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• 一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702282A 申请号：CN202311705692.5
  发明 一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件

  • 申请号：CN202311705692.5
  • 公开号：CN117702282A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：浙江大学杭州国际科创中心

  本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件，通过对设置在碳化硅晶圆片表面的电极施加高频高压电脉冲，利用高频高压的瞬态特征以及交流电特征，使得可以从不同方向轰击碳化硅晶圆片中的原子，位移所述碳化硅晶圆片中的部分原子，从而在所述碳化硅晶圆片中形成空位和各种复杂点缺陷，得到高电阻率且稳定性更好的半绝缘碳化硅晶圆片，而且，得到的半绝缘碳化硅晶圆片的纵向电阻分布均匀，可以提高半绝缘碳化硅晶圆片的纵向半绝缘特性。

  发布时间：2024-03-18 07:54:18

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• 一种以高熵合金为触媒合成立方氮化硼的方法 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702273A 申请号：CN202311739159.0
  发明 一种以高熵合金为触媒合成立方氮化硼的方法

  • 申请号：CN202311739159.0
  • 公开号：CN117702273A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：吉林大学

  本发明公开一种以高熵合金为触媒合成立方氮化硼的方法。该方法选用粒径适宜的六方氮化硼h‑BN为原料，高熵合金FeCoNiCrCuAl作为触媒，h‑BN和触媒充分混合压片后，在国产六面顶液压机的高温高压条件下，合成立方氮化硼c‑BN，通过酸碱提纯得到c‑BN晶体。本发明中高熵合金触媒适合工业规模化生产，作为新型触媒在合成c‑BN的过程中，具有合成压力低、转化率高、合成温度和压力范围宽、产物杂质含量低等优点，是一种应用前景广阔的新型触媒材料。

  发布时间：2024-03-18 07:56:41

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• 一种固化保温筒 公开日期：2024-03-15 公开号：CN109306512A 申请号：CN201811422923.0
  发明 一种固化保温筒

  • 申请号：CN201811422923.0
  • 公开号：CN109306512A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：上海骐杰碳素材料有限公司

  本发明公开了一种固化保温筒，包括多层保温层，单层保温层为多个筒片组装而成的圆筒状；最外层的保温层外表面至少设有一条外环形槽，外环形槽内嵌有一外固定环，两个相邻保温层之间的表面至少设有一条内环形凹槽，并且采用内固定环嵌套至内环形凹槽中，以固定相邻的两层保温层。本发明将传统的圆形保温筒进行分割制备，一方面可进行多层组装以形成不同厚度，拼接成不同高度的保温筒；另一方面还可同时批量生产，大大降低制备成本。在制备单个保温层的筒片时，由于其厚度较薄，尺寸可控，进行高温处理时能得到内外均一的处理效果，可保证每片筒片的耐高温及保温效果；此外，内固定环能够固定相邻两层保温层，可提高组装的稳定性。

  发布时间：2024-03-18 08:04:48

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• 一种二氧化钛改性硫酸钙晶须及其制备方法和应用 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702279A 申请号：CN202311720642.4
  发明 一种二氧化钛改性硫酸钙晶须及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202311720642.4
  • 公开号：CN117702279A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：咸阳师范学院

  本发明属于材料改性技术领域，公开了一种二氧化钛改性硫酸钙晶须及其制备方法和应用。制备方法包括以下步骤：以钛酸丁酯溶胶‑凝胶法原位合成纳米二氧化钛溶胶，通过纳米二氧化钛溶胶对硫酸钙晶须进行包覆改性，离心、干燥后得到二氧化钛改性硫酸钙晶须材料。本发明通过纳米二氧化钛溶胶包覆改性硫酸钙晶须，在硫酸钙晶须的表面形成一层纳米二氧化钛薄膜，使硫酸钙晶须具有更好的分散度，并对硫酸钙晶须晶粒大小并无改变，对硫酸钙晶须的形貌、晶型、性能起到了保护作用，包覆改性的硫酸钙晶须具有较强的亲水性，分散性好，提高了水泥石的力学性能，从而也增强了与水泥基材料之间的粘结能力，提高了固井水泥的性能。

  发布时间：2024-03-18 07:55:13

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• 一种助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬底及氮化镓晶体生长方法 公开日期：2024-03-15 公开号：CN115506026A 申请号：CN202211195502.5
  发明 一种助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬底及氮化镓晶体生长方法

  • 申请号：CN202211195502.5
  • 公开号：CN115506026A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：聚勒微电子科技（太仓）有限公司

  本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬底及氮化镓晶体生长方法。本发明提供的助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬底包括衬底层、图形化掩埋层、可分解缓冲层、氮化镓微籽晶和氮化镓籽晶层。衬底层具有平整表面，在衬底层表面具有图形化掩埋层，在图形化掩埋层表面具有氮化镓籽晶层；在图形化掩埋层内密布有朝向氮化镓籽晶层开口的凹陷位，在凹陷位内表面具有可分解缓冲层，在可分解缓冲层内具有氮化镓微籽晶；氮化镓微籽晶与氮化镓籽晶层相连。本发明提供的助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬底及氮化镓晶体生长方法，能够调节氮化镓晶体与衬底之间结合力，使氮化镓晶体生长完成后自动剥离。

  发布时间：2024-03-17 07:01:47

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• 一种单晶硅盘热处理装置、热处理方法及应用 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702281A 申请号：CN202311730160.7
  发明 一种单晶硅盘热处理装置、热处理方法及应用

  • 申请号：CN202311730160.7
  • 公开号：CN117702281A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：北京北方华创真空技术有限公司

  本申请公开了一种单晶硅盘热处理装置、热处理方法及应用。一方面，本申请提供一种单晶硅盘热处理装置。另一方面，本申请提供一种单晶硅盘的热处理方法，包括以下步骤：S1、将待处理的单晶硅盘间隔放置在热处理托架内；S2、对单晶硅盘进行真空退火处理；S3、向完成步骤S2退火处理的真空炉中通入常温惰性气体冷却退火处理后的单晶硅盘，冷却至室温后取出；所述步骤S3中，所述惰性气体的压强2bar~6bar，冷却时冷却气体入口气体流量1000~7000m3/h，冷却气体出口的风机流量2000~10000m3/h。本申请还提供了上述热处理方法在半导体加工领域的应用。本申请能够有效解决单晶硅盘电阻虚高及导电类型反转问题，同时能够有效保证单晶硅盘不会开裂，良品率较高。

  发布时间：2024-03-18 07:56:03

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• 一种PVT炉快速降温的方法 公开日期：2024-03-15 公开号：CN117702259A 申请号：CN202410167161.3
  发明 一种PVT炉快速降温的方法

  • 申请号：CN202410167161.3
  • 公开号：CN117702259A
  • 公开日期：2024-03-15
  • 申请人：宁波合盛新材料有限公司

  本申请公开了一种PVT炉快速降温的方法，包括以下步骤：S1：PVT炉停止加热，向PVT炉内充入冷却气体，冷却气体为氦气，控制PVT炉内压强，直至PVT炉的温度不超过50℃；S2：完成降温，向PVT炉内充入惰性气体，直至PVT炉内压力达到大气压，取出坩埚。本申请的PVT炉快速降温的方法，能够大幅缩短PVT炉降至常温的时间，从而提高生产效率。

  发布时间：2024-03-18 08:03:36

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• 坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法 公开日期：2024-03-12 公开号：CN116815303A 申请号：CN202310782854.9
  发明 坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法

  • 申请号：CN202310782854.9
  • 公开号：CN116815303A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：通威微电子有限公司

  本发明的实施例提供了一种坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法，涉及半导体技术领域。坩埚包括坩埚本体，坩埚本体具有一顶部开口的腔室，腔室内设置有分隔部。分隔部将腔室分隔为上腔室和下腔室。上腔室用于容置碳化硅。坩埚本体的侧壁设置有多个与下腔室连通的通孔，以使下腔室与外部连通。其能够改善坩埚的温场分布不均匀的问题，从而提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题，与上坩埚件结合可延长长晶时间，增加生长晶锭的厚度。

  发布时间：2023-10-01 07:18:33

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• 一种制备铋置换稀土类铁石榴石单晶体的方法 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117684267A 申请号：CN202311697538.8
  发明 一种制备铋置换稀土类铁石榴石单晶体的方法

  • 申请号：CN202311697538.8
  • 公开号：CN117684267A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：炬芯通光电科技（上海）有限公司

  本发明公开了一种制备铋置换稀土类铁石榴石单晶体的方法，包括以下步骤：(1)对稀土材料加热；(2)稀土材料中挥发的铋置换稀土类铁石榴石单晶体在钙镁锆掺杂钆镓石榴石上生长附着，形成复合材料；所述稀土材料加热时，对稀土材料通以还原性气体。与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过对稀土材料通以还原性气体，还原性气体与稀土材料充分接触，促进稀土材料生成铋置换稀土类铁石榴石单晶。提高了生长速度。

  发布时间：2024-03-18 07:24:43

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• 液相法碳化硅长晶过程消除气泡包裹的方法 公开日期：2024-03-12 公开号：CN117305987A 申请号：CN202311611073.X
  发明 液相法碳化硅长晶过程消除气泡包裹的方法

  • 申请号：CN202311611073.X
  • 公开号：CN117305987A
  • 公开日期：2024-03-12
  • 申请人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司|||青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司

  本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及液相法碳化硅长晶过程消除气泡包裹的方法。长晶依托于长晶装置，包括炉体，炉体内设有用于盛放长晶原料的石墨坩埚，石墨坩埚上方设有籽晶杆，一籽晶托，设于籽晶杆一端，籽晶托上设有碳化硅籽晶，加热装置，用于提供晶体生长所需温度，抽真空装置，用于提供晶体生长所需真空环境；消除气泡包裹的方法包括如下步骤：a装料、b化料、c回熔、d提拉、e旋转、f再回熔、g长晶、h待晶体生长完成，进行冷却，冷却后取下晶体，完成长晶。本发明提供的方法，长晶过程中消除籽晶表面气泡，使籽晶表面光滑，可生长出高质量的碳化硅晶体。

  发布时间：2024-01-06 07:19:34

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