最新专利

• 一种消除二维材料褶皱的方法及其应用 公开日期：2022-07-22 公开号：CN114772547A 申请号：CN202210374537.9
  发明 一种消除二维材料褶皱的方法及其应用

  • 申请号：CN202210374537.9
  • 公开号：CN114772547A
  • 公开日期：2022-07-22
  • 申请人：国家纳米科学中心

  本发明提供一种消除二维材料褶皱的方法及其应用，所述方法包括将贴合在目标基底上的二维材料浸入插层剂中浸泡处理，退火处理，完成所述二维材料褶皱的消除。本发明提供的消除二维材料褶皱的方法不仅具有操作简单、效率高的优点，而且还具有对二维材料的自身性质影响不大的优势；同时本发明提供的方法在操作过程中无需借助特殊的设备和仪器，即可实现二维材料褶皱的消除，且消除成功率很高，为实现二维材料的无损转移提供了一种新的思路。

  发布时间：2023-05-17 11:41:14

  0

• 一种实现结构色的纳米结构及其制备方法 公开日期：2022-06-28 公开号：CN114671402A 申请号：CN202210319265.2
  发明 一种实现结构色的纳米结构及其制备方法

  • 申请号：CN202210319265.2
  • 公开号：CN114671402A
  • 公开日期：2022-06-28
  • 申请人：中国科学院微电子研究所

  本发明涉及结构色超表面技术和显示技术领域，尤其涉及一种实现结构色的纳米结构及其制备方法，该实现结构色的纳米结构，包括：包括：衬底，位于衬底上的手性纳米结构，该手性纳米结构呈周期性阵列排布，该周期性阵列排布的参数为在x方向和y方向的排布周期均为200nm～500nm，以用于在各种观测条件下进行显色，该手性纳米结构具体采用大于预设折射率的介质材料，由于手性纳米结构的偏振转换能力以及材料的性质，可以降低损耗，提高显色分辨率。

  发布时间：2023-05-14 12:13:40

  0

• 一种悬浮多电极范德华异质结电子器件及其制备方法 公开日期：2022-06-24 公开号：CN114655921A 申请号：CN202210189985.1
  发明 一种悬浮多电极范德华异质结电子器件及其制备方法

  • 申请号：CN202210189985.1
  • 公开号：CN114655921A
  • 公开日期：2022-06-24
  • 申请人：山西大学

  本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种悬浮多电极范德华异质结电子器件及其制备方法。本发明将二维范德华纳米功能材料与传统纳米机电系统进行耦合，采用“自下而上”垂直堆叠将范德华异质结悬浮于带有底栅的阵列孔洞表面，并通过微纳加工与等离子刻蚀等技术手段，可获得多电极、阵列化悬浮范德华微纳器件，具有重复性高，普适性强等特性，有利于进一步集成至模块化电路，在一定程度上缩小了器件的尺寸，为基于范德华材料及其异质结的微纳传感器件制备提供了指导。

  发布时间：2023-05-14 11:56:55

  0

• RRAM材料和装置 公开日期：2022-06-14 公开号：CN114630806A 申请号：CN202080058290.9
  PCT发明 RRAM材料和装置

  • 申请号：CN202080058290.9
  • 公开号：CN114630806A
  • 公开日期：2022-06-14
  • 申请人：澳大利亚高级材料有限公司

  公开了用于制造稳定的钛酸锶纳米立方体溶胶的方法。这些溶胶可用于制造适用于RRAM应用的可切换层，并且切换性能是稳定且可重复的。这些RRAM层包含钛酸锶纳米立方体和表面活性剂的混合物。

  发布时间：2023-05-14 11:25:40

  0

• 带有具有降低的偏振灵敏度的衍射光栅的显示装置 公开日期：2022-06-10 公开号：CN114616210A 申请号：CN202080075176.7
  PCT发明 带有具有降低的偏振灵敏度的衍射光栅的显示装置

  • 申请号：CN202080075176.7
  • 公开号：CN114616210A
  • 公开日期：2022-06-10
  • 申请人：奇跃公司

  衍射光栅在头戴式显示系统中提供光学元件，例如，将光耦入波导中或将光耦出波导。这些衍射光栅可以被配置为具有降低的偏振灵敏度。例如，这样的光栅可以以相似的效率水平将不同偏振的光耦入或者耦出。衍射光栅和波导可包括透射层和金属层。衍射光栅可包括闪耀光栅。

  发布时间：2023-06-18 07:24:44

  0

• 纳米结构材料的连续流动合成 公开日期：2022-05-27 公开号：CN114538369A 申请号：CN202210283581.9
  发明 纳米结构材料的连续流动合成

  • 申请号：CN202210283581.9
  • 公开号：CN114538369A
  • 公开日期：2022-05-27
  • 申请人：陶氏环球技术有限责任公司|||罗门哈斯电子材料有限责任公司|||伊利诺伊大学评议会

  纳米结构材料的连续流动合成。在一方面，提供方法，所述方法包含a)在5秒或更短的时间内将一种或多种纳米结构材料试剂加热100℃或更高；和b)使所述纳米结构材料试剂反应以形成纳米结构材料反应产物。在另一方面，提供方法，所述方法包含a)使包含一种或多种纳米结构材料试剂的流体组合物流过反应器系统；和b)使所述纳米结构材料试剂反应以形成包含Cd、In或Zn的纳米结构材料反应产物。在又一方面，提供方法，所述方法包括使一种或多种纳米结构材料试剂流过第一反应单元；冷却已经流过所述第一反应单元的所述一种或多种纳米结构材料试剂或其反应产物；和将所述冷却的一种或多种纳米结构材料试剂或其反应产物流过第二反应单元。

  发布时间：2023-05-12 11:39:59

  0

• 可扩展可编程的相干波形发生器 公开日期：2022-05-17 公开号：CN114514192A 申请号：CN202080055470.1
  PCT发明 可扩展可编程的相干波形发生器

  • 申请号：CN202080055470.1
  • 公开号：CN114514192A
  • 公开日期：2022-05-17
  • 申请人：爱奥尼克公司

  本公开描述了具有可缩放和可编程相干波形发生器的系统的各个方面。描述了一种网络和通过该网络使用的数模转换(DAC)卡，其中，每个DAC卡具有时钟分频器/复制器设备，该时钟分频器/复制器设备具有输入SYNC引脚、数字逻辑组件和一个或多个DAC组件，并且DAC组件的每个输出用于控制用于量子信息处理(QIP)系统的单独量子位的光束。所述网络还包括向DAC卡中的时钟分频器/复制器设备提供时钟信号的第一分配网络，以及向DAC卡提供起始信号的第二分配网络，其中，当所述起始信号被断言时，所述DAC卡中的数字逻辑组件使用所述起始信号来断言输入SYNC引脚，除非所述起始信号被所述数字逻辑组件屏蔽。

  发布时间：2023-05-10 11:40:35

  0

• 一种磁场与机械振动结合的硅纳米结构制备方法 公开日期：2022-04-12 公开号：CN114314504A 申请号：CN202111632799.2
  发明 一种磁场与机械振动结合的硅纳米结构制备方法

  • 申请号：CN202111632799.2
  • 公开号：CN114314504A
  • 公开日期：2022-04-12
  • 申请人：杭州电子科技大学

  本发明公开了一种磁场与机械振动结合的硅纳米结构制备方法，通过振动硅片，使预先沉积在硅片上的导磁性膜析出导磁性金属粒子，通过向三个漆包线绕线组产生三个磁场，使导磁性金属粒子沿磁场的磁力线排布，并在持续振动作用下沿硅片表面磁力线指向与硅片表面发生撞击，使团聚在导磁性金属粒子周围的腐蚀液中的酸随导磁性金属粒子撞击硅片表面，与硅片反应；在振动与磁场结合作用下，导磁性金属粒子不断重复与硅片表面撞击，并不断回到磁力线位置进行排布，逐渐完成硅片表面的微纳米结构制备。本发明通过改变三个漆包线绕线组通入电流的频率、相位和幅值，能获得不同磁场分布，使导磁性金属粒子能带动腐蚀液中的酸在硅片上刻蚀出不同的预设图案。

  发布时间：2023-05-06 10:04:09

  0

• 超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备 公开日期：2022-04-12 公开号：CN114314505A 申请号：CN202111651342.6
  发明 超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备

  • 申请号：CN202111651342.6
  • 公开号：CN114314505A
  • 公开日期：2022-04-12
  • 申请人：中山大学

  本发明属于磷化硼材料制备技术领域，具体涉及超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备，本发明利用VLS生长机制成功合成了超长超硬同位素纯10BP微纳米线，克服了硼的高熔点与磷的低升华温度之间的热力学矛盾。具体是以镍粉为催化剂，以富含红磷和同位素的10B粉为前驱体，合成得到超长超硬10BP微纳米线。与在较低温度下合成的超硬材料相比，10BP微纳米线表现出优异的性能，其长度达到1.1cm，硬度相当高，达到了40GPa的超硬阈值(41GPa)。此外，将10BP微纳米线集成到探测器中，器件表现出良好的光响应和压电特性，证明了该材料在光电、应变传感和固态半导体核辐射检测中的应用前景。

  发布时间：2023-05-06 10:05:58

  0

• 一种磁场与振动结合的硅片微纳米结构制备装置 公开日期：2022-04-08 公开号：CN114291786A 申请号：CN202111681487.0
  发明 一种磁场与振动结合的硅片微纳米结构制备装置

  • 申请号：CN202111681487.0
  • 公开号：CN114291786A
  • 公开日期：2022-04-08
  • 申请人：杭州电子科技大学

  本发明公开了一种磁场与振动结合的硅片微纳米结构制备装置，包括衔铁圈、漆包线绕线组、反应釜、振动器和夹紧托盘；衔铁圈固定在反应釜的侧壁上；三个漆包线绕线组绕在衔铁圈上；夹紧推盘固定在反应釜底部；反应釜底部与振动器的输出端固定连接；振动器和三个漆包线绕线组分别连接一个电源。本发明通过改变三个漆包线绕线组通入电流的频率、相位和幅值，能获得不同的磁场分布，使得导磁性金属粒子周围团聚的腐蚀液中的酸能在硅片上刻蚀出不同的预设图案；本发明结构简单，在硅片加工时具有较高的精度。

  发布时间：2023-05-05 10:01:59

  0