化学/冶金
- C01 无机化学;
- C02 水、废水、污水或污泥的处理;
- C03 玻璃;矿棉或渣棉;
- C04 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
- C05 肥料;肥料制造〔4〕;
- C06 炸药;火柴;
- C07 有机化学〔2〕;
- C08 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物;
- C09 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用;
- C10 石油、煤气及炼焦工业;含一氧化碳的工业气体;燃料;润滑剂;泥煤;
- C11 动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡;由此制取的脂肪酸;洗涤剂;蜡烛;
- C12 生物化学;啤酒;烈性酒;果汁酒;醋;微生物学;酶学;突变或遗传工程;
- C13 糖工业〔4〕;
- C14 使用化学药剂、酶类或微生物处理小原皮、大原皮或皮革的工艺,如鞣制、浸渍或整饰;其所用的设备;鞣制组合物(皮革或毛皮的漂白入D06L;皮革或毛皮的染色入D06P);
- C21 铁的冶金;
- C22 冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理;
- C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
- C25 电解或电泳工艺;其所用设备〔4〕;
- C30 晶体生长〔3〕;
- C40 组合技术〔8〕;
- C99 本部其他类目不包括的技术主题〔8〕;
收起
最新专利
-
一种用于碳化硅单晶退火的装置 公开日期:2024-04-19 公开号:CN115029787A 申请号:CN202210857263.9一种用于碳化硅单晶退火的装置
- 申请号:CN202210857263.9
- 公开号:CN115029787A
- 公开日期:2024-04-19
- 申请人:广州南砂晶圆半导体技术有限公司
本申请提供了一种用于碳化硅单晶退火的装置,包括石墨感应加热器,石墨感应加热器放置在感应加热线圈所围成加热区的中心位置,石墨感应加热器为中空的筒形结构,内部用于放置碳化硅单晶;沿石墨感应加热器的轴向方向,石墨感应加热器的侧壁分为第一感应加热部、第二感应加热部和第三感应加热部;第二感应加热部的壁厚大于第一、第三感应加热部的壁厚,并且第二感应加热部的壁厚或者第二感应加热部与设置在石墨感应加热器内部的石墨坩埚的壁厚之和大于石墨感应加热的趋肤深度。这样,可以在石墨感应加热器内部整个轴向方向上构建一个温度梯度小的温场,从而减小晶体轴向方向上的温差,进而能很大程度上消除碳化硅晶体内部残余应力。- 发布时间:2024-04-21 07:00:11
- 1
-
一种加热器及单晶炉 公开日期:2024-02-27 公开号:CN115029777A 申请号:CN202210893099.7一种加热器及单晶炉
- 申请号:CN202210893099.7
- 公开号:CN115029777A
- 公开日期:2024-02-27
- 申请人:四川晶科能源有限公司|||晶科能源股份有限公司
本申请实施例涉及太阳能光伏领域,特别涉及一种加热器及单晶炉。该加热器包括加热器本体,加热器本体上开设有多个交替排列的第一开口和第二开口,第一开口和第二开口的开口方向相反;加热器本体包括第一主体部以及第二主体部,第二主体部与第一主体部的底端连接;第一主体部和第二主体部共同构成加热器本体,且第一主体部和第二主体部围成具有上端开口和下端开口的筒状结构;沿筒状结构的径向方向,第一主体部靠近上端开口的厚度大于第一主体部靠近下端开口的厚度,且第二主体部靠近上端开口的厚度小于第二主体部靠近下端开口的厚度。本申请实施例提供的加热器至少有利于解决炉内纵向温度梯度过于稳定,难以形成纵向温差的问题。- 发布时间:2024-02-29 07:00:11
- 1
-
一种二阶非线性光学晶体及其制备方法和应用 公开日期:2024-04-12 公开号:CN115044976A 申请号:CN202110256178.2一种二阶非线性光学晶体及其制备方法和应用
- 申请号:CN202110256178.2
- 公开号:CN115044976A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:中国科学院理化技术研究所
本发明公开一种二阶非线性光学晶体,其化学式为LiZn(OH)CO3。该晶体为非中心对称结构,属于正交晶系,可采用水热法制备得到。该晶体具有优良的非线性光学性能,带隙大于6.5eV,倍频响应大概为KH2PO4(KDP)的3.2倍,最短相位匹配波段在190nm以下,可应用在深紫外区;且在空气中不易潮解,在制备激光谐波发生器、光参量放大器及光波导器件方面具有良好的应用潜力,能够实现波长小于200nm的深紫外激光的输出。- 发布时间:2024-04-15 07:00:09
- 2
-
一种掺杂剂和辅助掺杂剂协同作用的低缺陷态密度无甲胺钙钛矿单晶、制备方法及其应用 公开日期:2023-08-22 公开号:CN115044982A 申请号:CN202210561294.X一种掺杂剂和辅助掺杂剂协同作用的低缺陷态密度无甲胺钙钛矿单晶、制备方法及其应用
- 申请号:CN202210561294.X
- 公开号:CN115044982A
- 公开日期:2023-08-22
- 申请人:南昌大学
一种掺杂剂和辅助掺杂剂协同作用制备的低缺陷态密度无甲胺钙钛矿单晶及其应用,属于钙钛矿材料技术领域。本发明将掺杂剂卤化胍和碱土金属卤化盐同时引入到ABX3混合阳离子钙钛矿单晶的生长溶液中,胍阳离子和碱土金属阳离子分别对其A位和B位进行重掺杂和轻掺杂,利用掺杂剂和辅助掺杂剂的协同作用提高X位和B位空位形成能,进而大幅优化其结晶动力学,提升了无甲胺钙钛矿单晶的结晶度,最终大幅降低无甲胺钙钛矿晶体中缺陷态密度。本发明还提供了一种由上述方法制备的无甲胺钙钛矿单晶作为光敏层在半导体光电器件中的应用,所述半导体光电器件包括钙钛矿太阳能电池、X射线探测器、γ射线探测器、红外射线探测器、光电传感器中的任意一种。- 发布时间:2023-08-24 07:00:13
- 0
-
一种用于气相生长装置的晶圆承载装置及控制方法 公开日期:2023-11-10 公开号:CN115044971A 申请号:CN202210567575.6一种用于气相生长装置的晶圆承载装置及控制方法
- 申请号:CN202210567575.6
- 公开号:CN115044971A
- 公开日期:2023-11-10
- 申请人:芯三代半导体科技(苏州)有限公司
申请公开一种用于气相生长装置的晶圆承载装置及控制方法。该晶圆承载装置包括:壳体,其内有支撑筒,支撑筒内设有复数沿其轴向延伸的第二通道,支撑筒的一侧有依次层叠的抽气环及托盘,托盘内设有延其轴向的第一通道,支撑筒另一侧有旋转载盘,其内有沿径向延伸的第三通道,旋转载盘连接驱动部的转轴,转轴上设有复数沿其轴向延伸的第四通道,驱动部的远离壳侧配置有密封盖,该密封盖上设有第一穿孔,该第一穿孔经管路连接至抽真空装置。基于抽真空装置动作该第一通道、第二通道、第三通道、第四通道及第一穿孔连通,其组合以构成负压通道。实现晶圆可靠的放置于托盘上并以一定的速度旋转,避免飞盘的发生,同时避免晶圆的边缘翘起。- 发布时间:2023-11-12 07:00:12
- 1
-
一种C12A7:e-电子化合物靶材及其制备方法 公开日期:2023-12-05 公开号:CN115044977A 申请号:CN202210573634.0一种C12A7:e-电子化合物靶材及其制备方法
- 申请号:CN202210573634.0
- 公开号:CN115044977A
- 公开日期:2023-12-05
- 申请人:先导薄膜材料(广东)有限公司
本发明公开了一种C12A7:e‑电子化合物靶材及其制备方法,属于无机材料靶材制备技术领域,该方法包括以下步骤:(1)将CaCO3、Al2O3粉混合均匀后,置于石墨坩埚中,在通入惰性气体气氛炉中进行固相反应,形成C12A7化合物;(2)将步骤(1)所得的C12A7化合物破碎成粉体,将粉体置于带盖石墨桶中,然后将装有粉体的石墨桶置于真空感应炉中进行熔炼还原,采用定向凝固的方式,形成C12A7:e‑电子化合物;(3)将步骤(2)所得C12A7:e‑电子化合物加工后,与背板进行绑定,得到C12A7:e‑电子化合物靶材。采用上述方法制备的C12A7:e‑电子化合物靶材相对密度和纯度高。- 发布时间:2023-12-07 07:00:09
- 5
-
一种加热器及其工作方法 公开日期:2024-02-09 公开号:CN115044966A 申请号:CN202210588592.8一种加热器及其工作方法
- 申请号:CN202210588592.8
- 公开号:CN115044966A
- 公开日期:2024-02-09
- 申请人:西安奕斯伟材料科技股份有限公司
本发明实施例公开了一种在拉晶过程中使用的加热器,所述加热器包括:端子,所述端子设置成能够经由所述端子向所述加热器供电;圆筒形的主体,所述主体形成为能够设置在用于容纳多晶硅原料的坩埚的周向外部,其中,所述主体的周向壁设置成能够提供与施加于所述坩埚的磁场相适配的热场,以使得由所述多晶硅原料拉制成的单晶硅棒具有期望的氧浓度。- 发布时间:2024-02-11 07:00:11
- 2
-
一种氟化钡光学晶体制备装置及其制备方法 公开日期:2024-02-02 公开号:CN115044961A 申请号:CN202210650742.3一种氟化钡光学晶体制备装置及其制备方法
- 申请号:CN202210650742.3
- 公开号:CN115044961A
- 公开日期:2024-02-02
- 申请人:福建晶翔光电科技有限公司
本发明公开了一种氟化钡光学晶体制备装置及其制备方法,包括框架,所述框架上固定连接有加热桶,所述加热桶的内部设置有下降机构,所述框架上固定连接有控制箱,所述框架上固定连接有负压箱,所述负压箱上设置有抽气机构,所述加热桶上滑动连接有桶盖,所述桶盖的内部设置有密封机构,所述加热桶的内部固定连接有电热管,所述控制箱的外侧滑动连接有驱动架,所述加热桶上滑动连接有升降盖,所述驱动架与所述升降盖固定连接。本发明涉及一种氟化钡光学晶体制备装置及其制备方法,具有避免原料氧化与便于拿取坩埚的特点。- 发布时间:2024-02-04 07:00:09
- 2
-
一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法及其应用 公开日期:2024-03-12 公开号:CN115044979A 申请号:CN202210657214.0一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法及其应用
- 申请号:CN202210657214.0
- 公开号:CN115044979A
- 公开日期:2024-03-12
- 申请人:清华大学
本发明涉及一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法,所述方法包括如下步骤:S1、在半导体基底上制备一层PbS单晶薄膜;S2、将上述生长有PbS薄膜的所述半导体基底与甲胺卤化物MAX反应生成钙钛矿MAPbX3单晶薄膜,其中,MA为甲胺阳离子,X为ⅦA族阴离子。采用此方法可制备厘米级的钙钛矿MAPbX3单晶薄膜,成本较低,反应温度较低,适合于大批量生产。- 发布时间:2024-03-14 07:00:12
- 6
-
一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置及生长方法 公开日期:2023-02-10 公开号:CN115044970A 申请号:CN202210668808.1一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置及生长方法
- 申请号:CN202210668808.1
- 公开号:CN115044970A
- 公开日期:2023-02-10
- 申请人:上海征世科技股份有限公司
本发明公开了一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置,包括反应室、样品台和进气道,所述反应室的内部设置有样品台,所述样品台的内部设置有冷却流道,所述样品台的上端与反应室之间设置有石英窗,所述反应室的侧面设置有混合气体导向排出结构,所述反应室的上端设置有进气道;夹持冷却结构吹出的冷却气体会使得限位杆与进气管之间的间隙增大,使得进气管受到的摩擦力减小,而当冷却气体进入到气囊的内部后会对混合气体进行冷却,同时进气管会对混合气体进行搅拌,使得混合气体的内部混合更加均匀,冷却气体还会带动进气管进行转动,从而随着金刚石膜的沉积进气管的高度随之上升,增加金刚石膜的沉积效果。- 发布时间:2023-06-30 07:01:40
- 1