一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113968571 A (43)申请公布日 2022.01.25 (21)申请号 202111227324.5 (22)申请日 2021.10.21 (71)申请人 南京大学 地址 210000 江苏省南京市栖霞区仙林大 道163号 (72)发明人 余林蔚　钱文涛　梁逸飞　王军转　 (74)专利代理机构 南京乐羽知行专利代理事务 所(普通合伙) 32326 代理人 李培 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线 制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种防串扰自限制的超细密 排晶硅纳米线制备方法，包括如下步骤：1）采用 旋涂的方法在衬底上旋涂一层电刻胶；2）利用电 子束直写对预设形状的无掩膜图案进行曝光，电 刻胶变性成为二氧化硅，曝光后形成由宽激活生 长区域沟道和窄密排沟道构成的闭合沟道；3）以 步骤2）所形成的闭合沟道为衬底，再次利用光刻 电子束直写或者掩膜板技术在所述宽激活生长 区域定义横向于沟道的图案并进行显影，以定义 催化剂区域；4）在定义的催化剂区域淀积一层带 状的催化金属层。本发明通过激活生长逐渐转变 A 为限制引导，能够实现100%长线率，同时更为严 1 格地控制纳米线的直径及生长路径并具有更高 7 5 8 地晶格质量。 6