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PCT发明

用于制造MEMS器件的方法和系统2024

2024-06-01 07:53:01 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202280067110.2
  • 公开（公告）日：2024-05-28
  • 公开（公告）号：CN118103321A
  • 申请人：应美盛股份有限公司
摘要：一种器件包括衬底和金属间电介质(IMD)层，IMD层被设置在衬底上方。该器件还包括第一多个多晶硅层，该第一多个多晶硅层被设置在IMD层上方并被设置在凸部挡块上方。该器件还包括第二多个多晶硅层，该第二多个多晶硅层被设置在IMD层内。该器件包括具有第一侧和第二侧的经图案化的致动器层，其中经图案化的致动器层的第一侧加衬有多晶硅层，并且其中经图案化的致动器层的第一侧面向凸部挡块。该器件进一步包括：支座，该支座在IMD层上方形成；过孔，该过孔穿过支座从而与致动器的多晶硅层、以及第二多个多晶硅层的部分电接触；以及接合材料，该接合材料被设置在经图案化的致动器层的第二侧上。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118103321 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202280067110.2 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 (22)申请日 2022.07.29 专利代理师 任曼怡　张鑫 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 63/229,390 2021.08.04 US B81B 3/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2024.04.02 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2022/038850 2022.07.29 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2023/014603 EN 2023.02.09 (71)申请人 应美盛股份有限公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 李大成　A ·卡斯伯森　 权利要求书3页 说明书20页 附图170页 (54)发明名称 用于制造MEMS器件的方法和系统 (57)摘要 一种器件包括衬底和金属间电介质(IMD)

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