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• 超导量子比特空气桥的除胶方法及其芯片 公开日期：2021-06-22 公开号：CN113003535A 申请号：CN202110193710.0
  发明 超导量子比特空气桥的除胶方法及其芯片

  • 申请号：CN202110193710.0
  • 公开号：CN113003535A
  • 公开日期：2021-06-22
  • 申请人：中国科学院物理研究所

  本发明提供了一种超导量子比特空气桥的除胶方法，所述方法包括利用丙酮和N‑甲基吡咯烷酮混合溶液对多超导量子比特空气桥上的光刻胶进行喷淋处理。本发明方法成功去除了超导量子比特空气桥工艺中的光刻胶，解决了原有浸泡法除胶所存在的问题。经测试，应用本发明工艺所得到的多量子比特性能达到世界相应水平。

  发布时间：2023-06-11 13:40:39

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• 基于针尖增强的电子束诱导碳基纳米结构的可控生长方法 公开日期：2021-06-15 公开号：CN112960644A 申请号：CN202110148034.5
  发明 基于针尖增强的电子束诱导碳基纳米结构的可控生长方法

  • 申请号：CN202110148034.5
  • 公开号：CN112960644A
  • 公开日期：2021-06-15
  • 申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

  基于针尖增强的电子束诱导碳基纳米结构的可控生长方法，涉及纳米结构控制生长领域，本发明以纳米针尖为基底装载在透射电子显微镜样品杆上；通过汇聚电子束光斑辐射纳米针尖表面，诱导纳米针尖表面的非晶碳三维纳米结构生长；按模型图案移动电子束光斑进行直写，纳米针尖表面的非晶碳三维纳米结构跟随着电子束光斑的移动进行生长，实现对纳米针尖表面非晶碳三维纳米结构的可控生长。本发明利用电子束诱导的非晶碳沉积现象，以纳米针尖为基底有效增强局部电场强度，加快电子束诱导有机分子还原成非晶碳的速率，实现非晶碳三维纳米结构的精确、可控的快速生长；同时通过操控电子束的辐照位置可精确控制非晶碳在纳米针尖基底表面的生长方向。

  发布时间：2023-06-11 13:05:54

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• 用于增强磷光体在聚合物基质中的分散的方法和组合物 公开日期：2021-06-04 公开号：CN112912336A 申请号：CN201980064721.X
  PCT发明 用于增强磷光体在聚合物基质中的分散的方法和组合物

  • 申请号：CN201980064721.X
  • 公开号：CN112912336A
  • 公开日期：2021-06-04
  • 申请人：德克萨斯大学体系董事会

  在一个方面中，本公开内容涉及包含含有磷光体材料和硅烷的表面改性的磷光体材料的组合物、其制备方法以及包含该组合物的物品。本摘要意图作为特定领域中用于检索目的的搜索工具，并且不意图限制本公开内容。

  发布时间：2023-06-11 12:28:03

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• 以低碳足迹生产的碳纳米材料用于生产具有低CO2排放的复合材料的用途 公开日期：2021-06-04 公开号：CN112912337A 申请号：CN201980070806.9
  PCT发明 以低碳足迹生产的碳纳米材料用于生产具有低CO2排放的复合材料的用途

  • 申请号：CN201980070806.9
  • 公开号：CN112912337A
  • 公开日期：2021-06-04
  • 申请人：C2CNT 有限责任公司

  将低碳足迹材料用来降低对于生产高碳足迹物质的二氧化碳的排放。形成复合材料的方法包括：提供第一高碳足迹物质；提供碳纳米材料，其在生产1单位重量的碳纳米材料期间，以小于10单位重量的二氧化碳(CO2)排放的碳足迹生产；以及形成包含高碳足迹物质和0.001wt％至25wt％所述碳纳米材料的复合材料，其中所述碳纳米材料均匀地分散在所述复合材料中，从而相对于所述高碳足迹物质，减少用于生产所述复合材料的二氧化碳排放。

  发布时间：2023-06-11 12:28:31

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• 一种基于光镊系统的介质纳米颗粒的组装与固定方法 公开日期：2021-06-04 公开号：CN112897458A 申请号：CN202110072947.3
  发明 一种基于光镊系统的介质纳米颗粒的组装与固定方法

  • 申请号：CN202110072947.3
  • 公开号：CN112897458A
  • 公开日期：2021-06-04
  • 申请人：暨南大学

  本发明属于光学操纵技术领域，公开了一种基于光镊系统的介质纳米颗粒的组装与固定方法。本发明在传统光镊系统对微纳米尺度物体的可操控基础上，采取增加激光功率和物镜数值孔径的方法，实现对高折射率介质纳米颗粒的组装。通过优化激光功率以及激光势阱的位置，并利用介质纳米颗粒的光热效应，使介质纳米颗粒附着于衬底并可永久固定，也为更复杂而精确的复合纳米结构构建提供了方法。本发明克服了传统光镊技术难以操纵高折射率介质纳米颗粒以及难以将所操控颗粒固定这两个难题，组装工艺新颖，可控性及精确度高，成本低，适用范围广。此技术的运用将在新型复合纳米结构的构建以及相关纳米光子学效应研究中发挥重要的作用。

  发布时间：2023-06-11 12:31:49

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• 一种微纳器件聚合物、制备方法及应用 公开日期：2021-05-28 公开号：CN112850639A 申请号：CN202110104290.4
  发明 一种微纳器件聚合物、制备方法及应用

  • 申请号：CN202110104290.4
  • 公开号：CN112850639A
  • 公开日期：2021-05-28
  • 申请人：嘉庚创新实验室

  本发明提供了一种微纳器件聚合物的制备方法，在原始聚合物的表面通过原子层沉积技术生长金属氧化物薄膜，即得所述微纳器件聚合物。该微纳器件聚合物稳定性高。

  发布时间：2023-06-11 12:08:07

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• 量子处理系统 公开日期：2021-05-18 公开号：CN112823136A 申请号：CN201980054854.9
  PCT发明 量子处理系统

  • 申请号：CN201980054854.9
  • 公开号：CN112823136A
  • 公开日期：2021-05-18
  • 申请人：新南创新有限公司

  公开了一种量子处理系统。在一个实施例中，量子处理系统包括：定位在硅晶体衬底中的多个施主原子，每个施主原子定位在施主位点处；以及多个导电控制电极，多个导电控制电极布置在施主原子周围，以将施主原子作为量子比特操作。其中，多个施主原子中的至少两对最近的相邻施主原子沿着硅晶体衬底的[110]方向布置，并且被配置为作为量子比特操作。

  发布时间：2023-06-07 12:37:19

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• 一种黑磷相超薄铋纳米片改性的复合膜及其制备方法 公开日期：2021-04-20 公开号：CN112689609A 申请号：CN201880096143.3
  PCT发明 一种黑磷相超薄铋纳米片改性的复合膜及其制备方法

  • 申请号：CN201880096143.3
  • 公开号：CN112689609A
  • 公开日期：2021-04-20
  • 申请人：南方科技大学

  一种黑磷相超薄铋纳米片改性的复合膜及其制备方法。所述复合膜包括基体膜及插层在基体膜中的黑磷相铋纳米片。实现了黑磷相铋二维材料的大量合成及对材料物性调控的应用，为工业界利用黑磷相铋材料对磁性、半导体等材料进行物性调控提供可行的路线，拓展铋金属的应用领域。

  发布时间：2023-06-04 11:34:08

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• 电子束或离子束在绝缘材料表面成像或微纳加工的方法 公开日期：2021-04-09 公开号：CN112624036A 申请号：CN202011419108.6
  发明 电子束或离子束在绝缘材料表面成像或微纳加工的方法

  • 申请号：CN202011419108.6
  • 公开号：CN112624036A
  • 公开日期：2021-04-09
  • 申请人：浙江大学

  本发明公开了一种电子束或离子束在绝缘材料表面成像或微纳加工的方法，包括以下步骤：1）准备一片超薄导电盖板；2）制备超薄微窗导电盖板；3）对于待刻蚀区域的位置无定点要求的加工需求，将超薄微窗导电盖板覆盖于绝缘衬底表面并固定；对于待刻蚀区域的位置有定点要求的加工需求，使超薄微窗导电盖板的通孔精准覆盖待刻蚀区域，然后固定；4）放置于样品台表面，固定；5）接地处理；6）将样品台放置于真空腔中；7）将电子束或聚焦离子束穿过通孔聚焦于绝缘材料表面进行成像或者刻蚀。本发明流程简单，对样品不存在任何影响，目标覆盖区域位置可随意调整，并且超薄微窗导电盖板可循环使用，是一种高效、便捷、经济实用的方案。

  发布时间：2023-06-03 12:13:06

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• 一种硅纳米锥阵列及其制备方法 公开日期：2021-03-30 公开号：CN112573478A 申请号：CN202011475382.5
  发明 一种硅纳米锥阵列及其制备方法

  • 申请号：CN202011475382.5
  • 公开号：CN112573478A
  • 公开日期：2021-03-30
  • 申请人：苏州大学

  本发明公开了一种硅纳米锥阵列及其制备方法，采用全湿法金属催化化学刻蚀的方法在硅晶圆表面刻蚀出均匀的硅纳米锥阵列，催化剂金属银颗粒直径在硅微纳结构刻蚀过程中逐渐减小，从而实现了大面积硅纳米锥阵列的可控制备。该方法具有低成本、高效率和适用于大规模生产的优势，所制得的硅纳米锥阵列在光电领域、防水、自清洁窗户以及场发射领域都具有广阔的应用前景。

  发布时间：2023-06-02 13:47:38

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