一种高性能低成本的MEMS红外光源及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116374940 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310309908.X (22)申请日 2023.03.28 (71)申请人 苏州司南传感科技有限公司 地址 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自 由贸易试验区苏州片区苏州工业园区 金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区12 幢102室 (72)发明人 方欢　 (74)专利代理机构 北京环泰睿辰专利代理有限 公司 37322 专利代理师 李英 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种高性能低成本的MEMS红外光源及其制 备方法 (57)摘要 本发明提供一种高性能低成本的MEMS红外 光源及其制备方法，涉及红外光源技术领域。该 高性能低成本的MEMS红外光源 ，包括半导体衬 底、支撑层、金属层、辐射层，所述半导体衬底位 于最下方，且从下往上依次设置有支撑层、金属 层、辐射层，所述半导体衬底内部设置有矩形空 腔，所述支撑层完全覆盖于所述半导体衬底之 上，并形成四边固支结构，所述加热层位于所述 支撑层之上。本发明中，先采用干法将衬底刻蚀 至剩余较薄厚度，此时硅各向异性倾斜角导致的 尺寸增大相比于芯片毫米级的尺寸可忽略，因此 A 芯片尺寸变化不大，同时相比单一的干法刻蚀工