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基于ReRAM的FPGA用非易失性配置RAM 公开日期:2024-11-19 公开号:CN117789794A 申请号:CN202311837996.7基于ReRAM的FPGA用非易失性配置RAM
- 申请号:CN202311837996.7
- 公开号:CN117789794A
- 公开日期:2024-11-19
- 申请人:无锡中微亿芯有限公司
本发明涉及一种基于ReRAM的FPGA用非易失性配置RAM。其包括ReRAM阵列,所述ReRAM阵列包括若干ReRAM单元,其中,对ReRAM阵列中的任一ReRAM单元,包括用于数据存储的可变电阻R0以及与所述可变阻值电阻R0适配连接的存储控制电路,其中,可变阻值电阻R0的电阻状态受加载到所述可变阻值电阻R0上的可变电阻控制电压控制;同一行的ReRAM单元连接至同一字线WL,同一列的ReRAM单元连接至同一位线BL以及同一反位线BLN。本发明可配置得到非易失性RAM,与现有CMOS工艺兼容,可有效提高FPGA的规模、速度和可靠性。- 发布时间:2024-03-31 07:42:46
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存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法 公开日期:2024-11-19 公开号:CN117524268A 申请号:CN202311611922.1存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法
- 申请号:CN202311611922.1
- 公开号:CN117524268A
- 公开日期:2024-11-19
- 申请人:铁电存储器股份有限公司
存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法。该存储器单元布置包括:存取器件集,每个存取器件配置为经由与其关联的第一和第二控制线集可单独寻址;多个存储器单元,其中的存储器单元配置为经由与其关联的第三和第四控制线集可单独寻址,存取器件集配置为基于供给到第一和第二控制线集的控制电压控制供给到存储器单元布置的第三控制线集的电压;多个存储器单元中的每个包括第一和第二电极部分;多个存储器单元中的每个的第一电极部分连接到存取器件集中对应存取器件,和/或多个存储器单元中的每一者的第一电极部分连接到第四控制线集中对应第四控制线;多个存储器单元中的每一者的第一和/或第二电极部分包括金属材料或至少不包括半导体材料。- 发布时间:2024-02-15 07:16:09
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负电压字线方法和系统 公开日期:2024-11-19 公开号:CN113228182A 申请号:CN201980082844.6负电压字线方法和系统
- 申请号:CN201980082844.6
- 公开号:CN113228182A
- 公开日期:2024-11-19
- 申请人:桑迪士克科技有限责任公司
本发明公开了一种用于在不需要负字线电压发生器的情况下将所选择的字线驱动到负电压的方法和结构。该方法包括将非选择的字线升压到第一正电压的步骤。该方法继续将与该非选择的字线相邻并以电容方式耦合的所选择的字线保持在零电压。该方法继续使所选择的字线浮置。该方法继续将该非选择的字线驱动到较低电压,以使所选择的字线因电容效应而偏移到小于零伏。该方法继续在软擦除操作期间在处于负电压时加速在连接到所选择的字线的有缺陷的存储器单元中的电荷损失的步骤。- 发布时间:2023-06-16 07:28:10
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efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路 公开日期:2024-11-19 公开号:CN112992245A 申请号:CN202011562191.2efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路
- 申请号:CN202011562191.2
- 公开号:CN112992245A
- 公开日期:2024-11-19
- 申请人:上海华力微电子有限公司
本发明提供一种efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路,efuse单元结构包括编程熔丝和参考熔丝;第一、第二NMOS管;参考熔丝的一端为efuse单元结构的SAref端口,另一端连接第二NMOS管的漏极;编程熔丝的一端为efuse单元结构的位线端口,另一端连接第一NMOS管的漏极;第一、第二NMOS管的栅极连接形成efuse单元结构的字线端口;第一、第二NMOS管的源极连接形成efuse单元结构的接地端口。本发明efuse单元结构对熔丝采用非熔断性编程操作,降低了对所需编程电流要求,可以在较低的编程电压下工作,使得系统功耗大幅下降。同时能可靠地比较编程熔丝和参考熔丝之间的微小差别,并采用非熔断机制,所需编程电流更小,从而缩小了efuse整体的面积。- 发布时间:2023-06-11 13:26:23
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使用不同微凸块发射用于机器学习操作的数据 公开日期:2024-11-19 公开号:CN112908372A 申请号:CN202011409973.2使用不同微凸块发射用于机器学习操作的数据
- 申请号:CN202011409973.2
- 公开号:CN112908372A
- 公开日期:2024-11-19
- 申请人:美光科技公司
本申请案涉及使用不同微凸块发射用于机器学习操作的数据。一种系统包含具有微凸块的存储器装置和处理装置。所述处理装置以操作方式与所述存储器装置耦合以执行操作。所述操作包含基于所述存储器装置的所述微凸块的集发射用于机器学习操作的数据,其中所述数据存储于所述存储器装置处。另外,所述操作包含确定所述机器学习操作的条件的改变。此外,所述操作包含响应于确定所述机器学习操作的所述条件的所述改变,确定所述存储器装置的所述微凸块的将用以发射用于所述机器学习操作的后续数据的新集。此外,所述操作包含使用所述存储器装置的所述新微凸块集发射所述后续数据。- 发布时间:2023-06-11 12:28:59
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存储器、存储器的写入方法和读取方法 公开日期:2024-11-19 公开号:CN112542190A 申请号:CN201910900825.1存储器、存储器的写入方法和读取方法
- 申请号:CN201910900825.1
- 公开号:CN112542190A
- 公开日期:2024-11-19
- 申请人:中电海康集团有限公司|||浙江驰拓科技有限公司
本申请公开了一种存储器、存储器的写入方法和读取方法。其中,存储器包括自旋轨道矩提供层、两个存储位元、两个二极管、第一位线、第二位线、字线、源线和晶体管,其中,自旋轨道矩提供层的一端与第一位线连接,自旋轨道矩提供层的另一端与晶体管连接,且晶体管分别与字线和源线连接,两个存储位元间隔地设置在自旋轨道矩提供层的表面上,存储位元远离自旋轨道矩提供层的一端与二极管的第一端一一对应地串联,与两个存储位元连接的二极管的第一端对应的电极正负不同,二极管的第二端分别与第二位线连接。本申请解决了相关技术中存储器的存储单元面积大、集成度低,且不能实现独立读写的技术问题。- 发布时间:2023-06-02 13:20:22
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静态随机存取存储器装置 公开日期:2024-11-19 公开号:CN112530491A 申请号:CN201910877534.5静态随机存取存储器装置
- 申请号:CN201910877534.5
- 公开号:CN112530491A
- 公开日期:2024-11-19
- 申请人:联华电子股份有限公司
本发明公开一种静态随机存取存储器装置,包含两反相器和第一至第三晶体管。第一反相器的第一端耦接在第一数据节点,而第二端耦接在第二数据节点。第二反相器的第一端耦接在第二数据节点,而第二端耦接在第一数据节点。第一晶体管包含耦接在第一数据节点的第一端、第二端以及控制端。第二晶体管包含耦接在第一晶体管的第二端的第一端,耦接在第一位线的第二端,以及控制端。第三晶体管包含耦接在第一晶体管的第二端和第二晶体管的第一端之间的第一端、第二端以及耦接在第一数据节点的控制端。- 发布时间:2023-06-02 13:09:44
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存储器设备、存储器控制器及存储系统 公开日期:2024-11-19 公开号:CN112382322A 申请号:CN202011307668.2存储器设备、存储器控制器及存储系统
- 申请号:CN202011307668.2
- 公开号:CN112382322A
- 公开日期:2024-11-19
- 申请人:索尼公司
本申请公开了存储器设备、存储器控制器及存储系统。存储器子系统刷新管理利用单个命令使得命令能够跨不同的存储体分组存取一个或多个所识别的存储体。代替由每个存储体分组单独地发送识别在分离的存储体分组中的存储体或多个存储体的命令,命令能够使得存储器设备存取在不同的存储体分组中的存储体。命令能够是刷新命令。命令能够是预充电命令。- 发布时间:2023-05-29 12:02:11
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一种用于智慧交通计算机数据硬盘存储器 公开日期:2024-11-19 公开号:CN115798527A 申请号:CN202211498652.3一种用于智慧交通计算机数据硬盘存储器
- 申请号:CN202211498652.3
- 公开号:CN115798527A
- 公开日期:2024-11-19
- 申请人:新唐信通(浙江)科技有限公司
本发明公开了一种用于智慧交通计算机数据硬盘存储器,属于硬盘存储器技术领域,其包括外壳、侧盖硬盘体,所述外壳的底部固定连接有支撑杆,所述外壳的底部及一侧设置有安全防断装置,所述外壳、侧盖和硬盘体之间设置有便捷拆装装置,所述外壳的顶部及两侧设置有清洁加固装置,所述外壳的外表面两侧均开设有散热孔。该用于智慧交通计算机数据硬盘存储器,通过设置安全防断装置,在第一螺纹杆配合第一螺孔块的作用下,使得第一矩形板可以与外壳进行贴合,此时可以根据外接数据源的接口的长度进行微调,当调节完毕后,可以将数据线从穿线孔内穿过,进而缠绕在螺纹辅助筒上,螺纹辅助筒可以在螺纹辅助杆上进行运动,进而增加缠绕长度。- 发布时间:2023-06-07 23:03:31
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存储器装置和操作该存储器装置的方法 公开日期:2024-11-15 公开号:CN114360610A 申请号:CN202110607475.7存储器装置和操作该存储器装置的方法
- 申请号:CN202110607475.7
- 公开号:CN114360610A
- 公开日期:2024-11-15
- 申请人:爱思开海力士有限公司
本申请公开了一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。根据本技术,一种存储器装置可包括:多个存储器单元,其被配置为被编程以使得各个存储器单元具有与多个编程状态中的任一个对应的阈值电压;外围电路,其被配置对存储器单元执行读操作或编程操作;以及控制逻辑,其被配置为控制外围电路执行使用作为预设默认读电压当中的任一个读电压的测试读电压读取存储器单元的测试读操作,并且根据具有大于测试读电压的阈值电压的存储器单元的数量来执行将刷新编程电压施加到多个存储器单元当中的一些存储器单元的刷新编程操作。- 发布时间:2023-05-08 10:27:11
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