最新专利

• 一种基于液态金属基底的超结构及其制备方法 公开日期：2024-01-09 公开号：CN115215291A 申请号：CN202210853761.6
  发明 一种基于液态金属基底的超结构及其制备方法

  • 申请号：CN202210853761.6
  • 公开号：CN115215291A
  • 公开日期：2024-01-09
  • 申请人：上海旦元新材料科技有限公司

  本发明公开一种基于液态金属基底的超结构的制备方法，涉及材料和纳米科技技术领域。包括以下步骤：S10、制备镓铟合金液态金属；S20、将镓铟合金液态金属放入模具中，固定形态；S30、制备由配体包裹的纳米颗粒，并将配体包裹的纳米颗粒配置成配体包裹的纳米颗粒胶体；S40、在S20固定形态后的镓铟合金液态金属内，添加配体包裹的纳米颗粒胶体，得到组装在液体表面的超结构；S50、将组装在液体表面的超结构转移至硅片上，得到液态金属基底的超结构。本发明以具有极大表面张力的液态金属为组装的基底，可以使任意溶剂浮于表面，从而为分散在各种溶剂纳米颗粒的组装提供可能。同时，基于液态金属的流动性，组装超结构可以通过蘸取的方式转移至任意基底上。

  发布时间：2024-01-11 07:00:20

  1

• 一种采用液滴刻蚀外延生长技术制备周期性阵列量子点的方法 公开日期：2024-02-23 公开号：CN115259075A 申请号：CN202210894050.3
  发明 一种采用液滴刻蚀外延生长技术制备周期性阵列量子点的方法

  • 申请号：CN202210894050.3
  • 公开号：CN115259075A
  • 公开日期：2024-02-23
  • 申请人：中山大学

  本发明公开了一种采用液滴刻蚀外延生长技术制备周期性阵列量子点的方法，包括：S1.设置衬底材料，进行表面清洁处理；S2.在衬底材料上生长缓冲层，在缓冲层上生长外延层；S3.通过纳米图形化衬底工艺，在外延层制备周期性阵列的纳米空洞；S4.对具有纳米空洞的外延层进行进行氢原子辅助脱氧处理；S5.在脱氧后的外延层上对纳米空洞的位置定位沉积III族金属液滴，在高温下金属液滴向下刻蚀；S6.在刻蚀后的外延层上填充量子点材料；S7.在量子点和外延层上生长盖层，完成制备。本发明将液滴刻蚀引入量子点定位生长技术，通过对原有图形层的进一步刻蚀，以消除图形加工过程引入的缺陷和损伤，有利于减少量子点生长过程中引入的缺陷，提高量子点材料的性能。

  发布时间：2024-02-25 07:00:53

  12

• 一种新型InP纳米线阵列及其制备方法 公开日期：2023-09-26 公开号：CN115367698A 申请号：CN202210617314.0
  发明 一种新型InP纳米线阵列及其制备方法

  • 申请号：CN202210617314.0
  • 公开号：CN115367698A
  • 公开日期：2023-09-26
  • 申请人：华南理工大学

  本发明属于半导体材料领域，公开了一种新型InP纳米线阵列及其制备方法。本发明用压印模具在InP基板的纳米压印胶层进行压印，得到具有光栅线和掩模版图案的纳米压印胶掩模版InP基板，再用紫外光照射使所述掩模版图案覆盖的区域固化，并清洗干净，然后蒸镀无机薄膜，再用显影液进行清洗，保留了所需图案化的无机薄膜掩模版，再进行刻蚀，制备纳米线阵列结构，再将所述纳米线阵列结构顶部的无机薄膜去除，即得到新型InP纳米线阵列。本发明得到的纳米线阵列排列更加均匀有序，通过调整纳米线阵列的排列，可以实现对不同波长光的光工程管理，从而大幅度提高使用特定波长的光能器件的性能。

  发布时间：2023-09-29 07:00:32

  1

• 纳米线制备方法 公开日期：2023-12-12 公开号：CN115448251A 申请号：CN202211201779.4
  发明 纳米线制备方法

  • 申请号：CN202211201779.4
  • 公开号：CN115448251A
  • 公开日期：2023-12-12
  • 申请人：中国科学院合肥物质科学研究院

  本发明提供一种纳米线制备方法，包括以下步骤：在块状材料上沉积长条状的第一保护层(S1)，用聚焦离子束在块状材料上刻蚀出楔形槽，形成待加工薄片(S2)，用聚焦离子束对待加工薄片进行刻蚀加工，形成减薄薄片(S3)，在减薄薄片彼此相对的两个面上沉积第二保护层(S4)，将沉积了第二保护层的减薄薄片转移到基片上(S5)，用聚焦离子束对基片上的减薄薄片进行刻蚀加工，形成纳米线(S6)。由于聚焦离子束刻蚀是物理方法，本发明的制备方法适用于任何材料，能制备出高长度直径比例的纳米线。

  发布时间：2023-12-14 07:01:09

  1

• 一种加工二维材料纳米结构阵列的装置及方法 公开日期：2023-11-10 公开号：CN115535960A 申请号：CN202211077703.5
  发明 一种加工二维材料纳米结构阵列的装置及方法

  • 申请号：CN202211077703.5
  • 公开号：CN115535960A
  • 公开日期：2023-11-10
  • 申请人：南方科技大学

  本发明公开了一种加工二维材料纳米结构阵列的装置及方法，其中，包括加工室、充气结构、支架、第一位移工作台、第二位移工作台、模板和电场组件，充气结构与加工室连通，用于输入气体反应介质；支架设于加工室内，支架上形成有相互垂直的水平支撑台面和竖直支撑台面；第一位移工作台设置在水平支撑台面上，用于承载二维材料样品；第二位移工作台设置在竖直支撑台面上；模板设于第二位移工作台上朝向二维材料样品的一侧，用于转印纳米结构阵列至二维材料样品上；模板上设有凸起结构，凸起结构用于诱导二维材料样品的表面氧化；电场组件一端与第一位移工作台连接，另一端与模板连接，用于施加电场。本申请提高了跨尺度加工的可操作性。

  发布时间：2023-11-13 07:01:39

  1

• 基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法和应用 公开日期：2023-07-21 公开号：CN115636389A 申请号：CN202211262272.X
  发明 基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法和应用

  • 申请号：CN202211262272.X
  • 公开号：CN115636389A
  • 公开日期：2023-07-21
  • 申请人：南开大学

  本发明公开了一种基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法，包括：压电片、驱动电极、绝缘层、带有预环切的金线；压电片为基片/衬底；压电片的上下表面均设置有驱动电极；绝缘层位于驱动电极的上层；带有预环切的金线固定在绝缘层上；当驱动电压施加至驱动电极时，所述压电片将发生横向/水平变形，固定在绝缘层上的金线被相应拉伸，精确控制纳米间隙大小。本发明通过使用水平方向膨胀的压电片构建具有埃级调节精度的原位可调片上金属纳米间隙，进一步发展为平面内的可控裂结；为以单分子作为构建模块制造出具有集成潜力的片上器件提供技术支撑。

  发布时间：2023-07-23 07:01:19

  1

• 量子计算单元、单光子源、量子计算装置及量子计算方法 公开日期：2023-03-14 公开号：CN115803283A 申请号：CN202180047077.2
  PCT发明 量子计算单元、单光子源、量子计算装置及量子计算方法

  • 申请号：CN202180047077.2
  • 公开号：CN115803283A
  • 公开日期：2023-03-14
  • 申请人：学校法人早稻田大学

  为了使捕获有多个量子系的量子计算单元(13‑m)确定性地动作，采用具有如下方案的量子计算单元进行量子计算：纳米光纤(131‑m)，其介由锥形部与光纤(12)光学连接着，所述光纤(12)用于传送入射进来的光子；以及多个量子系(132‑m)，其设置在纳米光纤的外侧，且沿纳米光纤的长度方向间隔设置。其中，至少任一量子系用作与光子相互作用的量子比特。

  发布时间：2023-06-07 22:56:43

  1

• 电池和电池材料中的电阻降低 公开日期：2023-10-20 公开号：CN115836024A 申请号：CN202180042455.8
  PCT发明 电池和电池材料中的电阻降低

  • 申请号：CN202180042455.8
  • 公开号：CN115836024A
  • 公开日期：2023-10-20
  • 申请人：乔治·克莱顿·汉森

  通过在电池系统内添加少量导电添加剂，可以显著降低活性阴极和阳极膜的电阻。阴极和/或阳极电阻的降低导致电子更容易通过电池传输，导致功率、容量和速率的增加，同时降低焦耳热损耗。

  发布时间：2023-06-01 07:03:09

  1

• 一种对微纳米颗粒进行富集、分选的装置和方法 公开日期：2023-03-21 公开号：CN115818565A 申请号：CN202211438713.7
  发明 一种对微纳米颗粒进行富集、分选的装置和方法

  • 申请号：CN202211438713.7
  • 公开号：CN115818565A
  • 公开日期：2023-03-21
  • 申请人：浙江大学医学院附属第四医院

  本发明公开了一种对微纳米颗粒进行富集、分选的装置和方法，包括盖板、控制器和设置于所述盖板顶部的超声励振器，所述盖板的底部覆盖有连接片，所述连接片的底部键合有芯片，所述芯片的顶部设置有等距离分布的微孔，所述芯片的底部设置有底板，所述盖板、所述连接片、所述芯片的四侧外壁均设置有侧板。本发明操控能力增强，与固体结构界面相比，气泡界面自由度高，超声激发气泡阵列振动产生固体结构振动不具备的多模式声流场，微结构和气泡结合，使得气泡能在声场中指定位置振荡，不容易受声场和流场的影响而随意移动，提高流体中微粒的可操控性，可对微孔结构进行程序化设计，在指定位置进行微纳米颗粒的操控。

  发布时间：2023-06-01 07:06:07

  1

• 石墨烯栅格、石墨烯栅格的制造方法、结构分析对象物质的结构分析方法 公开日期：2023-04-18 公开号：CN115989189A 申请号：CN202180050861.9
  PCT发明 石墨烯栅格、石墨烯栅格的制造方法、结构分析对象物质的结构分析方法

  • 申请号：CN202180050861.9
  • 公开号：CN115989189A
  • 公开日期：2023-04-18
  • 申请人：国立大学法人大阪大学

  本发明提供一种石墨烯栅格，例如在基于冷冻电子显微镜的结构分析等中，能够抑制或防止结构分析对象物质的不均匀分布、取向性的偏差等，并且能够高效率地捕捉结构分析对象物质，能够以高分辨率进行结构分析对象物质的结构分析。为了实现上述目的，本发明的石墨烯栅格具有在石墨烯表面导入了官能团的结构。

  发布时间：2023-05-28 09:06:19

  1