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• 气相外延生长方法及带有外延层的基板的制备方法 公开日期：2024-11-05 公开号：CN114293247A 申请号：CN202111338480.9
  发明 气相外延生长方法及带有外延层的基板的制备方法

  • 申请号：CN202111338480.9
  • 公开号：CN114293247A
  • 公开日期：2024-11-05
  • 申请人：学校法人关西学院|||丰田通商株式会社

  在由包含TaC的材料组成的TaC容器(2)内收容由包含多晶SiC的材料组成的SiC容器(3)，且在将衬底基板(40)收容在该SiC容器(3)内部的状态下，以该TaC容器(2)内成为Si蒸气压力的方式且以产生温度梯度的环境加热TaC容器(2)。其结果，通过因SiC容器(3)的内表面被蚀刻而升华的C原子和环境中的Si原子键合，在衬底基板(40)上生长单晶3C‑SiC的外延层(41)。

  发布时间：2023-05-05 09:51:53

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• 一种单晶金刚石生产设备用控温散热装置 公开日期：2024-11-05 公开号：CN117488401A 申请号：CN202311472192.1
  发明 一种单晶金刚石生产设备用控温散热装置

  • 申请号：CN202311472192.1
  • 公开号：CN117488401A
  • 公开日期：2024-11-05
  • 申请人：上海征世科技股份有限公司

  本发明公开了一种单晶金刚石生产设备用控温散热装置，控温散热装置包括柜体、控制系统、微波发生器、反应室、密封基板，控制系统与柜体紧固连接，微波发生器与柜体紧固连接，微波发生器与控制系统电连接，反应室与微波发生器的输出端连通，密封基板与反应室抵接，密封基板上设有沉积台，密封基板下方设有电动推杆，电动推杆与柜体紧固连接，柜体内设有散热系统，柜体为本装置的安装基础，为各组件提供稳定的工作环境，控制系统用于调控各组件的工作状态，散热系统用于控制金刚石生产过程中的温度，将温度控制在适合的区间。

  发布时间：2024-02-04 07:50:06

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• 一种附带原料气均匀电离功能的单晶金刚石生长设备 公开日期：2024-11-05 公开号：CN117779181A 申请号：CN202311648344.9
  发明 一种附带原料气均匀电离功能的单晶金刚石生长设备

  • 申请号：CN202311648344.9
  • 公开号：CN117779181A
  • 公开日期：2024-11-05
  • 申请人：上海征世科技股份有限公司

  本发明公开了一种附带原料气均匀电离功能的单晶金刚石生长设备，涉及单晶金刚石制备技术领域，该生长设备包括进料仓与进料床，进料仓内上设置有进料盘，进料盘与进料仓滑动连接，进料盘上设置有升降架，升降架上设置有升降气缸，升降气缸输出端上设置有合成架，进料仓上设置有合成仓，合成仓上设置有合成管，合成管上设置有微波发生器，合成仓内设置有加压仓，加压仓内设置有控压组件，合成架上设置有托举台，托举台上设置有多个探针组，每个探针组分别与托举台滑动连接，合成仓底端设置有多个密封板，每个密封板分别与合成仓滑动连接，加压仓内设置有排气管，排气管与加压仓连通，本发明具有自动加压以原料气体均匀电离的功能。

  发布时间：2024-03-31 07:31:58

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• 一种晶体生长装置 公开日期：2024-11-01 公开号：CN112695376A 申请号：CN202110145355.X
  发明 一种晶体生长装置

  • 申请号：CN202110145355.X
  • 公开号：CN112695376A
  • 公开日期：2024-11-01
  • 申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

  一种晶体生长装置，涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的装置。包括炉体，置于炉体底部的坩埚及加热保温系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还包括可升降式加热罩机构，包括加热罩体、加热罩支撑部件、设置在加热罩体四周的加热丝、加热罩升降机构。采用本装置，可以降低晶体生长过程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内的应力，降低缺陷，避免晶体开裂，同时保持熔体内的温度梯度，保证晶体生长过程稳定，从而保证晶体成品率。

  发布时间：2023-06-05 18:05:08

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• 一种PVT法生长碳化硅晶体的方法 公开日期：2024-11-01 公开号：CN114921849A 申请号：CN202210639144.6
  发明 一种PVT法生长碳化硅晶体的方法

  • 申请号：CN202210639144.6
  • 公开号：CN114921849A
  • 公开日期：2024-11-01
  • 申请人：中材人工晶体研究院（山东）有限公司

  本申请提供了一种PVT法生长碳化硅晶体的方法，其包括以下步骤：将放置有碳化硅原料和籽晶的坩埚置于生长炉内；对生长炉抽真空并加热，通入含有甲烷的保护气体；生长碳化硅晶体。本申请通过引入含有甲烷的保护气体，调整碳化硅晶体生长过程中硅组分和碳组分的比例，避免碳化硅晶体在富硅气氛下出现碳包裹体、微管、位错等缺陷，进而生长出高质量的碳化硅晶体。

  发布时间：2023-05-20 11:16:11

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• 在(111)Si上生长的第III-V族材料的受控的n-掺杂的方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114341408A 申请号：CN202080049906.6
  PCT发明 在(111)Si上生长的第III-V族材料的受控的n-掺杂的方法

  • 申请号：CN202080049906.6
  • 公开号：CN114341408A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：集成太阳能私人有限公司

  本发明涉及一种提供在(111)Si上生长的n‑掺杂的第III‑V族材料的方法，并且尤其涉及一种包括与不生长步骤交错的生长第III‑V族材料的步骤的方法，其中生长步骤和不生长步骤两者都受到恒定的不间断的砷流浓度的影响。

  发布时间：2023-05-06 09:51:15

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• 一种无机化合物晶体及其制备方法与应用 公开日期：2024-10-29 公开号：CN116024667A 申请号：CN202111238403.6
  发明 一种无机化合物晶体及其制备方法与应用

  • 申请号：CN202111238403.6
  • 公开号：CN116024667A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：闽都创新实验室|||中国科学院福建物质结构研究所

  本申请包括一种无机化合物晶体及其制备方法与应用。该晶体的化学式为Cs5Ga9S16，其晶体结构属于单斜晶系，空间群为Pc，具有三维类金刚石网格结构；所述三维类金刚石网格结构主要是由[Ga9S20]多面体基团作为基本的重复单元，通过共用顶点S相互连接；碱金属元素Cs分散填充在所述三维类金刚石网格结构之中，作为电荷平衡。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质,在红外波段能够实现相位匹配，具有宽的光学带隙，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.8倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的75倍。

  发布时间：2023-05-16 09:01:39

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• 层叠结构体及层叠结构体的制造方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN114302982A 申请号：CN202080059393.7
  PCT发明 层叠结构体及层叠结构体的制造方法

  • 申请号：CN202080059393.7
  • 公开号：CN114302982A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：信越化学工业株式会社

  本发明为一种层叠结构体，其具有结晶性衬底和以镓作为主要成分并且具有β‑gallia结构的结晶性氧化物膜，所述结晶性衬底为以钽酸锂作为主要成分的结晶性衬底；由此提供一种具有热稳定结晶性氧化物膜的廉价层叠结构体。

  发布时间：2023-05-05 09:50:56

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• SiC半导体装置的制造方法和SiC半导体装置 公开日期：2024-10-25 公开号：CN114423890A 申请号：CN202080065954.4
  PCT发明 SiC半导体装置的制造方法和SiC半导体装置

  • 申请号：CN202080065954.4
  • 公开号：CN114423890A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：学校法人关西学院|||丰田通商株式会社

  本发明是所要解决的技术问题是提供高质量的SiC半导体装置。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC半导体装置的制造方法，其包括：生长步骤，在包括SiC单晶的被处理体上形成生长层；器件形成步骤，在所述生长层中形成SiC半导体装置的至少一部分；以及分离步骤，将所述SiC半导体装置的至少一部分从所述被处理体分离。通过采用这样的结构，本发明可以在晶片翘曲得到抑制的SiC晶片上形成SiC半导体装置的至少一部分之后，分离包含该一部分的SiC晶片，因而可以在抑制由晶片翘曲对SiC工艺的影响的同时实现经济性优异的SiC半导体装置的制造。

  发布时间：2023-05-09 10:44:22

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• 碳化硅晶片及其制造方法和半导体器件 公开日期：2024-10-25 公开号：CN114250516A 申请号：CN202111093519.5
  发明 碳化硅晶片及其制造方法和半导体器件

  • 申请号：CN202111093519.5
  • 公开号：CN114250516A
  • 公开日期：2024-10-25
  • 申请人：赛尼克公司

  本实施方式提供如下的碳化硅锭及碳化硅晶片：在碳化硅锭的制造过程中，通过控制非活性气体的流量、反应容器的热特性来确保换算弹性模量、硬度等的机械特性。并且，本实施方式提供如下的碳化硅锭及晶片：如位错密度等的缺陷值降低，具有良好的质量。

  发布时间：2023-05-05 09:21:32

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