一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117684268 A (43)申请公布日 2024.03.12 (21)申请号 202310847781.7 (22)申请日 2023.07.12 (71)申请人 中国电子科技集团公司第四十六研 究所 地址 300220 天津市河西区洞庭路26号 (72)发明人 孟大磊　王英民　赖占平　薛豪　 王增华　庞越　 (74)专利代理机构 天津中环专利商标代理有限 公司 12105 专利代理师 王凤英 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01) C30B 35/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶 衬底制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种用于宽禁带半导体器件的 碳化硅单晶衬底制备方法。该方法是在石墨坩埚 外部设有双加热筒结构，两个加热筒产生不同的 热量，以实现对碳化硅晶体和源粉的分别控温， 形成用于晶体扩径生长的热场；在石墨坩埚内 部，碳化硅籽晶粘接到石墨坩埚顶部的石墨盖 上，对碳化硅籽晶下方采用的是经过金属碳化物 镀膜处理的镀膜导流筒，镀膜导流筒以线性扩大 内径尺寸，以实现碳化硅晶体在生长过程沿着镀 膜导流筒内壁不断扩径，最终得到大尺寸的碳化 硅单晶。减少了传统扩径生长的迭代步骤、多种 A 热场的设计、多种生长工艺的设定以及多轮次的