微纳光学器件制造方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112731774 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011624355.X (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人 嘉兴驭光光电科技有限公司 地址 314500 浙江省嘉兴市桐乡市高桥大 道1156号3幢8楼 (72)发明人 王淼　 (74)专利代理机构 北京方可律师事务所 11828 代理人 吴艳　郝东晖 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 微纳光学器件制造方法 (57)摘要 本申请公开了一种微纳光学器件制造方法， 该方法包括：利用半导体光刻和刻蚀工艺在晶圆 上形成第一微纳结构；在晶圆上涂敷光刻胶；将 第一区域中的光刻胶完全移除，以露出至少部分 第一微纳结构，并对第二区域中的光刻胶进行灰 度曝光，以在第二区域的光刻胶上形成第二微纳 结构；以及将第一和第二微纳结构转印到待加工 材料的表面上。根据本发明实施例，通过在已经 经过半导体光刻刻蚀工艺处理的晶圆上涂覆灰 度曝光用的光刻胶并选择性地进行部分区域的 完全除胶和部分区域的灰度曝光，在一个统一的 制作流程中融合了两种不同的微纳结构制作工 A 艺；相应地，可以实现不同的微纳结构的构造制 4 作。 7 7 1 3 7 2 1 1 N C