制造半导体器件的方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112578642 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202010009130.7 (22)申请日 2020.01.06 (30)优先权数据 16/587,710 2019.09.30 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 刘如淦　张惠政　陈佳政　谢志宏　 陈亮吟　孙书辉　林纬良　张雅惠　 苏怡年　严永松　张家峰　叶雅雯　 沈育佃　 (74)专利代理机构 北京东方亿思知识产权代理 有限责任公司 11258 代理人 桑敏 (51)Int.Cl. G03F 7/20(2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图14页 (54)发明名称 制造半导体器件的方法 (57)摘要 本公开涉及制造半导体器件的方法。在一种 形成图案的方法中，在底层上方形成光致抗蚀剂 层，将光致抗蚀剂层曝光于承载图案信息的光化 辐射，对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成 经显影的抗蚀剂图案，将定向蚀刻操作应用于经 显影的抗蚀剂图案以形成经修整的抗蚀剂图案， 以及使用经修整的抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来 对底层进行图案化。 A 2 4 6 8 7 5 2 1 1 N C