实用新型

宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL2024

2024-06-01 08:18:07 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202322305782.7
  • 公开(公告)日:2024-05-28
  • 公开(公告)号:CN221027689U
  • 申请人:吉光半导体科技有限公司
摘要:本实用新型涉及激光器技术领域,具体提供一种宽调谐范围的可调谐MEMS‑VCSEL,在常规VCSEL结构上设计了分段式的MEMS结构,MEMS单元包括两个功能区,每个功能区内均包括一个空气层,并通过调整相应的厚度控制层,对两个空气层的厚度进行改变,通过对两个功能区进行电压驱动,使MEMS悬臂产生形变,改变谐振腔长,进而实现对输出波长的调谐,通过分别控制两个MEMS功能区,悬臂可实现向上和向下的弯曲,有效的扩大了在MEMS悬臂的最大位移范围,即提高了波长调谐范围。本实用新型扩大了MEMS悬臂部分可实现的最大位移范围,解决了在小气隙厚度下MEMS结构调谐范围受限的问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 221027689 U (45)授权公告日 2024.05.28 (21)申请号 202322305782.7 (22)申请日 2023.08.25 (73)专利权人 吉光半导体科技有限公司 地址 130000 吉林省长春市经济技术开发 区淄博路1783-16号 (72)发明人 王小龙 于舒睿 蒋宁 佟存柱  (74)专利代理机构 长春中科长光知识产权代理 事务所(普通合伙) 22218 专利代理师 张羽 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) H01S 5/183 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 (54)实用新型名称 宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL (57)摘要 本实用新型涉及激光器技术领域,具体提供 一种宽调谐范围的可调谐MEMS‑VCSEL ,在常规 VCSEL结构上设计了分段式的MEMS结构,MEMS单 元包括两个功能区,每个功能区内均包括一个空 气层,并通过调整相应的厚度控制层,对两个空 气层的厚度进行改变,通过对两个功能区进行电 压驱动,使MEMS悬臂产生形变,改变谐振腔长,进 而实现对输出波长的调谐,通过分别控制两个 MEMS功能区,悬臂可实现向上和向下的弯曲,有 效的扩大了在MEMS悬臂的最大位移范围,即提高 了波长调谐范围。本实用新型扩大了MEMS悬臂部 分可实现的最大位移范围,解决了在小气

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