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• 摄像装置 公开日期：2021-09-14 公开号：CN113396125A 申请号：CN202080012959.0
  PCT发明 摄像装置

  • 申请号：CN202080012959.0
  • 公开号：CN113396125A
  • 公开日期：2021-09-14
  • 申请人：松下知识产权经营株式会社

  本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备多个像素。所述多个像素中的各个像素包括供入射光透射的对置电极、与所述对置电极对置的像素电极、以及位于所述对置电极与所述像素电极之间且包含多个碳纳米管的光电转换层。所述多个像素包括第1像素以及与所述第1像素相邻的第2像素，所述第1像素的所述像素电极及所述第2像素的所述像素电极被相互分离。在将沿着所述第1像素的所述像素电极和所述第2像素的所述像素电极被排列的方向的碳纳米管的长度设为A，并将沿着该方向的所述第1像素的所述像素电极与所述第2像素的所述像素电极之间的间隔设为B时，从由所述第1像素及所述第2像素构成的组中选择的至少一方的像素中的所述光电转换层所包含的所述多个碳纳米管，包括至少1个满足A＜B的第1碳纳米管。

  发布时间：2023-06-23 08:01:50

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• 纳米构造基板 公开日期：2021-09-10 公开号：CN113382954A 申请号：CN202080011193.4
  PCT发明 纳米构造基板

  • 申请号：CN202080011193.4
  • 公开号：CN113382954A
  • 公开日期：2021-09-10
  • 申请人：日本电镀工程股份有限公司

  本发明提供一种纳米构造基板，是由还原析出而成的被覆层展现凝聚的分极作用及/或电磁的分极作用的复合粒子群所形成。又，提供一种藉由使这种活性位置飞跃性增加而使介质在纳米构造基板的整体中均匀反应的纳米构造基板。从水溶液使金微粒子群(平均粒径20nm)还原析出而使其在透明的半硬化性的聚酯树脂膜上自组装化。此金微粒子群的下部一半沉入聚酯树脂膜中，而埋设于透明的树脂基体的表面侧。然后，将此透明基板重复浸渍于无电解金镀覆液，而使金结晶粒析出于已固定的金微粒子群上。

  发布时间：2023-06-23 07:39:05

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• 一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法 公开日期：2021-08-13 公开号：CN113247860A 申请号：CN202010586908.0
  发明 一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法

  • 申请号：CN202010586908.0
  • 公开号：CN113247860A
  • 公开日期：2021-08-13
  • 申请人：南京大学

  本发明涉及一种嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋结构的制备方法，该方法借助选择性刻蚀和沉积技术，以诱导金属纳米颗粒为引导颗粒，采用热蒸发或EBE方法有效控制引导颗粒的尺寸，采用IPSLS纳米线生长模式制备嵌入式跨表面生长三维纳米线螺旋，三维纳米线螺旋结构与上下两端金属电极形成回路，从而完成有效的电路连接；本发明在形成电流回路后会在螺旋结构内部及附近区域形成高度局域化的磁场，并有效控制尺寸至百纳米级别，可使得仪器的灵敏度和空间分辨率远远优过传统的磁性探测结构，为高速精准的生物磁信号探测提供了重要基础；可与平面微加工工艺兼容，可实现批量化制备，在微纳信息电子、生物医学等领域有很大的应用前景。

  发布时间：2023-06-17 07:14:34

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• 大面阵纳米针结构制备方法及装置 公开日期：2021-08-06 公开号：CN113213421A 申请号：CN202110517417.5
  发明 大面阵纳米针结构制备方法及装置

  • 申请号：CN202110517417.5
  • 公开号：CN113213421A
  • 公开日期：2021-08-06
  • 申请人：清华大学

  本发明公开了一种大面阵纳米针结构制备方法及装置，包括：利用张力梯度驱动微、纳米颗粒在液气界面形成大面积自组装结构，并将其转移至硅基板表面。利用氧气反应离子刻蚀技术对大面积自组装结构中的颗粒直径进行调整，以形成非紧密排列的周期性微、纳米颗粒结构。利用电子束蒸镀在非紧密排列的周期性颗粒结构表面制备镀金层。随后利用超声清洗的方式去除颗粒以形成镀金层、硅基底交替排布的周期性表面。将基板放置于氢氟酸/双氧水混合溶液中进行金催化刻蚀以形成纳米柱结构。最后利用六氟化硫反应离子刻蚀技术对纳米柱结构进行非均匀刻蚀以形成大面阵纳米针结构。该方法制备面积大，制备精度高，形状可控性强、制备稳定性高。

  发布时间：2023-06-16 07:33:22

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• 一种基于磁场驱动磁性纳米粒子自组装的系统及加工方法 公开日期：2021-07-30 公开号：CN113184803A 申请号：CN202110438556.9
  发明 一种基于磁场驱动磁性纳米粒子自组装的系统及加工方法

  • 申请号：CN202110438556.9
  • 公开号：CN113184803A
  • 公开日期：2021-07-30
  • 申请人：西安交通大学

  本发明公开了一种基于磁场驱动磁性纳米粒子自组装的系统及加工方法，包括硅衬底，硅衬底上设置有凹槽结构，所述凹槽结构包括第一金薄膜和第二金薄膜，所述第一金薄膜位于第二金薄膜之上，且二者一体化成型，所述第二金薄膜内部呈阵列嵌套有若干纳米软磁体，所述第一金薄膜上设置有若干贯穿槽，且贯穿槽和纳米软磁体一一对应设置，所述凹槽结构上侧设置有用于流通磁性纳米粒子悬浮液的微流体通道，所述微流体通道的上侧和硅衬底的下侧分别设置有偏置磁场。本发明借助于特殊设计的凹槽结构的几何约束作用，以及纳米软磁体的高局域强磁偶极子吸引力作用，促使磁性纳米粒子在外加偏置磁场的作用下，自组装形成稳定的组装结构。

  发布时间：2023-06-16 07:18:55

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• 用于紧凑的和高数据存储电子器件的基于单个纳米颗粒的非易失性存储系统 公开日期：2021-07-23 公开号：CN113165867A 申请号：CN201980074725.6
  PCT发明 用于紧凑的和高数据存储电子器件的基于单个纳米颗粒的非易失性存储系统

  • 申请号：CN201980074725.6
  • 公开号：CN113165867A
  • 公开日期：2021-07-23
  • 申请人：哈利法科技大学

  提供有一种纳米存储系统的结构。所公开的单位纳米存储单元包括布置在半导体衬底(301)的表面上的单个隔离的纳米颗粒以及相邻的纳米‑肖特基接触(303)。纳米颗粒用作存储位置，在该存储位置处纳米‑肖特基接触(303)在相对小的电压下用作电子的进或出半导体衬底(301)的源或漏。可以通过对纳米颗粒充电或放电而打开(读数1)或关闭(读数0)通过纳米‑肖特基接触(303)的电流。由于电接触是由衬底(301)的背接触和表面上的纳米‑肖特基接触(303)形成的，并且电荷被存储在非常小的纳米颗粒中，因此这允许获得最终的器件的缩小。这也将显著增加芯片上的纳米存储单元的数量。此外，由于小的纳米‑肖特基接触(301)以及用于存储电荷的纳米颗粒的小的尺寸，充电和放电(写/擦除)以及读电压比基于CMOS的闪存单元所需的小。

  发布时间：2023-06-14 13:10:06

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• 细胞内递送生物分子以增强抗原呈递细胞功能 公开日期：2021-07-23 公开号：CN113165866A 申请号：CN201980078902.8
  PCT发明 细胞内递送生物分子以增强抗原呈递细胞功能

  • 申请号：CN201980078902.8
  • 公开号：CN113165866A
  • 公开日期：2021-07-23
  • 申请人：SQZ生物技术公司

  本申请提供增强的抗原呈递细胞，其包含增强所述抗原呈递细胞的活力和/或功能的药剂、和/或抗原、和/或佐剂；制造此类修饰的抗原呈递细胞的方法；以及使用此类修饰的抗原呈递细胞如用于调节个体的免疫应答的方法。

  发布时间：2023-06-15 07:14:11

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• 一种微球辅助金属纳米线精准操控的方法 公开日期：2021-07-13 公开号：CN113104810A 申请号：CN202110378635.5
  发明 一种微球辅助金属纳米线精准操控的方法

  • 申请号：CN202110378635.5
  • 公开号：CN113104810A
  • 公开日期：2021-07-13
  • 申请人：中山大学

  本发明涉及纳米材料技术领域，特别涉及一种微球辅助金属纳米线精准操控的方法，包括以下步骤：S1.配置微球溶液、纳米线溶液；S2.将两片盖玻片之间粘合形成微流体样品池；S3.将步骤S1得到的微球溶液和纳米线溶液按照1:(1～2)的比例混合，然后注入到步骤S2的微流体样品池中；S4.将步骤S3处理之后的微流体样品池放置在光镊系统的样品台上；通过声光偏转器创造多个动态或静态光阱；S5.预设所述光阱运动轨迹或静止位置，通过光阱捕获微球对纳米线进行移动或旋转。该方法不仅可满足稳定性、高精度、灵活性等相关要求，而且不依赖于纳米线的种类、形貌和尺寸，可广泛应用于各种纳米线。

  发布时间：2023-06-14 12:52:11

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• 垂直Ga2O3纳米管有序阵列及其制备方法 公开日期：2021-06-29 公开号：CN113044809A 申请号：CN202110299773.4
  发明 垂直Ga2O3纳米管有序阵列及其制备方法

  • 申请号：CN202110299773.4
  • 公开号：CN113044809A
  • 公开日期：2021-06-29
  • 申请人：南京大学

  本发明公开了一种垂直Ga2O3纳米管有序阵列的制备方法，其基本原理为利用β‑Ga2O3和GaN材料之间的刻蚀差异性，通过ICP刻蚀将热氧化后得到的GaN/β‑Ga2O3纳米线阵列中的GaN核纳米线去除，从而制备出垂直排列的、尺寸可控的β‑Ga2O3纳米管阵列。首先在衬底上GaN薄膜表面蒸镀镍薄膜，退火，使得镍薄膜变成纳米岛状结构作为刻蚀掩膜，利用ICP刻蚀技术来制备获得GaN纳米线有序阵列；将获得GaN纳米线有序阵列在一定温度和氧气氛下进行热氧化，得到GaN/β‑Ga2O3纳米线阵列；采用利于GaN刻蚀的工艺条件，去除作为核的GaN纳米线，即可得到垂直Ga2O3纳米管有序阵列。这是一种全新的、成本较低的、相对简单的制备β‑Ga2O3纳米管的方法，在新型微纳电子学和光电子学领域具有潜在的应用前景。

  发布时间：2023-06-14 12:25:08

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• 一种高折射率全介质纳米球颗粒的制备方法 公开日期：2021-06-29 公开号：CN113044808A 申请号：CN202110259755.3
  发明 一种高折射率全介质纳米球颗粒的制备方法

  • 申请号：CN202110259755.3
  • 公开号：CN113044808A
  • 公开日期：2021-06-29
  • 申请人：东南大学

  本发明公开了一种高折射率全介质纳米球颗粒的制备方法。该方法包括如下步骤：先在基板上利用重力自组装形成均匀纳米球阵列，根据实际所需反射或透射波长，进一步通过干法刻蚀调节阵列中纳米球的尺寸，然后将纳米球阵列浸入金属氧化物溶胶中，以纳米球为内核，在每个纳米球外壳形成高折射率金属氧化物包覆层，所形成的全介质纳米球颗粒具有显著的米氏共振特性。本发明可通过调节阵列中纳米球的尺寸、间距、排列方式、金属氧化物包覆层厚度及不同的结晶相影响电磁共振，获得不同反射及透射波长。制备的纳米球颗粒具有反射率高，稳定性好，成本低的优点，可大规模制备，有望应用于照明显示、光探测、激光、太阳能电池、发光二极管等领域。

  发布时间：2023-06-14 12:23:39

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