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发明

一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置及生长方法

2023-06-30 07:01:40 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202210668808.1
  • 公开（公告）日：2023-02-10
  • 公开（公告）号：CN115044970A
  • 申请人：上海征世科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置，包括反应室、样品台和进气道，所述反应室的内部设置有样品台，所述样品台的内部设置有冷却流道，所述样品台的上端与反应室之间设置有石英窗，所述反应室的侧面设置有混合气体导向排出结构，所述反应室的上端设置有进气道；夹持冷却结构吹出的冷却气体会使得限位杆与进气管之间的间隙增大，使得进气管受到的摩擦力减小，而当冷却气体进入到气囊的内部后会对混合气体进行冷却，同时进气管会对混合气体进行搅拌，使得混合气体的内部混合更加均匀，冷却气体还会带动进气管进行转动，从而随着金刚石膜的沉积进气管的高度随之上升，增加金刚石膜的沉积效果。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115044970 A (43)申请公布日 2022.09.13 (21)申请号 202210668808.1 C23C 16/27 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) (22)申请日 2022.06.14 (71)申请人 上海征世科技股份有限公司 地址 201799 上海市青浦区华浦路500号2 幢西侧 (72)发明人 龚闯　满卫东　蒋梅荣　杨春梅　 杨武　 (74)专利代理机构 上海邦德专利代理事务所 (普通合伙) 31312 专利代理师 梁剑 (51)Int.Cl. C30B 25/02 (2006.01) C30B 25/14 (2006.01) C30B 29/04 (2006.01) C23C 16/511 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图8页 (54)发明名称 一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置及生 长方法 (57)摘要 本发明公开了一种用于金刚石单晶生长的 MPCVD装置，包括反应室、样品台和进气道，所述 反应室的内部设置有样品台，所述样品台的内部 设置有冷却流道，所述样品台的上端与反应室之 间设置有石英窗，所述反应室的侧面设置有混合 气体导向排出结构，所述反应室的上端设置有

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