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发明

用于光刻过程的优化的方法

2023-06-17 07:18:59 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202110601260.4
  • 公开（公告）日：2024-08-27
  • 公开（公告）号：CN113253578A
  • 申请人：ASML荷兰有限公司
摘要：一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：确定整个衬底的性能参数的参数指纹，所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息；确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；以及确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量。可选地，基于所述概率度量来确定对所述光刻过程的校正。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113253578 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110601260.4 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 (22)申请日 2017.10.16 代理人 胡良均 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 16195819.4 2016.10.26 EP G03F 7/20 (2006.01) 16206235.0 2016.12.22 EP 17185056.3 2017.08.07 EP (62)分案原申请数据 201780066481.8 2017.10.16 (71)申请人 ASML荷兰有限公司 地址 荷兰维德霍温 (72)发明人 E ·C ·摩斯　J ·S ·威尔登伯格　 E ·J ·M ·沃勒伯斯　M ·范德斯卡　 弗兰克 ·斯塔尔斯　 F ·H ·A ·叶利奇　 权利要求书2页 说明书10页 附图4页 (54)发明名称 用于光刻过程的优化的方法 (

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