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发明

一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方法

2023-04-24 09:53:37 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202111191935.9
  • 公开（公告）日：2023-07-21
  • 公开（公告）号：CN114014262A
  • 申请人：电子科技大学
摘要：本发明提供了一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方法，属于光电技术领域。采用化学气相沉积法制备石墨烯薄膜，然后采用EBL光刻工艺完成石墨烯表面牺牲层及纳米阵列结构的初加工，保证量子点阵列的均匀性；然后进行FIB雕刻修饰，去除腐蚀过程中出现的棱边缺陷结构，降低棱边粗糙度，保证石墨烯量子点阵列的光洁性；最后腐蚀去除表面牺牲层，得到最后的石墨烯量子点阵列结构。本发明提出的表面牺牲层EBL辅助FIB加工技术是一种高精度微纳阵列加工技术，具有加工精度高、均匀性好、粗糙度低等特点，可广泛应用于微纳结构光电传感集成器件微加工制造；形成的石墨烯量子点阵列，对近红外波段具有吸收峰，可作为一种石墨烯量子点阵列的消光器件。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114014262 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111191935.9 C01B 32/194 (2017.01) G03F 7/16 (2006.01) (22)申请日 2021.10.13 G03F 7/20 (2006.01) (71)申请人 电子科技大学 G03F 7/32 (2006.01) 地址 611731 四川省成都市高新区（西区） 西源大道2006号 (72)发明人 黄小平　昌竹　颜子龙　彭奉江　 陈若童　杨镇源　赵青　 (74)专利代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 邓黎 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) C01B 32/184 (2017.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方 法 (57)摘要 本发明提供了一种石墨

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