作业/运输
- B01 一般的物理或化学的方法或装置;
- B02 破碎、磨粉或粉碎;谷物碾磨的预处理
- B03 用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物料;从固体物料或流体中分离固体物料的磁或静电分离;高压电场分离〔5〕;
- B04 用于实现物理或化学工艺过程的离心装置或离心机;
- B05 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕;
- B06 一般机械振动的发生或传递;
- B07 将固体从固体中分离;分选;
- B08 清洁;
- B09 固体废物的处理;被污染土壤的再生〔3,6〕;
- B21 基本上无切削的金属机械加工;金属冲压;
- B22 铸造;粉末冶金;
- B23 机床;其他类目中不包括的金属加工;
- B24 磨削;抛光;
- B25 手动工具;轻便机动工具;手动器械的手柄;车间设备;机械手;
- B26 手动切割工具;切割;切断;
- B27 木材或类似材料的加工或保存;一般钉钉机或钉U形钉机;
- B28 加工水泥、黏土或石料;
- B29 塑料的加工;一般处于塑性状态物质的加工;
- B30 压力机;
- B31 纸品或纸板或类似纸的方式加工的材料制品制作;纸或纸板或类似纸的方式加工的材料的加工;
- B32 层状产品;
- B33 附加制造技术〔2015.01〕;
- B41 印刷;排版机;打字机;模印机〔4〕;
- B42 装订;图册;文件夹;特种印刷品;
- B43 书写或绘图器具;办公用品;
- B44 装饰艺术;
- B60 一般车辆;
- B61 铁路;
- B62 无轨陆用车辆;
- B63 船舶或其他水上船只;与船有关的设备;
- B64 飞行器;航空;宇宙航行;
- B65 输送;包装;贮存;搬运薄的或细丝状材料;
- B66 卷扬;提升;牵引;
- B67 开启或封闭瓶子、罐或类似的容器;液体的贮运;
- B68 鞍具;家具罩面;
- B81 微观结构技术〔7〕;
- B82 纳米技术〔7〕;
- B99 检索本部其他类目中不包括的技术主题〔8〕;
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最新专利
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电极的制备方法 公开日期:2023-07-04 公开号:CN111517272A 申请号:CN202010248291.1电极的制备方法
- 申请号:CN202010248291.1
- 公开号:CN111517272A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
本申请公开了一种电极的制备方法,包括:提供一衬底;在衬底上依次形成第一氧化层、非晶硅层、金属层和介电抗反射层;进行第一次刻蚀,去除目标区域的介电抗反射层和目标区域中预定深度的金属层,形成第一通孔;进行第二次刻蚀,减薄介电抗反射层和暴露的金属层,形成第二通孔;进行第三次刻蚀,去除目标区域的金属层,使非晶硅层暴露;在暴露的介电抗反射层和非晶硅层的表面形成第二氧化层。本申请通过第一次刻蚀去除目标区域的介电抗反射层,通过第二次刻蚀减薄介电抗反射层和暴露的金属层,通过第三次刻蚀去除目标区域的金属层,从而进行后续的氧化层沉积,解决了通过湿法刻蚀工艺形成电极所导致的良率较低的问题。- 发布时间:2023-07-06 10:40:08
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微机电系统传感器 公开日期:2023-07-04 公开号:CN116374939A 申请号:CN202211288148.0微机电系统传感器
- 申请号:CN202211288148.0
- 公开号:CN116374939A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:三星电子株式会社
提供了一种微机电系统(MEMS)传感器,包括:基板,包括第一空腔;第一框架,包括至少部分地与第一空腔重叠的第二空腔,第一框架的至少一部分与基板间隔开;多个谐振器,多个谐振器中的每一个包括与第一框架连接的第一端以及延伸到第二空腔中的第二端;以及第二框架,包括与第一框架连接的第一区以及与第一框架间隔开的第二区。- 发布时间:2023-07-06 10:26:12
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一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法 公开日期:2023-07-04 公开号:CN112499581A 申请号:CN202011266405.1一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法
- 申请号:CN202011266405.1
- 公开号:CN112499581A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:西安交通大学
本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法,包括:在SiO2/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层;减小纳米微球的直径;在样品表面沉积一层金属薄膜;剥离微球二维胶体晶体层;采用干法刻蚀SiO2层;采用湿法刻蚀Si(001)衬底,形成倒金字塔结构;使用腐蚀溶液剥离SiO2和金属掩模层,得到带倒金字塔结构的Si模板;在Si模板上制备贵金属薄膜;使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上,金字塔结构外露;在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法,成功制备了金字塔型SERS衬底;所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀,同时具有高灵敏性和通用性。- 发布时间:2023-06-02 12:41:40
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可扩展的热电式红外探测器 公开日期:2023-07-04 公开号:CN109052306A 申请号:CN201810765874.4可扩展的热电式红外探测器
- 申请号:CN201810765874.4
- 公开号:CN109052306A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:迈瑞迪创新科技有限公司
本发明披露了一设备和形成该设备的方法,即可扩展的热电式红外探测器。该方法包括提供制备有晶体管和传感器区域的衬底。通过以下方法处理衬底:在衬底中形成下传感器腔,用牺牲材料填充下传感器腔,在传感器区域中形成介电膜,在晶体管区域中形成晶体管以及形成微电机械系统(MEMS)组件在传感器区域中的介电膜上。该方法通过形成具有多个层间介电(ILD)层的后段线(BEOL)电介质而继续,该ILD层具有设置在衬底上用于互连设备部件的金属层和通孔层。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定上传感器腔,并且BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。- 发布时间:2023-07-06 10:39:05
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一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法 公开日期:2023-07-04 公开号:CN110902647A 申请号:CN201911234646.5一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法
- 申请号:CN201911234646.5
- 公开号:CN110902647A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:深圳先进技术研究院|||广州中国科学院先进技术研究所
本发明提供一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法,包括:纳米线条结构模板的制作:在石英玻璃基片一的一侧表面涂覆光刻胶一;然后进行全息曝光,曝光结束后显影,直至在光刻胶一出现纳米线条结构;将显影后的光刻胶一在保护气下进行离子束刻蚀,刻蚀结束后去除光刻胶得到纳米线条结构模板;纳米压印转移模板上的纳米线条结构:在石英玻璃基片二上涂覆光刻胶二;将纳米线条结构模板涂覆脱模剂后压入光刻胶二,进行紫外曝光,直至该模板上的纳米线条结构转移到光刻胶二上;转移完成后,将光刻胶二进行改性固化,脱除纳米线条结构模板;将纳米线条结构基片上纳米线条结构区域分成若干部分,按照顺序以渐变角度一一进行二氧化硅薄膜沉积。- 发布时间:2023-07-06 10:39:51
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压电驱动元件 公开日期:2023-07-04 公开号:CN116390891A 申请号:CN202180071524.8压电驱动元件
- 申请号:CN202180071524.8
- 公开号:CN116390891A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:松下知识产权经营株式会社
本发明提供一种压电驱动元件。压电驱动元件(1)具备:支承体(10);板状的可动部(21),配置有肋部(22);一对蜿蜒型的压电致动器(40),一端(端部(40a))被支承体(10)支承;和连结部(50),将一对压电致动器(40)的另一端(端部(40b))和可动部(21)连结,具有比可动部(21)高的刚性。- 发布时间:2023-07-06 10:25:54
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一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法 公开日期:2023-07-04 公开号:CN113526452A 申请号:CN202110694517.5一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法
- 申请号:CN202110694517.5
- 公开号:CN113526452A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:西安交通大学
本发明公开了一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法,传感器芯片包括外围压力测量单元和中心温度测量单元;压力测量单元由带凸起岛的碳化硅基底,背面刻蚀有圆形背腔形成压力敏感膜片,凸起岛和压力敏感膜片构成了膜岛结构,在凸起岛之外,压力敏感膜片之内,沿着压力敏感膜片根部圆周对称布置四个压阻条;温度测量单元包括基底凸起岛以及布置在其上的薄膜热电偶;当压力作用在芯片上时,压力测量单元通过半导体压阻效应及惠斯通电桥将压力转变成电信号输出,同时温度测量单元通过金属薄膜热电偶塞贝克效应将温度转换成热电势输出,以此完成高温下压力和温度的实时检测,具有耐高温、微型化、灵敏度高、稳定性好等优点。- 发布时间:2023-07-06 10:40:29
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蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器及其制备方法 公开日期:2023-07-04 公开号:CN116374941A 申请号:CN202310356545.5蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器及其制备方法
- 申请号:CN202310356545.5
- 公开号:CN116374941A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:西北工业大学
本发明属于光纤传感器领域,尤其涉及蓝宝石基悬膜光纤F‑P腔MEMS声压传感器及其制备方法。针对目前现有技术中蓝宝石基传感器减薄厚度不足,无法对传感器有高灵敏度需求的高温近场声学测量领域使用,本发明通过采用在悬膜结构的空腔中填充光刻胶作为机械支撑层,然后采用精密减薄抛光工艺将蓝宝石晶圆减薄至目标厚度,再将光刻胶用湿法去除获得大面积悬膜结构,通过耐高温陶瓷胶粘接光纤和陶瓷插芯制得传感器。本发明的大面积超薄悬膜敏感结构的光纤F‑P腔MEMS传感器,在提升传感器力学灵敏度的基础上,减少超薄悬膜在磨削等精密加工中因缺少机械支撑、磨削应力堆积引起的破坏,保证了磨削加工的良率,可以感知声压级大于60dB的声压波动。- 发布时间:2023-07-06 10:32:19
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中心固定的MEMS麦克风膜 公开日期:2023-07-04 公开号:CN108367908A 申请号:CN201680073992.8中心固定的MEMS麦克风膜
- 申请号:CN201680073992.8
- 公开号:CN108367908A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:罗伯特·博世有限公司
MEMS麦克风(101)具有背板(105)、弹簧(215)和膜(103)。在一个实施例中,该膜(103)经由支撑件(107)支撑在膜的近似中心中。该支撑件(107)连接至膜(103)的近似中心和背板(105)的近似中心。该膜(103)连接至提供电连接的弹簧(215)。该膜(103)可以经由电连接而被电偏置。在一个不同的实施例中,一个或多个超程停止件(617)固定至背板(605)并通过膜(603)的孔径(619)。该超程停止件(617)被配置成防止膜(603)在与背板(605)相对的径向方向上移动。该膜(603)包括:应力梯度、折皱、或者设置或确定膜的刚度的另一结构。- 发布时间:2023-07-06 10:38:27
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可开关控制的双工作波段高品质因子超表面传感器及系统 公开日期:2023-07-04 公开号:CN116374943A 申请号:CN202310325312.9可开关控制的双工作波段高品质因子超表面传感器及系统
- 申请号:CN202310325312.9
- 公开号:CN116374943A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:浙江师范大学
本发明公开了一种可开关控制的双工作波段高品质因子超表面传感器及系统。本发明的超表面传感器包括衬底和全电介质超表面结构阵列;全电介质超表面结构阵列包括若干个全电介质超表面结构单元,所述的全电介质超表面结构单元呈四叶草结构,由四个半径大小相等的圆柱体和中间的正方体组成,其材料为GST,通过改变该材料的晶态,实现传感器的开关控制;在所述的全电介质超表面结构单元上还开有圆柱形空气孔,用于形成空间不对称结构。本发明传感器具有具有极高的Q因子和高的折射率灵敏度。该传感器在近红外波段具有两个工作波长,适用多种应用场景检测,并通过改变材料的晶态,可以实现对传感器的开关控制。- 发布时间:2023-07-06 10:31:16
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