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发明

一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法

2023-06-02 12:59:34 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202310444369.0
  • 公开（公告）日：2023-06-30
  • 公开（公告）号：CN116177483A
  • 申请人：中北大学
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS材料制备，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法，LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上，在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压，利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构，制备“钩型”电畴结构，并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性，制备倾角约为90°的“钩型”畴结构，利用纳米级带电畴壁高开关比特性，有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题，制得产物不惧各种恶劣环境，功耗低、开关比高、重复性强，具有稳定性、低能耗、可重复等优点。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116177483 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202310444369.0 (22)申请日 2023.04.24 (71)申请人 中北大学 地址 030051 山西省太原市尖草坪区学院 路3号 (72)发明人 耿文平　乔骁骏　陆昊　丑修建　 牛丽雅　李稼禾　余楠鑫　段志刚　 张亦驰　游亚军　 (74)专利代理机构 太原科卫专利事务所(普通 合伙) 14100 专利代理师 武建云 (51)Int.Cl. B81C 99/00 (2010.01) H03K 19/02 (2006.01) H03K 19/20 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图13页 (54)发明名称 一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级 逻辑门的方法 (57)摘要 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS材料 制备，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控 纳米级逻辑门的方法，LN/SiO /Cr/LN的铌酸锂 2 键合片上，在Single Frequency PFM模式下将针 尖输出电压调整为交流电压，利用两次交流极化 调控成约90°夹角畴结构，制备“钩型”电畴结构， 并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。 本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾 角的特性，制备倾角

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