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• 一种新型笼目结构室温铁磁体单晶及其合成方法 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684273A 申请号：CN202311552933.7
  发明 一种新型笼目结构室温铁磁体单晶及其合成方法

  • 申请号：CN202311552933.7
  • 公开号：CN117684273A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：安徽大学

  本发明公开了一种新型笼目结构室温铁磁体单晶及其合成方法，具有以下的化学式MgMn6Sn6；合成方法采用高温自助熔剂法，将单质Mg、Mn和Sn称料混合装入氧化镁坩埚，将坩埚真空密封在石英管中；将装料的密封石英管放入箱式炉中升温至，保温，再降温；在450℃时将石英管取出，去除多余的助熔剂，待石英管自然冷却至室温，敲碎管壁获得六边形MgMn6Sn6单晶片；通过能量色散谱仪确定其元素组分为MgMn6Sn6，进一步利用磁性测量系统测量其磁化率，确定该产物具有室温铁磁性，铁磁转变温度TC＝30℃。采用自助熔法成功制备出高质量的MgMn6Sn6晶体材料，其性质稳定，导电性良好，为凝聚态物理领域提供了理想的研究载体，在通信、传感、存储等高新技术领域具有巨大的应用前景。

  发布时间：2024-03-18 07:21:43

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• 晶体生长炉 公开日期：2024-03-12 公开号：CN115821370A 申请号：CN202211308619.X
  发明 晶体生长炉

  • 申请号：CN202211308619.X
  • 公开号：CN115821370A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：浙江晶盛机电股份有限公司

  本发明涉及一种晶体生长炉，该晶体生长炉包括机架、提拉杆、操纵机构、炉室和密封机构，操纵机构设置于机架，提拉杆设置于操纵机构，操纵机构包括第一输出轴和第二输出轴，第一输出轴用于驱动提拉杆水平移动，第二输出轴用于驱动提拉杆沿着自身轴线转动；炉室包括具有腔体的炉体和盖合于炉体的炉盖，炉盖上设有避让通道，提拉杆穿过避让通道伸入腔体，且避让通道允许提拉杆水平移动；密封机构套设于提拉杆，用于盖封避让通道。本发明的优点在于：通过在炉盖上设置避让通道，从而允许提拉杆水平运动，实现偏心引晶。在晶体生长的过程中，密封机构将避让通道密封，防止外界空气中的氧气等杂质进入炉室，从而保证晶体的生长质量。

  发布时间：2023-06-01 07:04:36

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• 一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684268A 申请号：CN202310847781.7
  发明 一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法

  • 申请号：CN202310847781.7
  • 公开号：CN117684268A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：中国电子科技集团公司第四十六研究所

  本发明涉及一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法。该方法是在石墨坩埚外部设有双加热筒结构，两个加热筒产生不同的热量，以实现对碳化硅晶体和源粉的分别控温，形成用于晶体扩径生长的热场；在石墨坩埚内部，碳化硅籽晶粘接到石墨坩埚顶部的石墨盖上，对碳化硅籽晶下方采用的是经过金属碳化物镀膜处理的镀膜导流筒，镀膜导流筒以线性扩大内径尺寸，以实现碳化硅晶体在生长过程沿着镀膜导流筒内壁不断扩径，最终得到大尺寸的碳化硅单晶。减少了传统扩径生长的迭代步骤、多种热场的设计、多种生长工艺的设定以及多轮次的生长实验，节约了大量的人力、物力和时间成本，高效率的实现了无相应籽晶情况下的大尺寸碳化硅单晶的获得。

  发布时间：2024-03-18 07:19:35

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• 具有交换偏置效应的反铁磁单晶材料的制备方法及应用 公开日期：2024-03-12 公开号：CN115044981A 申请号：CN202210677496.0
  发明 具有交换偏置效应的反铁磁单晶材料的制备方法及应用

  • 申请号：CN202210677496.0
  • 公开号：CN115044981A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：上海大学

  本发明公开一种具有交换偏置效应的反铁磁单晶材料的制备方法及应用，反铁磁单晶材料的分子式为Mn3‑xCrxSn，其中0≤x≤0.42，将锰，锡和铬粉末以一定的化学比例混合，置于密封的石英管中，低熔点的Sn作自助熔剂，溶解Mn和Cr，设定高温烧结炉程序，进行缓慢降温淬火获得单晶。本发明通过改变Cr的掺杂含量来调控并获得大的交换偏置效应，制备工艺简单，成本低，能源消耗少，当x＝0.42时，在温度为2～200K都存在交换偏置效应。该晶体可以被应用到需要通过温度而调节交换偏置场的应用环境中，如信息存储，磁场探测，磁记录介质和磁指纹识别等领域。同时，在2～50K范围内也具有垂直偏移量，垂直偏移量的存在不但丰富了传感器的设计方式，而且表现出比平行方向更大的偏移量，为实际应用提供新的更好的选择。

  发布时间：2024-03-14 07:00:12

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• 一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684265A 申请号：CN202311588992.X
  发明 一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202311588992.X
  • 公开号：CN117684265A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：西北工业大学

  本发明公开了一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该方法将SnBr2和CsBr粉末置于石英舟中，并放置于管式炉的加热区域；将衬底置于刚玉舟中，并放置于管式炉位于石英舟的一侧；对管式炉抽真空，并向管式炉中持续通入从石英舟朝刚玉舟方向的惰性气体，生长温度为570℃，加热时长为15min，即在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层。本发明通过化学气相沉积法在硅衬底上生长具有良好晶体质量的竖立的全无机CsSnBr3单晶钙钛矿，可用于高效率钙钛矿发光和光伏器件的开发。

  发布时间：2024-03-18 07:22:07

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• 基于卤离子选择性制备特定形态铂纳米晶体 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684249A 申请号：CN202311467874.3
  发明 基于卤离子选择性制备特定形态铂纳米晶体

  • 申请号：CN202311467874.3
  • 公开号：CN117684249A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：重庆大学

  基于卤离子选择性制备特定形态铂纳米晶体：将乙酰丙酮铂、卤离子、抗坏血酸和聚乙烯吡咯烷酮加入乙二醇中形成混合溶液；油浴加热反应混合溶液并分离出反应产物即获得具有所需特定形态的铂纳米晶体。基于所需特定形态来选择相应的卤离子：卤离子选定为I‑时获得立方体状铂纳米晶体，选定为Br‑时获得中空三瓣花状铂纳米晶体，以及选定为Cl‑时获得纳米花状铂纳米晶体。本发明利用乙二醇溶剂体系，仅需通过对卤离子这个单一参数变量进行调控选择即可便捷实现铂纳米晶体在上述三种特定形态之间的选择性制备，制得的产品/形态尺寸均一且纯度高。

  发布时间：2024-03-18 07:20:55

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• 晶体直拉生长控制方法、装置、设备及存储介质 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684255A 申请号：CN202311369094.5
  发明 晶体直拉生长控制方法、装置、设备及存储介质

  • 申请号：CN202311369094.5
  • 公开号：CN117684255A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：无锡晶名光电科技有限公司

  本申请涉及一种晶体直拉生长控制方法、装置、设备及存储介质，应用在晶体生长领域，其中方法包括：在获取到标准摄像单元拍摄的标准检测图像以及辅助摄像单元拍摄的辅助检测图像时，将所述标准检测图像和辅助检测图像进行相似度比对；若所述标准检测图像和辅助检测图像之间的相似度大于预设的标准值，则将所述标准检测图像设定为最终图像；否则，将标准检测图像和辅助检测图像进行清晰度比对，根据清晰度高的检测图像生成最终图像。本申请具有的技术效果是：提升了直拉生长的控制精度以及晶体的生长质量。

  发布时间：2024-03-18 07:20:13

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• 一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法及其应用 公开日期：2024-03-12 公开号：CN115044979A 申请号：CN202210657214.0
  发明 一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法及其应用

  • 申请号：CN202210657214.0
  • 公开号：CN115044979A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：清华大学

  本发明涉及一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：S1、在半导体基底上制备一层PbS单晶薄膜；S2、将上述生长有PbS薄膜的所述半导体基底与甲胺卤化物MAX反应生成钙钛矿MAPbX3单晶薄膜，其中，MA为甲胺阳离子，X为ⅦA族阴离子。采用此方法可制备厘米级的钙钛矿MAPbX3单晶薄膜，成本较低，反应温度较低，适合于大批量生产。

  发布时间：2024-03-14 07:00:12

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• 一种宽光谱响应铁掺杂铟基无铅钙钛矿材料及其制备方法和应用 公开日期：2024-03-12 公开号：CN115434011A 申请号：CN202211127046.0
  发明 一种宽光谱响应铁掺杂铟基无铅钙钛矿材料及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202211127046.0
  • 公开号：CN115434011A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

  本发明涉及一种宽光谱响应铁掺杂铟基无铅钙钛矿材料及其制备方法和应用。所述宽光谱响应铁掺杂铟基无铅钙钛矿材料的化学式为A2In1‑aFeaX5·H2O，晶体空间点群为Pnma；其中A＝Li、Na、K、Rb和Cs中至少一种，X=Cl、Br和I中至少一种；0＜a＜0.05。

  发布时间：2024-03-15 07:00:50

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• 一种导流筒悬挂装置 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684251A 申请号：CN202311705155.0
  发明 一种导流筒悬挂装置

  • 申请号：CN202311705155.0
  • 公开号：CN117684251A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司|||西安奕斯伟硅片技术有限公司

  本公开提供了一种导流筒悬挂装置，导流筒上沿周向分布有四个悬挂点；该导流筒悬挂装置包括提升机构及挂臂机构，提升机构包括两个提升单元，两个提升单元可分别安装至单晶炉的轴向顶部的径向相对两侧；挂臂机构包括两个挂臂单元，两个挂臂单元可分别安装至导流筒的径向相对两侧，一个挂臂单元对应地连接至一个提升单元上，挂臂单元在对应的提升单元带动下沿竖直方向可升降；每个挂臂单元包括间隔设置的两个提升杆及两个连接臂，一个提升杆的轴向底端通过一个连接臂可拆卸地连接至对应的一个悬挂点上，以通过四个悬挂点悬挂导流筒。本公开提供的导流筒悬挂装置，能够提高导流筒的悬挂稳定性，降低导流筒晃动的几率，提高单晶品质。

  发布时间：2024-03-18 07:25:14

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