制造半导体器件的方法和图案形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113376960 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110549003.0 (22)申请日 2021.05.20 (30)优先权数据 63/028,665 2020.05.22 US 17/226,872 2021.04.09 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 訾安仁　何俊智　郑雅如　张庆裕　 (74)专利代理机构 北京东方亿思知识产权代理 有限责任公司 11258 代理人 朱亦林 (51)Int.Cl. G03F 7/004 (2006.01) 权利要求书1页 说明书19页 附图18页 (54)发明名称 制造半导体器件的方法和图案形成方法 (57)摘要 本公开涉及制造半导体器件的方法和图案 形成方法。在制造半导体器件的方法中，在要图 案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层，将金属 光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成 潜在图案，以及通过将显影剂施加到经选择性曝 光的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。 金属光致抗蚀剂层是包括两种或更多种金属元 素的合金层，并且选择性曝光改变了合金层的相 态。 A 0 6 9 6 7 3 3 1 1 N C CN 113376960 A 权　利　要　求　书 1/1页