作业/运输
- B01 一般的物理或化学的方法或装置;
- B02 破碎、磨粉或粉碎;谷物碾磨的预处理
- B03 用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物料;从固体物料或流体中分离固体物料的磁或静电分离;高压电场分离〔5〕;
- B04 用于实现物理或化学工艺过程的离心装置或离心机;
- B05 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕;
- B06 一般机械振动的发生或传递;
- B07 将固体从固体中分离;分选;
- B08 清洁;
- B09 固体废物的处理;被污染土壤的再生〔3,6〕;
- B21 基本上无切削的金属机械加工;金属冲压;
- B22 铸造;粉末冶金;
- B23 机床;其他类目中不包括的金属加工;
- B24 磨削;抛光;
- B25 手动工具;轻便机动工具;手动器械的手柄;车间设备;机械手;
- B26 手动切割工具;切割;切断;
- B27 木材或类似材料的加工或保存;一般钉钉机或钉U形钉机;
- B28 加工水泥、黏土或石料;
- B29 塑料的加工;一般处于塑性状态物质的加工;
- B30 压力机;
- B31 纸品或纸板或类似纸的方式加工的材料制品制作;纸或纸板或类似纸的方式加工的材料的加工;
- B32 层状产品;
- B33 附加制造技术〔2015.01〕;
- B41 印刷;排版机;打字机;模印机〔4〕;
- B42 装订;图册;文件夹;特种印刷品;
- B43 书写或绘图器具;办公用品;
- B44 装饰艺术;
- B60 一般车辆;
- B61 铁路;
- B62 无轨陆用车辆;
- B63 船舶或其他水上船只;与船有关的设备;
- B64 飞行器;航空;宇宙航行;
- B65 输送;包装;贮存;搬运薄的或细丝状材料;
- B66 卷扬;提升;牵引;
- B67 开启或封闭瓶子、罐或类似的容器;液体的贮运;
- B68 鞍具;家具罩面;
- B81 微观结构技术〔7〕;
- B82 纳米技术〔7〕;
- B99 检索本部其他类目中不包括的技术主题〔8〕;
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最新专利
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实现低应力敏感结构贴片工艺的方法 公开日期:2023-07-14 公开号:CN111137850A 申请号:CN201911186136.5实现低应力敏感结构贴片工艺的方法
- 申请号:CN201911186136.5
- 公开号:CN111137850A
- 公开日期:2023-07-14
- 申请人:北京自动化控制设备研究所
本发明一种实现低应力敏感结构贴片工艺的方法,能够解决目前采用环氧树脂等胶类的MEMS器件敏感结构贴片方式所存在的技术问题。该方法包括以下步骤:在MEMS器件管壳上镀上一层金层;在所述金层上制作若干个且按设定布局排列的金球;在所述敏感结构的贴装面镀上一层金层;将敏感结构置于所述MEMS器件管壳上,其中,所述金球与敏感结构的贴装面的金层对准,得到复合结构;在真空和高温环境下,对所述敏感结构施加一定压力,通过金金热压焊工艺实现贴装面与金球的连接以完成敏感结构贴片工艺。- 发布时间:2023-07-16 07:32:58
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压力传感器及其制造方法 公开日期:2023-07-14 公开号:CN107892268A 申请号:CN201711113454.X压力传感器及其制造方法
- 申请号:CN201711113454.X
- 公开号:CN107892268A
- 公开日期:2023-07-14
- 申请人:苏州敏芯微电子技术股份有限公司
本发明涉及一种压力传感器及其制造方法,所述压力传感器包括:衬底;收容腔,位于所述衬底内,包括底壁和侧壁;感应本体,悬浮于所述收容腔内,所述感应本体与所述收容腔侧壁之间具有深槽,所述感应本体与收容腔底壁之间具有与所述深槽连通的第一腔体,且所述感应本体与收容腔侧壁之间通过位于所述深槽内的悬梁固定连接;所述感应本体包括:半导体层、位于所述半导体层表面的介质层、贯穿所述介质层至半导体层内的密闭的第二腔体、覆盖所述介质层和第二腔体的器件层,所述器件层表面具有压阻条。上述压力传感器具有应力释放结构,可靠性高。- 发布时间:2023-07-16 07:32:09
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悬浮膜的制备方法及悬浮膜 公开日期:2023-07-14 公开号:CN116425108A 申请号:CN202310425298.X悬浮膜的制备方法及悬浮膜
- 申请号:CN202310425298.X
- 公开号:CN116425108A
- 公开日期:2023-07-14
- 申请人:上海交大平湖智能光电研究院|||上海交通大学
本发明提供了一种悬浮膜的制备方法及悬浮膜,所述方法包括光刻胶旋涂步骤:在干净平整的基底上旋涂光刻胶;铜网放置步骤:将透射电镜用铜网放置在光刻胶表面,静置一段时间;固化步骤:将铜网、光刻胶、基底放在热板上在一定温度下固化;薄膜溅射步骤:将固化后的铜网、光刻胶、基底表面溅射一定厚度的薄膜;悬浮膜获取步骤:将得到的薄膜、铜网、光刻胶、基底放在光刻胶去胶液中,溶解光刻胶,获得悬浮膜。本发明解决现有方法工艺复杂、随机性强等问题,获得厚度可控的悬浮膜。采用将铜网作为支撑结构结合光刻胶的去除,解决了现有技术中悬浮膜随机捞取的问题;本方法流程简单,不需要进行干法及湿法刻蚀,适用于多种材料批量化悬浮膜的制备。- 发布时间:2023-07-16 07:26:38
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刻蚀溶液和刻蚀方法 公开日期:2023-07-14 公开号:CN109835867A 申请号:CN201711190003.6刻蚀溶液和刻蚀方法
- 申请号:CN201711190003.6
- 公开号:CN109835867A
- 公开日期:2023-07-14
- 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司|||中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
一种刻蚀溶液和刻蚀方法,所述刻蚀溶液包括:刻蚀剂;添加剂,所述添加剂包括阻挡颗粒。通过在所述刻蚀溶液中添加包含有阻挡颗粒的添加剂,在所述待刻蚀层侧壁露出后,使所述阻挡颗粒进入所述待刻蚀层的侧壁位置处,并填充于所述待刻蚀层的侧壁上,以实现抑制所述刻蚀剂对所述待刻蚀层侧壁刻蚀的目的,从而改善下切问题、提高湿法刻蚀效果,实现有利于工艺效率和刻蚀效果的兼顾。- 发布时间:2023-07-16 07:32:10
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一种柔性湿度传感器超短脉冲激光直写方法 公开日期:2023-07-14 公开号:CN116425106A 申请号:CN202310295247.X一种柔性湿度传感器超短脉冲激光直写方法
- 申请号:CN202310295247.X
- 公开号:CN116425106A
- 公开日期:2023-07-14
- 申请人:北京工业大学
本发明提供了一种柔性湿度传感器超短脉冲激光直写方法,包括以下步骤:S1:制备金属盐墨水,金属盐墨水包括金属盐、还原剂和去离子水;S2:提供柔性基底,将所述金属盐墨水覆盖在柔性基底表面,将超短脉冲激光聚焦在柔性基底和金属盐墨水形成的界面;通过第一工艺参数的激光直写在柔性基底表面的特定位置实现金属离子的还原沉积生成金属,从而形成导电电极;通过第二工艺参数的激光直写在柔性基底表面的特定位置实现金属离子的还原沉积生成金属氧化物,从而形成传感电极;S3:清洗激光作用后的柔性基底表面,得到导电电极和传感电极均集成在柔性基底表面的湿度传感器。本发明制备效率高,能够实现传感器结构的设计与制造,以及电极材料的调控。- 发布时间:2023-07-16 07:22:13
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一种半导体器件及其制造方法 公开日期:2023-07-14 公开号:CN116199183A 申请号:CN202310474878.8一种半导体器件及其制造方法
- 申请号:CN202310474878.8
- 公开号:CN116199183A
- 公开日期:2023-07-14
- 申请人:润芯感知科技(南昌)有限公司|||华润微电子控股有限公司
一种半导体器件及其制造方法,所述方法包括:提供敏感材料层,敏感材料层的第一表面形成有第一电极;在敏感材料层的第一表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层,其中,牺牲层包括第一牺牲层和包围第一牺牲层的第二牺牲层,第一牺牲层的材料与第二牺牲层的材料不同;在边墙层中形成连接第一牺牲层的释放孔;采用第一刻蚀工艺,通过释放孔去除边墙层内部的第一牺牲层;采用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺,通过释放孔去除第二牺牲层,以在边墙层中形成空腔结构;形成贯穿敏感材料层、与第一电极电连接的第一通孔,并在敏感材料层的第二表面形成与第一通孔电连接的第一焊盘。本发明能够避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。- 发布时间:2023-06-04 11:17:49
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传感器、传感器的制作方法及智能穿戴设备 公开日期:2023-07-14 公开号:CN116425105A 申请号:CN202310438085.0传感器、传感器的制作方法及智能穿戴设备
- 申请号:CN202310438085.0
- 公开号:CN116425105A
- 公开日期:2023-07-14
- 申请人:潍坊歌尔微电子有限公司
本发明提供一种传感器、传感器的制作方法及智能穿戴设备,传感器包括基板和罩设于基板的壳体,基板与壳体配合形成有容纳腔,传感器设置有与容纳腔连通的气孔,容纳腔内设置有信号连接的MEMS芯片和IC芯片,MEMS芯片包括敏感膜,容纳腔内还设置有塑封层,塑封层在敏感膜位置上方形成有凹槽以使敏感膜暴露于塑封层,凹槽上设置有防水透气膜。塑封层在MEMS芯片敏感膜位置上方形成有凹槽,使得敏感膜暴露于塑封层,敏感膜可以正常接收外界信号,设置塑封层还为防水透气膜的设置提供支撑。该传感器具有能够防止异物落到MEMS芯片的敏感膜,提升产品性能的优点。- 发布时间:2023-07-16 07:26:54
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基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构及其制备方法 公开日期:2023-07-14 公开号:CN113387319A 申请号:CN202110656652.0基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构及其制备方法
- 申请号:CN202110656652.0
- 公开号:CN113387319A
- 公开日期:2023-07-14
- 申请人:中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
本发明公开了基于多通孔硅基板的MEMS芯片封装结构及其制备方法,包括:封装管壳、粘胶、多通孔硅基板、ASIC电路芯片和MEMS结构芯片;多通孔硅基板上设置阵列式分布的若干通孔构成的多孔区域;ASIC电路芯片和MEMS结构芯片分别设置于多通孔硅基板的上表面并分别位于阵列式分布的通孔两侧,ASIC电路芯片和MEMS结构芯片与多通孔硅基板通过粘胶粘合;MEMS芯片的管脚与ASIC芯片的管脚通过金丝引线键合连接;粘接了EMS芯片和ASIC芯片的多通孔硅基板下表面粘胶固定在管壳底面,粘胶区域仅位于ASIC芯片投影的下方的硅基板底面区域内,多孔区域以及MEMS芯片投影下方的硅基板底面区域内没有粘胶;ASIC芯片管脚与管壳内腔管脚通过金丝引线键合。具有可释放机械应力、隔离ASIC温升等优点。- 发布时间:2023-06-23 08:03:51
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一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法 公开日期:2023-07-14 公开号:CN111115566A 申请号:CN201911358916.3一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法
- 申请号:CN201911358916.3
- 公开号:CN111115566A
- 公开日期:2023-07-14
- 申请人:北京航天控制仪器研究所
本发明公开了一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法,加工封帽层硅片时,在其背面加工出与正面完全镜像对称的二氧化硅图形结构;再将封帽层硅片和器件层硅片通过Si‑SiO2键合在一起形成SOI片,然后完成器件层的加工;加工衬底层硅片时,在其背面加工出与正面完全镜像对称的SiO2/W/SiO2/Au膜层结构;最后将背面镜像膜层结构加工的SOI片与衬底层硅片键合在一起,完成封装。本发明利用镜像对称补偿法,平衡待键合片两侧的薄膜应力,解决MEMS晶圆级键合封装工艺过程中晶圆挠曲过大导致的键合对准偏差大、键合强度低的问题。- 发布时间:2023-07-16 07:33:03
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一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法 公开日期:2023-07-14 公开号:CN111115567A 申请号:CN201911358919.7一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法
- 申请号:CN201911358919.7
- 公开号:CN111115567A
- 公开日期:2023-07-14
- 申请人:北京航天控制仪器研究所
本发明公开了一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法,利用台阶仪测量已完成器件层加工的SOI片的挠曲程度,并根据SOI片挠曲程度在其背面生长相应的应力薄膜,将挠曲程度控制在‑5μm≤h2≤5μm;利用台阶仪测量已完成正面结构加工的衬底层硅片的挠曲程度,并根据衬底层硅片的挠曲程度在其背面生长相应的应力薄膜,将挠曲程度控制在‑5μm≤r2≤5μm;最后将平衡好两侧应力的SOI片和衬底层硅片键合在一起。本发明利用介质或金属薄膜的残余应力,对待键合片进行应力补偿,解决MEMS晶圆级键合封装工艺过程中晶圆挠曲过大导致的键合对准偏差大和键合强度低的问题。- 发布时间:2023-07-16 07:33:03
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