最新专利

• 一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途 公开日期：2024-03-12 公开号：CN116732610A 申请号：CN202310815204.X
  发明 一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途

  • 申请号：CN202310815204.X
  • 公开号：CN116732610A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：浙江大学

  本发明涉及有机半导体技术领域，特别是涉及一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途。一种利用气液固三相界面制备富勒烯单晶薄膜的方法，包括如下步骤：1)富勒烯和溶剂混合，形成混合液；2)采用溶液剪切法使所述混合液中的富勒烯在基底表面结晶生长，获得所述的富勒烯单晶薄膜。本发明通过直接调控三相线处富勒烯的成核密度，并利用三相线的连续移动制备大面积的富勒烯单晶薄膜，其具有取向均一、均匀度高、覆盖率高的优点，此外，具有优异的电子传输性能，能满足光电领域的应用需求。

  发布时间：2023-09-14 07:21:45

  1

• 碳化硅晶体制备方法和碳化硅晶体生长装置及其应用 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684269A 申请号：CN202311529293.8
  发明 碳化硅晶体制备方法和碳化硅晶体生长装置及其应用

  • 申请号：CN202311529293.8
  • 公开号：CN117684269A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：北京旭灿半导体科技有限公司|||东旭集团有限公司

  本发明涉及碳化硅制备领域，公开了一种碳化硅晶体制备方法和碳化硅晶体生长装置及其应用。该方法在碳化硅晶体生长装置中进行，所述碳化硅晶体生长装置包括：籽晶托，所述籽晶托包括籽晶托本体和设于所述籽晶托本体下方的阶梯构件；所述阶梯构件的内侧呈台阶状，包括至少2级台阶；石墨板，与所述籽晶托的阶梯构件的内侧连接；以及石墨坩埚，用于与所述籽晶托的阶梯构件的外侧连接以形成容纳腔。本发明提供的制备方法生长出的碳化硅晶体缺陷少，质量优秀，良品率高。

  发布时间：2024-03-18 07:21:28

  0

• 基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684259A 申请号：CN202311812239.4
  发明 基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法

  • 申请号：CN202311812239.4
  • 公开号：CN117684259A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：陕西晶芯高能科技有限公司

  基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法，属于人工智能机器学习的应用领域。本发明为了解决传统采用数值模拟PVT温度场，耗费时间长、计算成本较大，并且模拟出来的温度场分布合理性较差的问题。采集多组历史控制参数值和所产生的历史轴向温度差及径向温度差形成数据集，将数据集分成训练集和验证集；利用训练集训练各个模型，利用验证集挑选性能最优的模型；构建多组待测的影响SiC晶体生长的控制参数值，输入至性能最优模型中，预测出多组轴向温度差及径向温度差，选出一组最优的轴向温度差及径向温度差所对应的最优的参数，实现SiC晶体生长。本申请用于优化SiC晶体的生长工艺。

  发布时间：2024-03-18 07:28:02

  0

• 一种应用于单晶炉的底部法兰 公开日期：2024-03-12 公开号：CN109321969A 申请号：CN201811342454.1
  发明 一种应用于单晶炉的底部法兰

  • 申请号：CN201811342454.1
  • 公开号：CN109321969A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：浙江晶鸿精密机械制造有限公司

  本发明是关于单晶炉的辅助设备领域，特别涉及一种应用于单晶炉的底部法兰。包括下圆盘；下圆盘是圆柱体结构的圆盘，且圆盘的上端面上设有两个环形凹槽，凹槽上均设有圆形封板，水嘴接口有两个，均焊接在第一凹槽上的封板上，并与第一凹槽的腔体连通；隔板有两块，分设于第一凹槽与第二凹槽内；水平调整副室是空心圆柱结构，底部焊设于下圆盘上端面，在侧部开有单边通孔，用于焊接KF10×40法兰；顶板焊接于水平调整副室上端面上；氩气管路为通过焊接三通连接的3/8EP管与KF10×20法兰组成的管路。本发明提高了底部法兰的密封性能；提高单晶炉的硅棒单次生产重量，降低辅助材料的替换频率，提高生产效率，降低生产成本。

  发布时间：2024-03-18 07:33:00

  0

• 一种单晶硅焖埚料脱模设备 公开日期：2024-03-12 公开号：CN220579438U 申请号：CN202321964514.X
  实用新型 一种单晶硅焖埚料脱模设备

  • 申请号：CN202321964514.X
  • 公开号：CN220579438U
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：连云港专需智能科技有限公司

  本实用新型公开了一种单晶硅焖埚料脱模设备，属于光伏单晶硅生产辅助拆清环节技术领域，包括脱模设备，脱模设备包括推车和接料车，推车上设有碳碳坩埚，碳碳坩埚底部设有通孔，碳碳坩埚内设有石英坩埚，石英坩埚内设有焖埚料，推车右侧设有接料车，脱模设备上设有自适应夹取翻转装置，脱模设备上设有埚帮感应保温装置，设置在所述自适应夹取翻转装置上，脱模设备设有液压冲顶装置，解决了现有设备夹臂机的夹臂无法使碳碳坩埚的埚帮保温、无法使焖埚料快速冷却收缩、无法降低石英坩埚与焖锅料之间的夹紧力度的技术问题。

  发布时间：2024-03-18 07:39:25

  0

• 蓝宝石晶体生长炉 公开日期：2024-03-12 公开号：CN116949559A 申请号：CN202311202075.3
  发明 蓝宝石晶体生长炉

  • 申请号：CN202311202075.3
  • 公开号：CN116949559A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：内蒙古晶环电子材料有限公司|||宁夏鑫晶盛电子材料有限公司|||浙江晶盛机电股份有限公司

  本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，具有炉盖和炉室；蓝宝石提拉轴，包括上分轴和下分轴，上分轴穿设于炉盖，下分轴至少部分位于炉室内且与上分轴可活动地连接；波纹管，套设于上分轴；及动力单元，设于炉体，具有推动下分轴相对上分轴向下移动的触发状态。当需要引晶时，保持上分轴静止，同时动力单元进入触发状态而推动下分轴向下移动，以使籽晶接触熔汤，启动蓝宝石晶体的生长过程，实现引晶。由于波纹管套设于上分轴，在引晶过程中，下分轴的移动不会牵动波纹管，不会导致波纹管发生压缩，从而防止波纹管内较冷的气体进入炉室内而影响炉室内的热场分布，进而避免对蓝宝石晶体的生长产生不利影响。

  发布时间：2023-10-31 07:31:04

  1

• 外延生长基座组件、外延生长装置及晶圆装卸方法 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684261A 申请号：CN202311718078.2
  发明 外延生长基座组件、外延生长装置及晶圆装卸方法

  • 申请号：CN202311718078.2
  • 公开号：CN117684261A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司|||西安奕斯伟硅片技术有限公司

  本公开实施例提供了一种外延生长基座组件、外延生长装置及晶圆装卸方法，该外延生长基座组件包括：基座，基座具有用于承载晶圆的承载面，基座包括至少两个子基座模块，每个子基座模块分别具有子承载面，所有子基座模块的子承载面彼此拼接组装形成承载面；基座支撑架，基座支撑架支撑于基座的下方，且基座支撑架被构造为能够使至少两个子基座模块沿竖向彼此独立地可升降。本公开实施例提供的外延生长基座组件、外延生长装置及晶圆装卸方法，能够避免由于支撑杆与晶圆接触导致的外延片不良，能够提高产品良率。

  发布时间：2024-03-18 07:26:08

  0

• 一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684256A 申请号：CN202311462748.9
  发明 一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法

  • 申请号：CN202311462748.9
  • 公开号：CN117684256A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）

  本发明公开了一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术领域，制备时采用表面为向外突出的曲面的衬底，所述曲面顶点到水平面的高度为d，0.05≤d≤0.15mm，曲率半径R为540mm～6460mm；本发明将衬底磨抛成特定的曲面，再使用该衬底进行液相外延，从而能够有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，并且本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高。

  发布时间：2024-03-18 07:20:54

  0

• 金属硝酸盐晶体生产线 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684266A 申请号：CN202311698414.1
  发明 金属硝酸盐晶体生产线

  • 申请号：CN202311698414.1
  • 公开号：CN117684266A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：广东长信精密设备有限公司

  提供一种金属硝酸盐晶体生产线，金属硝酸盐晶体生产线包括溶解釜、除杂釜、过滤器、蒸发釜、结晶釜、分离器、干燥器、第一管线、第二管线、第三管线、第四管线、第五管线、第六管线；除杂釜经由第一管线与溶解釜连通；过滤器经由第二管线与除杂釜连通；蒸发釜经由第三管线与过滤器连通；结晶釜经由第四管线与蒸发釜连通；分离器经由第五管线与结晶釜连通；干燥器经由第六管线与分离器连通；溶解釜、除杂釜、蒸发釜各具有彼此分立且一起配置成控制各自温度的加热机构和冷却机构。由此能够更为精确地控制反应温度，能够减少冷却结晶的跑冒滴漏现象。

  发布时间：2024-03-18 07:24:45

  0

• 一种单晶硅放肩方法 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684254A 申请号：CN202211083122.2
  发明 一种单晶硅放肩方法

  • 申请号：CN202211083122.2
  • 公开号：CN117684254A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：隆基绿能科技股份有限公司

  本发明提供了一种单晶硅放肩方法，根据目标晶棒直径获取放肩长度，在晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时，设定单晶炉内热场的降温速率为第一速率范围，同时设置晶棒的提拉速度为第一速度范围；在晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时，将降温速率由第一速率范围提升至第二速率范围，同时提拉速度由第一速度范围提升至第二速度范围；在放肩长度处于目标范围的第三区间时，将降温速率由第二速率范围提升至第三速率范围，同时将提拉速度由第二速度范围提升至第三速度范围，通过上述方法放肩，使得放肩时，肩部顶角可以保持在45°‑70°，减小了放肩过程中{111}小面出现的概率，进一步降低发生位错的概率，提高了放肩成功率。

  发布时间：2024-03-18 07:18:44

  0