉积一层薄膜。本发明通过在未释放晶 圆上，通过两次匀胶、两次光刻、两次镀膜工艺实 现开关的原位薄膜封装工艺，并且本发明采用氩 气等离子