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• 曝光装置及曝光方法 公开日期：2024-08-30 公开号：CN113841089A 申请号：CN202080035298.3
  PCT发明 曝光装置及曝光方法

  • 申请号：CN202080035298.3
  • 公开号：CN113841089A
  • 公开日期：2024-08-30
  • 申请人：株式会社V技术

  无需使用复杂的机构，就能够与厚度不同的各种各样种类的基板或组装误差等引起的高度方向的偏离对应。在载置掩模的工作台的上表面，设置有高度变化且沿大致沿着水平面的第一方向设置的肋。在肋的与底面相反的一侧的上表面，沿着第一方向设置有多个识别标记。

  发布时间：2023-07-06 11:03:44

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• 微纳光学器件制造方法 公开日期：2024-08-30 公开号：CN112731774A 申请号：CN202011624355.X
  发明 微纳光学器件制造方法

  • 申请号：CN202011624355.X
  • 公开号：CN112731774A
  • 公开日期：2024-08-30
  • 申请人：嘉兴驭光光电科技有限公司

  本申请公开了一种微纳光学器件制造方法，该方法包括：利用半导体光刻和刻蚀工艺在晶圆上形成第一微纳结构；在晶圆上涂敷光刻胶；将第一区域中的光刻胶完全移除，以露出至少部分第一微纳结构，并对第二区域中的光刻胶进行灰度曝光，以在第二区域的光刻胶上形成第二微纳结构；以及将第一和第二微纳结构转印到待加工材料的表面上。根据本发明实施例，通过在已经经过半导体光刻刻蚀工艺处理的晶圆上涂覆灰度曝光用的光刻胶并选择性地进行部分区域的完全除胶和部分区域的灰度曝光，在一个统一的制作流程中融合了两种不同的微纳结构制作工艺；相应地，可以实现不同的微纳结构的构造制作。

  发布时间：2023-06-05 18:25:55

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• 制造半导体器件的方法 公开日期：2024-08-30 公开号：CN112578642A 申请号：CN202010009130.7
  发明 制造半导体器件的方法

  • 申请号：CN202010009130.7
  • 公开号：CN112578642A
  • 公开日期：2024-08-30
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

  本公开涉及制造半导体器件的方法。在一种形成图案的方法中，在底层上方形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层曝光于承载图案信息的光化辐射，对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成经显影的抗蚀剂图案，将定向蚀刻操作应用于经显影的抗蚀剂图案以形成经修整的抗蚀剂图案，以及使用经修整的抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来对底层进行图案化。

  发布时间：2023-06-02 13:42:53

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• 附件适配器 公开日期：2024-08-27 公开号：CN113126390A 申请号：CN202010977508.2
  发明 附件适配器

  • 申请号：CN202010977508.2
  • 公开号：CN113126390A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：株式会社腾龙

  课题在于，实现在能够安装相机附件的附件适配器被安装于透镜镜筒的状态下能够向透镜镜筒的前端部安装其他相机附件的附件适配器。解决手段在于，附件适配器(1)具备：被设置在附件适配器(1)的像面侧的内周面的适配器侧卡合部(11)；以及被设置在附件适配器(1)的对物侧的内周面的内螺纹(12)。附件适配器(1)的对物侧的内径比透镜镜筒(2)的前端部的内径更大。

  发布时间：2023-06-14 12:58:58

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• 制造半导体器件的方法和图案形成方法 公开日期：2024-08-27 公开号：CN113376960A 申请号：CN202110549003.0
  发明 制造半导体器件的方法和图案形成方法

  • 申请号：CN202110549003.0
  • 公开号：CN113376960A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

  本公开涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在制造半导体器件的方法中，在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层，将金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。金属光致抗蚀剂层是包括两种或更多种金属元素的合金层，并且选择性曝光改变了合金层的相态。

  发布时间：2023-06-23 07:40:14

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• 一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置 公开日期：2024-08-27 公开号：CN114690588A 申请号：CN202210179471.8
  发明 一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置

  • 申请号：CN202210179471.8
  • 公开号：CN114690588A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：中国科学院大连化学物理研究所

  本发明提供一种易于维护的EUV光源液滴锡靶供应装置。本发明包括阀体和与阀体输出端相连的声学产生及传播装置，阀体的两端分别设有第一端盖板和第二端盖板，阀体内部作为靶材腔室，第一端盖板上设有与所述靶材腔室相连的小孔，声学产生及传播装置的输入端连接靶材腔室，阀体的外部可拆卸地套接有温度调节装置，第二端盖板上设有连接阀体内部的加压管路，加压管路用于向靶材腔室加压，得到连续的锡喷射流，温度调节装置用于为阀体加热温度，声学产生及传播装置用于将经过其的连续的锡喷射流变为稳定的锡液滴流，声学产生及传播装置配套有用于为其制冷温的主动制冷装置。本发明方便的更换阀体，可实现锡滴极高的空间稳定性和极好的高频重复性。

  发布时间：2023-05-14 12:27:19

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• 一种用于HJT太阳能电池铜栅制备的光刻胶及其制备方法 公开日期：2024-08-27 公开号：CN116224716A 申请号：CN202310336834.9
  发明 一种用于HJT太阳能电池铜栅制备的光刻胶及其制备方法

  • 申请号：CN202310336834.9
  • 公开号：CN116224716A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：苏州皓申智能科技有限公司

  本发明公开了一种用于HJT太阳能电池铜栅制备的光刻胶及其制备方法，所述光刻胶包含按重量份数计的以下组分：粘结剂聚合物30‑60份、光反应性单体10‑45份、光引发剂1‑5份；所述粘结剂聚合物由丙烯酸、异戊二烯、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸六氟异丙酯和甲基丙烯酸环氧丙酯在光引发剂以及溶剂存在下自由基聚合得到，所述丙烯酸、异戊二烯、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸六氟异丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯的摩尔比为1：1‑1.2：0.8‑1.1：0.9‑1.1：1‑1.2，所述粘结剂聚合物的分子量大于6000。本发明制备的一种光刻胶具有快速固化、快速显影、易去胶的特点，同时具有高解析度和优异的显影性，可用于铜栅异质结电池的制备。

  发布时间：2023-06-11 11:48:49

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• 用于光刻过程的优化的方法 公开日期：2024-08-27 公开号：CN113253578A 申请号：CN202110601260.4
  发明 用于光刻过程的优化的方法

  • 申请号：CN202110601260.4
  • 公开号：CN113253578A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：ASML荷兰有限公司

  一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：确定整个衬底的性能参数的参数指纹，所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息；确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；以及确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量。可选地，基于所述概率度量来确定对所述光刻过程的校正。

  发布时间：2023-06-17 07:18:59

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• 一种用于EUV光源的液滴锡靶供应装置 公开日期：2024-08-27 公开号：CN114706276A 申请号：CN202210178438.3
  发明 一种用于EUV光源的液滴锡靶供应装置

  • 申请号：CN202210178438.3
  • 公开号：CN114706276A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：中国科学院大连化学物理研究所

  本发明提供一种用于EUV光源的液滴锡靶供应装置。本发明包括连接在一起的第一端盖板、第二端盖板和置于二者内部的声学产生及传播装置，第一端盖板上集成有存储液态锡的腔室，腔室的输出端设有小孔，第一端盖板的输出端连接有小孔盖板，存储液态锡的腔室连接有供料管，小孔盖板上设有供锡液滴流流动的小孔，第一端盖板上还连接有集成加压装置和温度调节装置，集成加压装置用于向存储液态锡的腔室中加压，温度调节装置用于调节第一端盖板的温度，声学产生及传播装置的输出端与所述存储液态锡的腔室相连，使其输出形成稳定的锡液滴靶，声学产生及传播装置配套有主动制冷装置。本发明解决了声学产生装置无法在高温下工作的问题。

  发布时间：2023-05-15 11:07:09

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• 曝光装置和制造物品的方法 公开日期：2024-08-27 公开号：CN114488709A 申请号：CN202210113165.4
  发明 曝光装置和制造物品的方法

  • 申请号：CN202210113165.4
  • 公开号：CN114488709A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：佳能株式会社

  本发明涉及曝光装置和制造物品的方法。本发明提供了一种曝光装置，所述曝光装置包括被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记的形成单元，以及控制单元，该控制单元被配置为通过基于标记的测量位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像，其中，在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前，控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理，以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。

  发布时间：2023-05-10 11:31:54

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