一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117684265 A (43)申请公布日 2024.03.12 (21)申请号 202311588992.X (22)申请日 2023.11.24 (71)申请人 西北工业大学 地址 710072 陕西省西安市碑林区友谊西 路127号 (72)发明人 尚景智　李思雨　乔敬源　张欣雨　 张学文　 (74)专利代理机构 西安凯多思知识产权代理事 务所(普通合伙) 61290 专利代理师 赵革革 (51)Int.Cl. C30B 29/22 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图6页 (54)发明名称 一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及 其制备方法和应用 (57)摘要 本发明公开了一种在硅衬底上生长的竖立 钙钛矿片层及其制备方法和应用，涉及半导体材 料技术领域。该方法将SnBr 和CsBr粉末置于石 2 英舟中，并放置于管式炉的加热区域；将衬底置 于刚玉舟中，并放置于管式炉位于石英舟的一 侧；对管式炉抽真空，并向管式炉中持续通入从 石英舟朝刚玉舟方向的惰性气体，生长温度为 570℃，加热时长为15min，即在硅衬底上生长的 竖立钙钛矿片层。本发明通过化学气相沉积法在 硅衬底上生长具有良好晶体质量的竖立的全无 机CsSnBr 单晶钙钛矿，可用于高效率钙钛矿发 3 A 光和光