一种基于飞秒激光直写的集成微纳电极及制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116374945 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310337427.X (22)申请日 2023.03.31 (71)申请人 华东师范大学 地址 200241 上海市闵行区东川路500号 (72)发明人 程亚　陈锦明　宋吕斌　 (74)专利代理机构 上海蓝迪专利商标事务所 (普通合伙) 31215 专利代理师 徐筱梅　张翔 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种基于飞秒激光直写的集成微纳电极及 制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于飞秒激光直写的集 成微纳电极及制备方法，其制备方法包括铌酸锂 光子芯片上镀金属铬膜、化学气相沉积镀二氧化 硅膜、飞秒光刻铬掩膜、反应离子刻蚀、电子束蒸 发金膜及湿法腐蚀等步骤。本发明使用介质膜及 金属膜代替传统光刻胶，利用飞秒光刻的低成 本、高效率等技术优势，可大规模于光子芯片上 制备高度集成、电极性能优异的大尺寸微纳电极 结构，可应用于片上微型激光器、微波光子学及 高速调制器等领域。 A 5 4 9 4 7 3 6 1 1 N C CN 116374945 A 权　利　要　求　书 1/1 页 1.一种基于飞秒激