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发明

一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法及其应用

2024-03-14 07:00:12 发布于四川 6
  • 申请专利号：CN202210657214.0
  • 公开（公告）日：2024-03-12
  • 公开（公告）号：CN115044979A
  • 申请人：清华大学
摘要：本发明涉及一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：S1、在半导体基底上制备一层PbS单晶薄膜；S2、将上述生长有PbS薄膜的所述半导体基底与甲胺卤化物MAX反应生成钙钛矿MAPbX3单晶薄膜，其中，MA为甲胺阳离子，X为ⅦA族阴离子。采用此方法可制备厘米级的钙钛矿MAPbX3单晶薄膜，成本较低，反应温度较低，适合于大批量生产。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115044979 A (43)申请公布日 2022.09.13 (21)申请号 202210657214.0 (22)申请日 2022.06.10 (71)申请人 清华大学 地址 100084 北京市海淀区清华大学 (72)发明人 盛兴　孔德颖　尹斓　 (74)专利代理机构 北京聿宏知识产权代理有限 公司 11372 专利代理师 吴大建　邓树山 (51)Int.Cl. C30B 29/46 (2006.01) C30B 19/00 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) C30B 29/12 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) H01L 51/42 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法及其应用 (57)摘要 本发明涉及一种钙钛矿单晶薄膜的制备方 法，所述方法包括如下步骤：S1、在半导体基底上 制备一层PbS单晶薄膜；S2、将上述生长有PbS薄 膜的所述半导体基底与甲胺卤化物MAX反应生成 钙钛矿MAPbX 单晶薄膜，其中，MA为甲胺阳离子， 3 X为ⅦA族阴离子。采用此方法可制备厘米级的钙 钛矿MAPbX 单晶薄膜，成本较低，反应温度较低， 3 适合于大批量生产。 A 9 7 9 4 4

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