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• 直径确定方法、装置、电子设备及存储介质 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702253A 申请号：CN202311099309.6
  发明 直径确定方法、装置、电子设备及存储介质

  • 申请号：CN202311099309.6
  • 公开号：CN117702253A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：隆基绿能科技股份有限公司

  本发明实施例提供了一种直径确定方法、装置、设备及介质。该方法包括：在直拉单晶过程中，获取等径阶段的预设时长内的至少两个单晶棒图像；其中，至少有两个单晶棒图像中的晶线位置不相同，检测每个单晶棒图像中的亮环区域，根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域的外边界，确定单晶棒的晶棒直径，使得利用多个单晶棒图像，由于晶线的位置在至少两个单晶棒图像中不相同，消除了晶线对亮环区域的外边界的影响，从而避免利用亮环区域检测晶棒直径时晶线的影响，继而提高检测的晶棒直径的准确性。

  发布时间：2024-03-18 07:48:54

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• 异常确定方法、装置、电子设备及存储介质 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702254A 申请号：CN202311100341.1
  发明 异常确定方法、装置、电子设备及存储介质

  • 申请号：CN202311100341.1
  • 公开号：CN117702254A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：隆基绿能科技股份有限公司

  本发明实施例提供了一种异常确定方法、装置、设备及介质。该方法包括：在直拉单晶过程中，获取等径阶段的预设时长内的至少两个单晶棒图像，检测每个单晶棒图像中的亮环区域，根据所述至少两个单晶棒图像对应的亮环区域的重合性程度，确定单晶棒的异常情况，使得利用多个单晶棒图像对应的亮环区域的重合性程度，分析单晶棒的生长变化大小来发现单晶棒出现的异常情况，从而减少了异常情况后的异常工时，继而提高单产，避免划弧严重时发生掉棒砸埚的风险，为生产安全提供更好的保障。

  发布时间：2024-03-18 07:48:54

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• 一种用于快速批量制备氧化物外延薄膜的装置与方法 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702260A 申请号：CN202410107060.7
  发明 一种用于快速批量制备氧化物外延薄膜的装置与方法

  • 申请号：CN202410107060.7
  • 公开号：CN117702260A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：路通尼克科技（无锡）有限公司

  本发明提供一种用于快速批量制备氧化物外延薄膜的装置与方法，该装置包括多靶材基座、可三维精确控制的衬底基座、可移动掩模板、可电动调节聚焦的光路系统、双路监控系统。可确保靶材表面、掩模板平面和衬底平面始终平行，确保脉冲激光烧蚀靶材表面产生的羽辉与掩模板孔状结构中心和衬底待沉积位置始终在同一轴线上。同时，通过电动XYZ衬底基座和透镜平移台，可实现外延薄膜生长条件的快速优化、不同激光能量密度下不同阳离子缺陷浓度的外延薄膜样品的制备。通过本发明的实施，可实现高均匀性、高可靠性、高效率的氧化物外延薄膜的高通量制备，在先进功能材料生产、基础物理研究和半导体器件制作等方面具有重要且广泛的应用前景。

  发布时间：2024-03-18 08:02:25

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• 一种磷化铟晶体的生长工艺 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702274A 申请号：CN202410161454.0
  发明 一种磷化铟晶体的生长工艺

  • 申请号：CN202410161454.0
  • 公开号：CN117702274A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：浙江康鹏半导体有限公司

  本发明提供一种磷化铟晶体的生长工艺，包括以下步骤：利用异形石英管合成磷化铟晶体，在单晶炉内预装生长原材料，对单晶炉排气处理，升华红磷，磷化铟晶体融化，晶体生长以及晶体冷却的过程，通过异形石英管完成磷化铟多晶的合成，再配合温度压力的控制实现磷化铟晶体的生长，以在磷化铟晶体的生长全过程中保证加工工艺的顺利进行，提升磷化铟单晶生长过程的稳定性。

  发布时间：2024-03-18 08:03:09

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• 一种修复蓝宝石晶片面型的方法 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702277A 申请号：CN202311445881.3
  发明 一种修复蓝宝石晶片面型的方法

  • 申请号：CN202311445881.3
  • 公开号：CN117702277A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：江苏吉星新材料有限公司|||北京中企祥科技有限公司

  本发明涉及蓝宝石晶片加工技术领域，公开了一种修复蓝宝石晶片面型的方法。该方法包括：将蓝宝石晶片进行研磨处理和退火处理；研磨处理的方法包括：采用双面研磨；退火处理的方法包括：蓝宝石晶片的翘曲度为16‑25μm，退火处理在研磨处理之后进行；或者，蓝宝石晶片的翘曲度大于25μm，退火处理包括退火处理I和退火处理II，退火处理I的保温温度高于退火处理II的保温温度。本发明提供的修复蓝宝石晶片面型的方法能够改善蓝宝石晶片的翘曲度，从而能够极大地提高对翘曲度超标晶片进行修复的合格率。

  发布时间：2024-03-18 07:49:43

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• 拉晶炉排气组件及其工作方法、拉晶炉 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702242A 申请号：CN202311710595.5
  发明 拉晶炉排气组件及其工作方法、拉晶炉

  • 申请号：CN202311710595.5
  • 公开号：CN117702242A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司|||西安奕斯伟硅片技术有限公司

  本发明提供了一种拉晶炉排气组件及其工作方法、拉晶炉，属于半导体制造技术领域。拉晶炉排气组件，包括：所述拉晶炉的排气管道，其中，沿远离所述拉晶炉的方向，所述排气管道分为第一部分和第二部分；设置在所述排气管道上的隔离阀，所述隔离阀能够在第一状态和第二状态之间切换，在所述隔离阀处于所述第一状态时，所述第一部分与所述第二部分导通；在所述隔离阀处于所述第二状态时，所述第一部分与所述第二部分隔绝；通过引流管道与所述第一部分连通的熔液收集容器，用于收集经所述第一部分排出的熔液。本发明的技术方案能够在拉晶炉发生熔液泄露时，降低对拉晶炉和隔热材料的损失。

  发布时间：2024-03-18 07:54:37

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• 碳化硅桨的水平度调节装置、水平度调节方法及控制设备 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702280A 申请号：CN202311727252.X
  发明 碳化硅桨的水平度调节装置、水平度调节方法及控制设备

  • 申请号：CN202311727252.X
  • 公开号：CN117702280A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司|||西安奕斯伟硅片技术有限公司

  本发明提供了一种碳化硅桨的水平度调节装置、水平度调节方法及控制设备，属于半导体技术领域。包括：基座(1)、紧固件、挡板(2)、测距传感器(3)和调节机构(4)；紧固件用于将碳化硅桨(5)的第一端固定在基座(1)上；挡板(2)安装在碳化硅桨(5)的第二端，且挡板(2)与碳化硅桨(5)的下表面相垂直；测距传感器(3)设置在基座(1)上朝向所述挡板(2)的一侧壁上，测距传感器(3)用于测量测距传感器(3)与挡板(2)之间的距离值；调节机构(4)用于根据距离值，调节紧固件的松紧度，以调节碳化硅桨(5)的水平度。本发明的技术方案能够实时地自动调节碳化硅桨的水平度，提高了调节效率。

  发布时间：2024-03-18 07:55:43

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• 液口距确定方法、装置、电子设备及存储介质 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702249A 申请号：CN202310527478.9
  发明 液口距确定方法、装置、电子设备及存储介质

  • 申请号：CN202310527478.9
  • 公开号：CN117702249A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：隆基绿能科技股份有限公司

  本申请实施例提供了一种液口距确定方法、装置、电子设备及存储介质。其中，液口距确定方法包括：通过摄像设备获取目标图像，并在目标图像中确定导流筒下口的边界点以及所述边界点在熔硅液面上的倒影点；获取边界点和倒影点之间的像素距离；基于像素距离、导流筒下口的半径、摄像设备的参数、以及导流筒下口与摄像设备之间的相对位置，计算所述导流筒下口至所述熔硅液面的液口距。本申请实施例中，一方面，只需捕捉导流筒下口的边界点和对应的倒影点，捕捉的数据更加简单，同时可以避免炉体安装对于视觉捕捉的影响；另一方面，基于单晶炉内的光路图建立准确的数学模型关系，相比于采用简单的线性关系计算来说，计算得到的液口距更加准确。

  发布时间：2024-03-18 07:48:26

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• 单晶硅棒直径控制方法、装置、电子设备及存储介质 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702252A 申请号：CN202211510211.0
  发明 单晶硅棒直径控制方法、装置、电子设备及存储介质

  • 申请号：CN202211510211.0
  • 公开号：CN117702252A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：丽江隆基硅材料有限公司

  本申请实施例提供了一种单晶硅棒直径控制方法、装置、电子设备及存储介质。其中，单晶硅棒直径控制方法包括：在拉晶过程的等径生长环节，按照预设规则获取单晶硅棒的实际重量；基于单晶硅棒的实际重量，计算单晶硅棒的实际直径；基于单晶硅棒的实际直径、预设的单晶硅棒的目标直径、以及等径生长环节的当前目标直径像素值，计算等径生长环节的修正后目标直径像素值；基于等径生长环节的修正后目标直径像素值，修正等径生长环节的当前目标直径像素值。本申请实施例中，能够使得修正后目标直径像素值随着实际直径的变化而变化，因此修正后目标直径像素值更加准确地对应于目标直径，进而能够提高直径校准的准确性。

  发布时间：2024-03-18 07:47:23

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• 一种二次加料系统、方法及拉晶设备 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702245A 申请号：CN202311729395.4
  发明 一种二次加料系统、方法及拉晶设备

  • 申请号：CN202311729395.4
  • 公开号：CN117702245A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司|||西安奕斯伟硅片技术有限公司

  本公开实施例公开了一种二次加料系统、方法及拉晶设备，所述二次加料系统包括监测模块和加料模块；其中，所述监测模块，用于当利用石墨加热器对石英坩埚中盛放的第一原料进行加热时，实时监测所述第一原料的物理形态；所述加料模块，用于当所述监测模块监测到所述第一原料开始熔化形成硅熔体且所述硅熔体的液面上有部分未熔化的第一原料时，开始向所述石英坩埚中投放设定质量的第二原料。

  发布时间：2024-03-18 07:55:57

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