具有交换偏置效应的反铁磁单晶材料的制备方法及应用

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115044981 A (43)申请公布日 2022.09.13 (21)申请号 202210677496.0 (22)申请日 2022.06.15 (71)申请人 上海大学 地址 200444 上海市宝山区上大路99号 (72)发明人 杨晓岩　曹桂新　黄亚磊　张金仓　 (74)专利代理机构 上海新隆知识产权代理事务 所(普通合伙) 31366 专利代理师 金利琴 (51)Int.Cl. C30B 29/52 (2006.01) C30B 1/10 (2006.01) H01F 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 具有交换偏置效应的反铁磁单晶材料的制 备方法及应用 (57)摘要 本发明公开一种具有交换偏置效应的反铁 磁单晶材料的制备方法及应用，反铁磁单晶材料 的分子式为Mn Cr Sn，其中0≤x≤0.42，将锰， 3‑x x 锡和铬粉末以一定的化学比例混合，置于密封的 石英管中，低熔点的Sn作自助熔剂，溶解Mn和Cr， 设定高温烧结炉程序，进行缓慢降温淬火获得单 晶。本发明通过改变Cr的掺杂含量来调控并获得 大的交换偏置效应，制备工艺简单，成本低，能源 消耗少，当x＝0.42时，在温度为2～200K都存在 交换偏置效应。该晶体可以被应用到需要通过温 度而调节交换偏置场的应用环境中，如信息存 A 储，磁场探测，磁记录介质和磁指纹识别等领域。