最新专利

• 一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方法 公开日期：2023-07-21 公开号：CN114014262A 申请号：CN202111191935.9
  发明 一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方法

  • 申请号：CN202111191935.9
  • 公开号：CN114014262A
  • 公开日期：2023-07-21
  • 申请人：电子科技大学

  本发明提供了一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方法，属于光电技术领域。采用化学气相沉积法制备石墨烯薄膜，然后采用EBL光刻工艺完成石墨烯表面牺牲层及纳米阵列结构的初加工，保证量子点阵列的均匀性；然后进行FIB雕刻修饰，去除腐蚀过程中出现的棱边缺陷结构，降低棱边粗糙度，保证石墨烯量子点阵列的光洁性；最后腐蚀去除表面牺牲层，得到最后的石墨烯量子点阵列结构。本发明提出的表面牺牲层EBL辅助FIB加工技术是一种高精度微纳阵列加工技术，具有加工精度高、均匀性好、粗糙度低等特点，可广泛应用于微纳结构光电传感集成器件微加工制造；形成的石墨烯量子点阵列，对近红外波段具有吸收峰，可作为一种石墨烯量子点阵列的消光器件。

  发布时间：2023-04-24 09:53:37

  0

• 一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备 公开日期：2023-07-21 公开号：CN114348957A 申请号：CN202111661815.0
  发明 一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备

  • 申请号：CN202111661815.0
  • 公开号：CN114348957A
  • 公开日期：2023-07-21
  • 申请人：杭州电子科技大学

  本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，电机驱动两石墨电极旋转；三个超声发生器分别装配在反应釜内部的底面和两侧壁面上；一个超声发生器装配在釜端盖的下表面上。本发明通过两对超声发生器在硅片表面形成驻波场，使带电金属粒子停滞在驻波场的驻波节点上；石墨电极通电使带电金属粒子沿交变电场力方向运动，团聚在带电金属粒子周围的腐蚀液中的酸在带电金属粒子带动下与硅片表面反应；通过改变超声波频率和幅值改变驻波场中驻波节点位置，改变在硅片上的刻蚀位置；电机调整两石墨电极位置，使交变电场力方向改变；改变交变电流的频率和幅值，调整微结构刻蚀深度。本发明能按预设图案对硅片进行刻蚀。

  发布时间：2023-05-09 09:46:43

  0

• 共振纳米光子生物传感器 公开日期：2023-07-14 公开号：CN116438137A 申请号：CN202180069115.4
  PCT发明 共振纳米光子生物传感器

  • 申请号：CN202180069115.4
  • 公开号：CN116438137A
  • 公开日期：2023-07-14
  • 申请人：小利兰·斯坦福大学托管委员会

  使用超表面来提供生物目标的光学感测，该超表面具有导模共振，该导模共振具有从该超表面延伸出来的电场分布。此类超表面的表面功能化可以被用于为诸如核酸、蛋白质、小分子、细胞外囊泡和全细胞之类的生物目标提供感测。目标与表面功能化的结合可以影响导模共振的共振波长，从而为生物目标提供灵敏的测定。

  发布时间：2023-07-16 07:19:13

  0

• 固态纳米孔形成 公开日期：2023-06-30 公开号：CN116368095A 申请号：CN202180059600.3
  PCT发明 固态纳米孔形成

  • 申请号：CN202180059600.3
  • 公开号：CN116368095A
  • 公开日期：2023-06-30
  • 申请人：牛津纳米孔科技公开有限公司

  本发明涉及一种用于产生包括开孔的衬底的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括固态膜和在所述固态膜的第一表面上的化学表面改性；以及通过所述化学表面改性和所述固态膜形成开孔。本发明还涉及包括化学表面膜和开孔的衬底、包括此类衬底的传感器和包括此类衬底的设备。

  发布时间：2023-07-03 10:01:39

  0

• 等离子改性3D纳米图案及引导嵌段共聚物自组装的方法 公开日期：2023-06-27 公开号：CN116332122A 申请号：CN202310053555.1
  发明 等离子改性3D纳米图案及引导嵌段共聚物自组装的方法

  • 申请号：CN202310053555.1
  • 公开号：CN116332122A
  • 公开日期：2023-06-27
  • 申请人：中国科学院长春应用化学研究所

  本发明属于纳米结构制造技术领域，本发明公开了一种等离子改性3D纳米图案及引导嵌段共聚物自组装的方法。本发明制备步骤包括：将聚合物刷/毡接枝到基底表面‑清洗‑旋涂光刻胶‑曝光‑显影‑等离子改性‑清洗。其中，通过等离子改性聚合物刷/毡，调节嵌段共聚物与刷/毡之间的界面自由能，从而获取非选择性的基底。该方法易实现，合成简单，是值得推广的获取中性分子刷的方式。同时引导嵌段共聚物进行密度倍增组装，均得到无缺陷长程有序的形貌。相比传统化学图案法减少了修整刻蚀的步骤，制备过程对设备要求较低，制备流程简单易控制，仅需改变曝光剂量和氧等离子改性条件即可引导不同嵌段共聚物进行组装，且获得更高倍率的密度倍增效果。

  发布时间：2023-06-29 07:09:59

  0

• 一种介孔二氧化硅-铂Janus纳米马达的制备方法 公开日期：2023-06-27 公开号：CN116332123A 申请号：CN202310306381.5
  发明 一种介孔二氧化硅-铂Janus纳米马达的制备方法

  • 申请号：CN202310306381.5
  • 公开号：CN116332123A
  • 公开日期：2023-06-27
  • 申请人：安徽工业大学

  本发明属于功能纳米材料技术领域，具体涉及一种介孔二氧化硅‑铂Janus纳米马达的制备方法，该制备方法以正硅酸乙酯和双‑[γ‑(三乙氧基硅)丙基]‑四硫化物为硅源，十六烷基三甲基溴化铵为造孔剂，合成介孔二氧化硅纳米球。采用3‑氨丙基三甲氧基硅烷对其进行氨基修饰，通过戊二醛将聚乙烯亚胺与介孔二氧化硅球偶联，接着通过静电吸附将氯铂酸吸附到介孔二氧化硅纳米球上，以水合肼为还原剂将其还原，最终形成介孔二氧化硅‑铂Janus纳米马达；该纳米马达是以介孔二氧化硅球和金属铂共同组成的各向异性粒子。本发明提供的介孔二氧化硅‑铂Janus纳米马达的制备方法具有操作简单，无需特殊设备，可批量制备等优点。

  发布时间：2023-06-29 07:13:37

  0

• 纳米压印压模 公开日期：2023-06-23 公开号：CN116323475A 申请号：CN202180066177.X
  PCT发明 纳米压印压模

  • 申请号：CN202180066177.X
  • 公开号：CN116323475A
  • 公开日期：2023-06-23
  • 申请人：应用材料公司

  一种用于从主模板压模(stamp)制造纳米压印平版印刷术压模的设备，包括经配置成选择性地将压模背衬材料固定到其上的压模夹盘、经配置为支撑主模板压模的主夹盘，主模板压模包括在其上主图案，主夹盘经配置成支撑主模板压模，主模板压模与选择性地固定到压模夹盘上时的压模背衬材料呈面对关系，其中主模板压模包括在主图案上和中的电磁能量可固化材料，且压模夹盘经配置成及经布置成将其上的背衬材料的一部分定位成与其间隔开并与电磁能量可固化材料接触，且压模夹盘进一步经配置成将与能量可固化材料接触的背衬材料的该部分定位成，在能量可固化材料固化后，与压模夹盘接触。

  发布时间：2023-06-25 07:08:57

  0

• 结合有IR信号透射区域的器件 公开日期：2023-06-23 公开号：CN116323473A 申请号：CN202180074135.0
  PCT发明 结合有IR信号透射区域的器件

  • 申请号：CN202180074135.0
  • 公开号：CN116323473A
  • 公开日期：2023-06-23
  • 申请人：OTI照明公司|||张英杰

  公开了一种半导体器件，该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸，该半导体器件包括：至少一个EM辐射吸收层，该至少一个EM辐射吸收层沉积在第一层表面上并且包括至少一种颗粒结构的不连续层，该至少一种颗粒结构包括沉积材料。该至少一个EM辐射吸收层的该至少一种颗粒结构促进吸收其中的在可见光谱和UV光谱中的至少一者的至少一部分中的EM辐射，同时基本上允许透射其中的在IR光谱和NIR光谱中的至少一者的至少一部分中的EM辐射。

  发布时间：2023-06-25 07:10:05

  0

• 包括低折射率涂层和辐射改性层的器件 公开日期：2023-06-23 公开号：CN116323474A 申请号：CN202180077289.5
  PCT发明 包括低折射率涂层和辐射改性层的器件

  • 申请号：CN202180077289.5
  • 公开号：CN116323474A
  • 公开日期：2023-06-23
  • 申请人：OTI照明公司

  本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸，该半导体器件包括：设置在第一层表面上的至少一个(较)低折射率涂层，以及嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内并且包括至少一种颗粒结构的至少一个EM辐射改性层，该至少一种颗粒结构包括沉积材料。将该至少一个EM辐射改性层的该至少一种颗粒结构嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内修改了该至少一个EM辐射改性层的针对EM辐射的吸收光谱，该EM辐射在EM光谱的至少一部分中以相对于该至少一个EM辐射改性层中的侧向朝向的非零角度至少部分地穿过该至少一个EM辐射改性层。包括第一至少一个(较)低折射率涂层的下部可设置在该第一层表面与该至少一个EM辐射改性层之间，并且包括第二至少一个(较)低折射率涂层的第二部分可设置在该至少一个EM辐射改性层上。

  发布时间：2023-06-25 07:10:06

  0

• 压电复合膜及其制备方法 公开日期：2023-06-23 公开号：CN116323472A 申请号：CN202180051968.5
  PCT发明 压电复合膜及其制备方法

  • 申请号：CN202180051968.5
  • 公开号：CN116323472A
  • 公开日期：2023-06-23
  • 申请人：新科北美公司

  本发明涉及能够将机械能转换成电能的复合膜。该膜包括基板和被配置为形成多个孔的压电纳米颗粒。本发明的膜是柔性和高度多孔的，提供了高介电常数和有益的孔隙率介导的机械性能。当用于压电纳米发电机(PNG)中时，该膜提供了增大的体膜应变和减小的膜阻抗，与已知的PNG相比，产生了具有增加的输出电压和电流的高效率PNG。还描述了合成该膜的方法。提供的方法简单并且具有成本效益。

  发布时间：2023-06-25 07:08:12

  0